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公开(公告)号：CN101164148A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013140.6
申请日：2006-04-18
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
摘要： 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号：CN1977361B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200680000420.3
申请日：2006-04-18
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
CPC分类号： H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要： 一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构，例如：直径测量机构，横截面形状测量机构，或者表面状态测量机构。
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公开(公告)号：CN101877305B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010168158.1
申请日：2006-04-18
申请人： 株式会社荏原制作所
CPC分类号： H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要： 一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。
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公开(公告)号：CN101733696A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910225171.3
申请日：2006-04-18
申请人： 株式会社荏原制作所
CPC分类号： B24B21/16 , B24B9/065 , H01L21/67046 , H01L21/67092 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67766 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L21/68792
摘要： 本发明公开了基板抛光方法及处理方法。在一种基板抛光方法中包括：通过移动机构将基板移动到用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置中的一个上；利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的一个，第一次抛光基板的外围部分或基板的凹口；在第一次抛光之后仅将纯水供应到基板上，以形成覆盖基板表面的水膜；在水膜形成于基板表面上的情况下，通过移动机构将基板移动到斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个上；和利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个，第二次抛光基板的外围部分或基板凹口。
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公开(公告)号：CN100550314C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680013140.6
申请日：2006-04-18
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
摘要： 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号：CN101006562A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200680000414.8
申请日：2006-04-18
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
CPC分类号： B24B21/16 , B24B9/065 , H01L21/67046 , H01L21/67092 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67766 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L21/68792
摘要： 一种基板处理设备(1)具有第一抛光单元(400A)和第二抛光单元(400B)，用于抛光基板的外围部分。两个抛光单元(400A，400B)中的每一个都包括用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置(450A，450B)和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置(480A，480B)。基板处理设备(1)具有在两个抛光单元(400A，400B)之间形成的维护空间(7)。两个抛光单元(400A，400B)中的斜边抛光装置(450A，450B)面对维护空间(7)，以从维护空间(7)触及。
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公开(公告)号：CN101877305A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010168158.1
申请日：2006-04-18
申请人： 株式会社荏原制作所
CPC分类号： H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要： 一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。
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公开(公告)号：CN100585812C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200680000414.8
申请日：2006-04-18
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
CPC分类号： B24B21/16 , B24B9/065 , H01L21/67046 , H01L21/67092 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67766 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L21/68792
摘要： 一种基板处理设备(1)具有第一抛光单元(400A)和第二抛光单元(400B)，用于抛光基板的外围部分。两个抛光单元(400A，400B)中的每一个都包括用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置(450A，450B)和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置(480A，480B)。基板处理设备(1)具有在两个抛光单元(400A，400B)之间形成的维护空间(7)。两个抛光单元(400A，400B)中的斜边抛光装置(450A，450B)面对维护空间(7)，以从维护空间(7)触及。
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公开(公告)号：CN1977361A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200680000420.3
申请日：2006-04-18
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
CPC分类号： H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要： 一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构，例如：直径测量机构，横截面形状测量机构，或者表面状态测量机构。
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