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公开(公告)号：CN104515640A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310463120.0
申请日：2013-10-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: G01L9/0075
Abstract: 一种电容式MEMS压力传感器，由于将检测薄膜和电容上下电极分开，而不是作为其中之一，器件工作时，外界工作介质与检测薄膜接触，压迫检测薄膜，带动检测电极下极板动作，改变了上下电极极板间间距，产生电容变化，进而由引线引出至外接电容检测电路，由侦测电容的改变量得出上下电极极板间间距的变化，进而换算成工作介质的压力数值。由于上下电极不再受力变形，其有效面积基本恒定，电容值由间距决定，同时检测薄膜和检测电容的面积可分开调节，在设计器件时在规定的器件参数下可以更加灵活的调整器件尺寸，以降低成本。本发明也从器件结构上回避了传统压力传感器中为提高灵敏度而调整薄膜尺寸所引入的非线性以及动态响应范围改变的问题。
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公开(公告)号：CN102290349A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010208056.8
申请日：2010-06-21
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L23/29
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该方法包括步骤：提供晶片，所述晶片背面具有多晶硅层，所述晶片正面具有半导体器件；形成覆盖所述多晶硅层的氧化物层。本发明解决了工艺线后段时清洗工艺对晶片背面的多晶硅层造成的损伤的问题。
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公开(公告)号：CN103523738B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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公开(公告)号：CN104425212A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310369561.4
申请日：2013-08-22
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种用于高台阶器件的聚酰亚胺的平坦化涂覆方法。所述方法包括：在所述高台阶器件的表面涂覆第一聚酰亚胺层；在所述第一聚酰亚胺层的表面涂覆光刻胶层，所述光刻胶层具有平坦的表面；采用平坦化工艺去除所述光刻胶层和部分的所述第一聚酰亚胺层，使剩余的第一聚酰亚胺层的表面高于所述高台阶器件的台阶表面；以及在所述剩余的第一聚酰亚胺层的表面涂覆第二聚酰亚胺层。该方法不仅保证聚酰亚胺在高台阶器件的表面具有良好的均匀覆盖能力，还能够使聚酰亚胺层具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN103065942A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310006414.0
申请日：2013-01-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法和半导体结构，通过在半导体晶圆第一面设置测量槽，并在测量槽中形成透明保护层，使得在后续腐蚀形成半导体膜的过程中，测量槽底部的晶圆材料被腐蚀露出透明保护层，根据透明保护层底部限定的参考平面获得其与半导体膜表面的高度差，根据测量槽的深度和所述高度差即可精确得到半导体膜的当前厚度，由此进一步控制腐蚀参数来腐蚀得到厚度精确的半导体膜。本发明克服了由于半导体晶圆厚度误差的造成的半导体膜厚度难以监控和测量的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104515640B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310463120.0
申请日：2013-10-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: G01L9/0075
Abstract: 一种电容式MEMS压力传感器，由于将检测薄膜和电容上下电极分开，而不是作为其中之一，器件工作时，外界工作介质与检测薄膜接触，压迫检测薄膜，带动检测电极下极板动作，改变了上下电极极板间间距，产生电容变化，进而由引线引出至外接电容检测电路，由侦测电容的改变量得出上下电极极板间间距的变化，进而换算成工作介质的压力数值。由于上下电极不再受力变形，其有效面积基本恒定，电容值由间距决定，同时检测薄膜和检测电容的面积可分开调节，在设计器件时在规定的器件参数下可以更加灵活的调整器件尺寸，以降低成本。本发明也从器件结构上回避了传统压力传感器中为提高灵敏度而调整薄膜尺寸所引入的非线性以及动态响应范围改变的问题。
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公开(公告)号：CN103681233B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210325243.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00531
Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。
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公开(公告)号：CN105174203A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201410231976.X
申请日：2014-05-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142
Abstract: 一种基于MEMS的传感器的制作方法，通过在正面形成浅槽时就同时形成支撑质量块的支撑梁，由于刻蚀浅槽相较于刻蚀深槽更容易控制、工艺精准度更高，使得形成的支撑梁相较于传统的在背面形成深槽时形成的支撑梁一致性和均匀性更好，同时也节约了工艺时间和刻蚀原料。
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公开(公告)号：CN103693612A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210368330.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158
Abstract: 本发明涉及一种硅膜的制备方法，该方法包括下述步骤：在硅片的正反两面分别淀积钝化层的钝化层形成步骤；在正面钝化层上淀积多晶硅作为外延的种子层的种子层形成步骤；在上述种子层上外延生长多晶硅以形成外延层的外延层形成步骤；以及在背面钝化层上形成腐蚀窗口并且利用腐蚀液对硅片背面通过所述腐蚀窗口开始腐蚀直到停止在上述正面钝化层的腐蚀步骤。利用本发明能够制备片内均匀性一致、可精确控制厚度的硅膜。
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公开(公告)号：CN103681233A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210325243.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00531 , B81C1/00055 , B81C1/00619
Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。
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