公开(公告)号：CN106409897B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201610617751.7

申请日：2016-07-29

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 岩崎真也 ,  龟山悟 ,  药师川裕贵

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置在具有沟槽电极、势垒区、柱区的二极管中抑制了上部电极层的裂纹。在半导体装置中，在层间绝缘膜上形成有第一接触孔和宽度较窄的第二接触孔。在第二接触孔内配置有接触插头。跨及层间绝缘膜上、接触插头上以及第一接触孔内而配置有上部电极层。保护绝缘膜被配置在元件外部区域上。保护绝缘膜的在与沟槽交叉的方向上延伸的端部穿过多个第二接触孔的上部而延伸。阳极区与第一金属层(接触插头)相接。柱区与第一接触孔内的上部电极层相接。

公开(公告)号：CN107845678A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710850954.5

申请日：2017-09-20

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  P.C.布兰特 ,  J.G.拉文

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/0638 ,  H01L21/221 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/7804

摘要： 本发明公开功率半导体器件的二极管结构。一种功率半导体器件，包括耦合到第一负载端子和第二负载端子中的每一个的半导体主体。半导体主体包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区；至少一个二极管结构，其配置成在所述端子之间传导负载电流并且包括电气连接到第一负载端子的阳极端口和电气连接到第二负载端子的阴极端口；具有以比漂移区更高的掺杂剂浓度的第一导电类型的掺杂剂的场停止区，其中场停止区布置在阴极端口与漂移区之间。阴极端口包括具有第一导电类型的掺杂剂的第一端口部分和具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂的第二端口部分，第二端口部分中的每一个与场停止区之间的过渡形成相应pn结，所述pn结沿第一横向方向延伸。

公开(公告)号：CN106373995A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610566847.5

申请日：2016-07-18

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  H·许斯肯 ,  F-J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  R·罗思 ,  C·P·桑道 ,  C·沙菲尔 ,  S·福斯

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7813

摘要： 涉及具有减小的带隙区的半导体器件，包括：源极区域，电连接至第一负载端子；漂移区域，含第一带隙的第一半导体材料，具有第一导电类型的掺杂物且承载第一负载端子与第二负载端子之间的负载电流的至少部分。还包括半导体本体区域，其具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物且电连接至第一负载端子，本体区域和漂移区域之间的过渡形成pn结，pn结阻挡施加在第一与第二负载端子之间的电压。本体区域隔离源极区域与漂移区域并含减小的带隙区，该带隙区包括小于第一带隙的第二带隙的第二半导体材料，布置在本体区域中使得与源极区域在沿垂直方向的截面中呈现沿第一横向方向的公共横向延伸范围和沿垂直方向的公共垂直延伸范围中的至少一个。

公开(公告)号：CN103918078B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201180074741.9

申请日：2011-11-09

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 龟山悟

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其在同一半导体基板上形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区。在该半导体装置中，二极管区具备第二导电型的阴极层。阴极层的第二导电型的杂质浓度分布成至少具有两个以上的峰值的曲线状，在阴极层的任意深度，第二导电型的杂质浓度均高于第一导电型的杂质浓度。

公开(公告)号：CN105900221A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201580004293.3

申请日：2015-02-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 滨田宪治 ,  三浦成久

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/063 ,  H01L21/046 ,  H01L21/26506 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明提供一种半导体装置，具有在碳化硅半导体区域中形成的IGBT以及FWD，其中，IGBT具备在碳化硅半导体区域的一个主面侧形成的发射极电极、基极区域、发射极区域、在碳化硅半导体区域的一个主面侧形成的集电极区域、集电极电极、与碳化硅半导体区域、发射极区域和基极区域相接的栅极绝缘膜以及与栅极绝缘膜对置的栅电极，FWD具备：基极接触区域，与发射极区域邻接，与发射极电极电连接；以及阴极区域，配设于碳化硅半导体区域的另一个主面侧的上层部，与集电极区域邻接地设置，与集电极电极电连接，IGBT还具备载流子陷阱减少区域，该载流子陷阱减少区域配设于集电极区域的上方的碳化硅半导体区域内的主电流的通电区域，载流子陷阱少于阴极区域的上方的碳化硅半导体区域内的载流子陷阱。

公开(公告)号：CN105258817A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510559426.5

申请日：2015-07-10

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·基普 ,  H·吕廷格 ,  F·沃尔特

IPC分类号： G01K7/01

CPC分类号： G01K7/01 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0664

摘要： 公开了用于分立半导体器件的集成温度传感器。一种半导体管芯，包括分立半导体器件和至少一个二极管。通过在第一测试条件下测量至少一个二极管的第一正向电压降、在第二测试条件下测量至少一个二极管的第二正向电压降、并且基于第一正向电压降测量和第二正向电压降测量之间的差异估计分立半导体器件的温度，来确定该分立半导体器件的温度。

公开(公告)号：CN102473705B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080034016.4

申请日：2010-06-28

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 齐藤顺 ,  青井佐智子 ,  杉山隆英

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种半导体装置。在半导体装置的半导体层中形成有二极管区和IGBT区。在半导体层中形成有寿命控制区。寿命控制区具有在俯视观察时位于二极管区中的第一寿命控制区、和位于IGBT区的一部分中的第二寿命控制区。该第二寿命控制区从二极管区和IGBT区的边界起朝向IGBT区内延伸。第二寿命控制区的前端在俯视观察时位于IGBT区中的体区的形成范围内。

公开(公告)号：CN104054179A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380006534.9

申请日：2013-01-23

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 木村圭佑 ,  龟山悟 ,  小山雅纪 ,  青井佐智子

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

摘要： 半导体装置的半导体基板在从上方观看时，隔离区、IGBT区和二极管区都彼此相邻地形成。连接至主体区和阳极区的深区形成在隔离区中。在半导体基板内跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成了漂移区。跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成的集电极区，以及位于二极管区中的阴极区形成在暴露于半导体基板下表面上的区域中。集电极区与阴极区之间的边界位于二极管区中，处在切过隔离区与二极管区之间的边界、将所述隔离区与所述二极管区切分的剖面内。形成在隔离区中的集电极区具有比IGBT区中的集电极区更高浓度的掺杂杂质。

公开(公告)号：CN103972282A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043930.5

申请日：2014-01-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布斯克 ,  C.耶格 ,  J.拉文 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/04 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及反向阻断半导体器件和制造反向阻断半导体器件的方法。一种反向阻断半导体器件包括第一导电类型的基极区域和第二、互补导电类型的本体区域，其中基极区域和本体区域形成pn结。在基极区域和集电极之间布置包括第二导电类型的发射极区和至少一个第一导电类型的沟道的发射极层。沟道延伸通过在基极区域和集电极之间的发射极层并且在正向阻断状态中减小泄漏电流。

公开(公告)号：CN102034817B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201010254534.9

申请日：2010-08-11

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 森睦宏

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明提供一种半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。现有技术存在的问题是，电力变换装置中使用的使用现有的pn结的续流二极管，由于将使用寿命控制得较短，因此正向电压大且导通损耗大。另外，在反向恢复时反向恢复电流大且开关损耗大，电力变换装置的损耗大。本发明在正向电流流动时，使电流在正向电压小的pn二极管中流动，而在反向恢复时在反向恢复电流小的肖特基二极管中进行反向恢复。另外，本发明具有pn二极管与肖特基二极管的切换单元。由于降低了续流二极管的正向电压并且减小了反向恢复损耗，因此可以提供损耗小的半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。