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公开(公告)号:CN101877305A
公开(公告)日:2010-11-03
申请号:CN201010168158.1
申请日:2006-04-18
申请人: 株式会社荏原制作所
CPC分类号: H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要: 一种基底抛光方法,包括:在抛光单元中抛光基底边缘部分;以及在所述抛光前和/或所述抛光后,在测量单元中测量基底边缘部分,其中,测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动,以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn),从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。
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公开(公告)号:CN100585812C
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200680000414.8
申请日:2006-04-18
申请人: 株式会社荏原制作所
IPC分类号: H01L21/304 , B24B9/00
CPC分类号: B24B21/16 , B24B9/065 , H01L21/67046 , H01L21/67092 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67766 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L21/68792
摘要: 一种基板处理设备(1)具有第一抛光单元(400A)和第二抛光单元(400B),用于抛光基板的外围部分。两个抛光单元(400A,400B)中的每一个都包括用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置(450A,450B)和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置(480A,480B)。基板处理设备(1)具有在两个抛光单元(400A,400B)之间形成的维护空间(7)。两个抛光单元(400A,400B)中的斜边抛光装置(450A,450B)面对维护空间(7),以从维护空间(7)触及。
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公开(公告)号:CN1977361A
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN200680000420.3
申请日:2006-04-18
申请人: 株式会社荏原制作所
IPC分类号: H01L21/304 , B24B9/00
CPC分类号: H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要: 一种基底处理设备,包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A,70B),用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100),用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110),和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构,例如:直径测量机构,横截面形状测量机构,或者表面状态测量机构。
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公开(公告)号:CN1617955A
公开(公告)日:2005-05-18
申请号:CN02827689.2
申请日:2002-11-29
申请人: 株式会社荏原制作所
IPC分类号: C25F3/00 , B23H3/10 , H01L21/3063 , B01J49/00
摘要: 一种用于再生离子交换剂的方法与设备,该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂,并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括:提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极;以及将电压加到该再生电极与该反电极之间,与此同时,将液体供应到该隔板与该再生电极之间,而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。
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公开(公告)号:CN1380447A
公开(公告)日:2002-11-20
申请号:CN02102704.8
申请日:2002-01-23
IPC分类号: C25F1/02
摘要: 一种电化学加工设备,包括:一个加工室,用来容纳超纯净水;一个阴极/阳极,浸在加工室内的超纯净水中;以及一个工件保持器,用来将工件保持在距离阴极/阳极的一个预定距离上,使工件的加工表面与超纯净水相接触。这种电化学加工设备还包括:一个阳极/阴极接触面,与被工件保持器所保持的工件相接触,从而,工件起阳极/阴极的作用;一种催化剂,具有强碱性阴离子交换功能或强酸性阳离子交换功能;一个电源,用来在阴极/阳极与工件之间施加一个电压;以及一个运动机构,用来使工件和催化剂实现相对运动。催化剂是设置在阴极/阳极与被工件保持器所保持的工件之间。
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公开(公告)号:CN101877305B
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN201010168158.1
申请日:2006-04-18
申请人: 株式会社荏原制作所
CPC分类号: H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要: 一种基底抛光方法,包括:在抛光单元中抛光基底边缘部分;以及在所述抛光前和/或所述抛光后,在测量单元中测量基底边缘部分,其中,测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动,以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn),从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。
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公开(公告)号:CN101733696A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200910225171.3
申请日:2006-04-18
申请人: 株式会社荏原制作所
CPC分类号: B24B21/16 , B24B9/065 , H01L21/67046 , H01L21/67092 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67766 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L21/68792
摘要: 本发明公开了基板抛光方法及处理方法。在一种基板抛光方法中包括:通过移动机构将基板移动到用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置中的一个上;利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的一个,第一次抛光基板的外围部分或基板的凹口;在第一次抛光之后仅将纯水供应到基板上,以形成覆盖基板表面的水膜;在水膜形成于基板表面上的情况下,通过移动机构将基板移动到斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个上;和利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个,第二次抛光基板的外围部分或基板凹口。
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公开(公告)号:CN100343946C
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN02816766.X
申请日:2002-09-03
申请人: 株式会社荏原制作所
IPC分类号: H01L21/00
CPC分类号: H01L21/6708 , H01L21/67051
摘要: 本发明涉及一种基片处理装置,包括一个用于支撑基片并使之转动的卡盘组件,一个其中放置有卡盘组件的可关闭的腔体,以及一个向腔体引入一种气体的气体引入装置。该基片处理装置还包括一个蚀刻部件,该蚀刻部件在卡盘组件使基片转动的同时蚀刻并清洁基片的周边部分,以及一个向蚀刻部件提供第一种液体的第一供给管道。
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公开(公告)号:CN101006562A
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200680000414.8
申请日:2006-04-18
申请人: 株式会社荏原制作所
IPC分类号: H01L21/304 , B24B9/00
CPC分类号: B24B21/16 , B24B9/065 , H01L21/67046 , H01L21/67092 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67766 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L21/68792
摘要: 一种基板处理设备(1)具有第一抛光单元(400A)和第二抛光单元(400B),用于抛光基板的外围部分。两个抛光单元(400A,400B)中的每一个都包括用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置(450A,450B)和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置(480A,480B)。基板处理设备(1)具有在两个抛光单元(400A,400B)之间形成的维护空间(7)。两个抛光单元(400A,400B)中的斜边抛光装置(450A,450B)面对维护空间(7),以从维护空间(7)触及。
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公开(公告)号:CN1313648C
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN02102704.8
申请日:2002-01-23
摘要: 一种电化学加工设备,包括:一个加工室,用来容纳超纯净水;一个阴极/阳极,浸在加工室内的超纯净水中;以及一个工件保持器,用来将工件保持在距离阴极/阳极的一个预定距离上,使工件的加工表面与超纯净水相接触。这种电化学加工设备还包括:一个阳极/阴极接触面,与被工件保持器所保持的工件相接触,从而,工件起阳极/阴极的作用;一种催化剂,具有强碱性阴离子交换功能或强酸性阳离子交换功能;一个电源,用来在阴极/阳极与工件之间施加一个电压;以及一个运动机构,用来使工件和催化剂实现相对运动。催化剂是设置在阴极/阳极与被工件保持器所保持的工件之间。
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