公开(公告)号：CN102941530A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210400827.2

申请日：2008-12-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  关正也 ,  草宏明 ,  山口健二 ,  中西正行

IPC: B24B37/04 ,  B24B21/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  B24B21/004 ,  B24B21/008 ,  B24B21/20 ,  B24B27/0076 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  B24B41/068 ,  B24B49/00 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明提供一种用于抛光基片的外周的抛光装置。该抛光装置包括配置成水平地保持基片并转动基片的旋转保持机构、设置在基片周围的多个抛光头组件、配置成将抛光带供给到多个抛光头组件并从多个抛光头组件收回抛光带的多个带供给与收回机构、以及配置成沿旋转保持机构保持的基片的径向方向移动多个抛光头组件的多个移动机构。所述带供给与收回机构沿着基片径向方向设置在多个抛光头组件的外侧，且所述带供给与收回机构被固定在位。

公开(公告)号：CN101877305A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010168158.1

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

Abstract: 一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。

公开(公告)号：CN100585812C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200680000414.8

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B21/16 ,  B24B9/065 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68792

Abstract: 一种基板处理设备(1)具有第一抛光单元(400A)和第二抛光单元(400B)，用于抛光基板的外围部分。两个抛光单元(400A，400B)中的每一个都包括用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置(450A，450B)和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置(480A，480B)。基板处理设备(1)具有在两个抛光单元(400A，400B)之间形成的维护空间(7)。两个抛光单元(400A，400B)中的斜边抛光装置(450A，450B)面对维护空间(7)，以从维护空间(7)触及。

公开(公告)号：CN100419968C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200380110641.2

申请日：2003-10-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 斋藤孝行 ,  铃木作 ,  山田薰 ,  伊藤贤也 ,  龟泽正之 ,  山口健二

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02087 ,  B08B3/02 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，适合应用于对形成在基板的边缘部的薄膜进行腐蚀的腐蚀装置等，还适合应用于在腐蚀处理后对基板进行清洗处理的清洗装置等。用于进行腐蚀的基板处理装置，具有：基板保持部(11)，使基板(W)保持大致水平并旋转；以及处理液供给部(15)，在旋转的基板(W)的边缘部以处理液相对于基板(W)静止的方式供给该处理液。此外，对基板进行清洗的基板处理装置，具有：基板保持部(54)，使基板W保持大致水平并旋转；以及清洗液供给部(53)，从基板(W)中心朝向边缘部、且与基板(W)的表面成45。以下的仰角开口设置清洗液喷出(53a)，以0.1m/s以上的流速向基板(W)的表面供给清洗液(L)。

公开(公告)号：CN1977361A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200680000420.3

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

Abstract: 一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构，例如：直径测量机构，横截面形状测量机构，或者表面状态测量机构。

公开(公告)号：CN102941522A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210398644.1

申请日：2008-12-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  关正也 ,  草宏明 ,  山口健二 ,  中西正行

IPC: B24B21/00 ,  B24B21/18 ,  B24B21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  B24B21/004 ,  B24B21/008 ,  B24B21/20 ,  B24B27/0076 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  B24B41/068 ,  B24B49/00 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明提供一种用于抛光基片的外周的抛光装置。该抛光装置包括配置成水平地保持基片并转动基片的旋转保持机构、设置在基片周围的多个抛光头组件、配置成将抛光带供给到多个抛光头组件并从多个抛光头组件收回抛光带的多个带供给与收回机构、以及配置成沿旋转保持机构保持的基片的径向方向移动多个抛光头组件的多个移动机构。所述带供给与收回机构沿着基片径向方向设置在多个抛光头组件的外侧，且所述带供给与收回机构被固定在位。

公开(公告)号：CN100429752C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200580003567.3

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 本乡明久 ,  伊藤贤也 ,  山口健二 ,  中西正行

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B37/02 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002

Abstract: 本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置用于消除衬底的外围部分处产生的表面粗糙度，或者用于去除形成于衬底的外围部分上的膜。所述抛光装置包括：外壳(3)，其用于在其中形成抛光室(2)；旋转台(1)，其用于保持和旋转衬底(W)；抛光带供应机构(6)，其用于将抛光带(5)供应到抛光室(2)中并且收回已经供应至抛光室(2)的抛光带(5)；抛光头(35)，其用于将抛光带(5)压在衬底(W)的倾斜部分上；液体供应装置(50)，其用于将液体供应至衬底(W)的前表面和后表面上；以及调节机构(16)，其用于使抛光室(2)的内部压力被设置为低于抛光室(2)的外部压力。

公开(公告)号：CN101164148A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013140.6

申请日：2006-04-18

Applicant: 日本微涂料株式会社 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  伊藤贤也 ,  白樫充彦 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  关正也 ,  佐藤觉 ,  渡边淳 ,  加藤健二 ,  田村淳 ,  浅川荘一

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B9/065 ,  B24B21/16

Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。

公开(公告)号：CN1977361B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200680000420.3

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

Abstract: 一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构，例如：直径测量机构，横截面形状测量机构，或者表面状态测量机构。

公开(公告)号：CN1914711A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003567.3

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 本乡明久 ,  伊藤贤也 ,  山口健二 ,  中西正行

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B37/02 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002

Abstract: 本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置用于消除衬底的外围部分处产生的表面粗糙度，或者用于去除形成于衬底的外围部分上的膜。所述抛光装置包括：外壳(3)，其用于在其中形成抛光室(2)；旋转台(1)，其用于保持和旋转衬底(W)；抛光带供应机构(6)，其用于将抛光带(5)供应到抛光室(2)中并且收回已经供应至抛光室(2)的抛光带(5)；抛光头(35)，其用于将抛光带(5)压在衬底(W)的倾斜部分上；液体供应装置(50)，其用于将液体供应至衬底(W)的前表面和后表面上；以及调节机构(16)，其用于使抛光室(2)的内部压力被设置为低于抛光室(2)的外部压力。