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公开(公告)号:CN115397945A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202280003650.4
申请日:2022-03-11
Applicant: 拓自达电线株式会社
IPC: C09K5/14 , H01L23/36 , C08L101/00 , C08K3/22 , C08K3/28
Abstract: 本发明的目的在于提供一种导热性优越、具有绝缘性、介电常数低、且设计性优越的导热片。导热片1包括粘结剂成分11、氧化钛、氮化钛、以及上述成分以外的导热性填料12,氧化钛相对于氧化钛及氮化钛的合计值的比例为20~90质量%。优选导热片1表面的L*a*b*表色系统中的L*值为41以下。优选相对于导热性填料12的总量100质量份来说,氧化钛及氮化钛的合计含有量为0.3~10.0质量份。
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公开(公告)号:CN110027268B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN201910028590.1
申请日:2019-01-11
Applicant: 拓自达电线株式会社
Abstract: 本发明提供能够实现减小绝缘保护层的光泽度并且提高剥离膜的剥离性能的电磁波屏蔽膜。所述电磁波屏蔽膜包括绝缘保护层112、导电性胶粘剂层111、介由离型剂层114设于绝缘保护层112的导电性胶粘剂层111的相反侧的表面的剥离膜115。绝缘保护层112的85°光泽度小于15,剥离膜115的绝缘保护层侧的面的85°光泽度小于3,离型剂层114的厚度小于10μm。
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公开(公告)号:CN110027268A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201910028590.1
申请日:2019-01-11
Applicant: 拓自达电线株式会社
Abstract: 本发明提供能够实现减小绝缘保护层的光泽度并且提高剥离膜的剥离性能的电磁波屏蔽膜。所述电磁波屏蔽膜包括绝缘保护层112、导电性胶粘剂层111、介由离型剂层114设于绝缘保护层112的导电性胶粘剂层111的相反侧的表面的剥离膜115。绝缘保护层112的85°光泽度小于15,剥离膜115的绝缘保护层侧的面的85°光泽度小于3,离型剂层114的厚度小于10μm。
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公开(公告)号:CN118234619A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202280074357.7
申请日:2022-12-05
Applicant: 拓自达电线株式会社
Abstract: 提供:可以用于制造通过将凹凸转印至电磁波屏蔽薄膜的保护层,从而可以使保护层的表面为哑光调、且热压接时在保护层中不易产生裂纹的电磁波屏蔽薄膜的转印薄膜。本发明的转印薄膜的特征在于,具备具有哑光调转印面的哑光调转印层,上述哑光调转印层包含树脂填料。
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公开(公告)号:CN114902819A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202180007796.1
申请日:2021-01-08
Applicant: 拓自达电线株式会社
Inventor: 梅村滋和
Abstract: 本发明提供一种形状转印膜,其为含有凹凸形状的形状转印膜,能够通过向转印对象物转印来源于上述凹凸形状的形状来赋予转印对象物充分的遮盖性,且在有意将其从转印对象物剥下时能够轻松地将其剥下。形状转印膜1在至少一面含有界面展开面积比Sdr为1500~7000%和/或中心部的水平差Sk为2.0~7.0μm的凹凸形状,且用于向转印对象物转印来源于上述凹凸形状的形状。形状转印膜1例如包括基板层2和设于基板层2的一面的树脂层3。且形状转印膜1例如含有填料4,上述凹凸形状通过填料4比膜平坦面3a更向外侧突出而形成。
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公开(公告)号:CN108368409B
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201780005079.9
申请日:2017-05-23
Applicant: 拓自达电线株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/30 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J175/04 , H01B1/20 , H01B5/14 , H01B5/16 , H05K1/02 , H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种导电性粘接剂组合物,所述导电性粘接剂组合物含有热固性树脂、环氧树脂、导电性填料及聚氨酯树脂粒子。该热固性树脂具有能与环氧基反应的官能团。该聚氨酯树脂粒子的平均粒径为4μm以上13μm以下,并且按照JIS K 6253用A型硬度计测量的硬度为55以上90以下。
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