公开(公告)号：CN101416290A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET 110，其包括：由InyGa1－yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1－xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NA×η×t[cm－2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN1961412A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017592.7

申请日：2005-03-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 黑田尚孝 ,  田能村昌宏 ,  黑泽直人

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/737 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L23/367 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/66318 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件(1)中，在半导体衬底(10)上一维交替地布置多个HBT(20)和多个二极管(30)。二极管(30)的阳极电极(36)通过公共发射极布线(42)连接到HBT(20)的发射电极(27)。二极管(30)用作从发射电极(27)将通过公共发射极布线(42)传输的热量散逸到半导体衬底(10)的散热装置，并且用作HBT(20)的发射极和集电极之间并联连接的保护二极管。

公开(公告)号：CN1378238A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN02107886.6

申请日：2002-03-26

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 柴田真佐知 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 在初始基片上沉积一层金属膜,初始基片可以是单晶蓝宝石基片、带有生长在蓝宝石基片上的单晶GaN膜的基片或单晶半导体基片中的任何一种。然后在金属膜上沉积一层GaN膜以形成层状基片。由于采用了以上这种结构,在生长了GaN膜之后,GaN膜可以很容易地和初始基片分开,并且,能够用简单的方式生产出来低缺陷浓度和没有被杂质严重污染的GaN晶体基片。