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公开(公告)号：CN104743515B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410806745.7
申请日：2014-12-22
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B11/06
Abstract: 提供一种以高收率制造氯酸、氯化钠等的杂质含量少的次氯酸钠水溶液的方法。本发明的低盐次氯酸钠水溶液的制造方法，其特征在于，包括：工序(1)，该工序将30～60质量％的氢氧化钠水溶液供给到反应槽中；工序(2)，该工序向供给到该反应槽中的氢氧化钠水溶液导入氯气，在20℃～50℃的反应温度进行氯化反应；和工序(3)，该工序通过将在工序(2)中析出的副产氯化钠从反应液中分离并除去而得到次氯酸钠水溶液，工序(2)，在以每单位体积的搅拌所需功率为0.1～15kW/m3、且搅拌所需功率准数Np与循环流量准数Nq的比(Np/Nq)为0.5～8的条件搅拌的同时进行。
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公开(公告)号：CN107848798A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041777.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 谷本阳祐
Abstract: 本发明提供能够以简便的设备高效制造氯化氢的氯化氢制造方法，包括以下工序：将pH值为3以上5以下的无机氯化物水溶液电解而获得氯气和氢气的电解工序，使所述电解工序得到的氯气和氢气、以氢气相对于氯气的摩尔比为过剩量在1000℃以上1500℃以下反应而获得粗氯化氢的反应工序，将所述反应工序得到的粗氯化氢脱水的脱水工序，以及将所述脱水工序得到的、被脱水了的粗氯化氢压缩从而液化，并且将该液状的粗氯化氢通过蒸馏进行纯化的蒸馏工序。
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公开(公告)号：CN104743515A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410806745.7
申请日：2014-12-22
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B11/06
Abstract: 提供一种以高收率制造氯酸、氯化钠等的杂质含量少的次氯酸钠水溶液的方法。本发明的低盐次氯酸钠水溶液的制造方法，其特征在于，包括：工序(1)，该工序将30～60质量％的氢氧化钠水溶液供给到反应槽中；工序(2)，该工序向供给到该反应槽中的氢氧化钠水溶液导入氯气，在20℃～50℃的反应温度进行氯化反应；和工序(3)，该工序通过将在工序(2)中析出的副产氯化钠从反应液中分离并除去而得到次氯酸钠水溶液，工序(2)，在以每单位体积的搅拌所需功率为0.1～15kW/m3、且搅拌所需功率准数Np与循环流量准数Nq的比(Np/Nq)为0.5～8的条件搅拌的同时进行。
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公开(公告)号：CN104743513A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410806200.6
申请日：2014-12-22
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B11/06
Abstract: 提供以高收率制造低盐次氯酸钠水溶液的方法。本发明的低盐次氯酸钠水溶液的制造方法，其特征在于，包括：工序(1)，该工序将30～60质量％的氢氧化钠水溶液供给到反应槽中；工序(2)，该工序向供给到该反应槽中的氢氧化钠水溶液导入用惰性气体稀释了的氯气，在20℃～50℃的反应温度进行氯化反应；和工序(3)，该工序通过将在所述工序(2)中析出的副产氯化钠从反应液中分离并除去而得到次氯酸钠水溶液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108541278B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201680076085.9
申请日：2016-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种SiC单晶生长炉的清理方法，是使用气体对SiC单晶生长炉进行清理的方法，所述SiC单晶生长炉具备至少表面由3C－SiC多晶体构成的腔室内基材，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为85％以上且100％以下，在所述清理方法中，使混合气体以非等离子体状态在所述SiC单晶生长炉内流通，来选择性地除去堆积于该SiC单晶生长炉内的SiC堆积物，所述混合气体是惰性气体和空气中的至少一方与氟气的混合气体，所述混合气体由1体积％以上且20体积％以下的氟气和80体积％以上且99体积％以下的惰性气体组成，SiC单晶生长炉内的温度为200℃以上且500℃以下。
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公开(公告)号：CN113840941A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080036949.0
申请日：2020-11-24
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 谷本阳祐
Abstract: 提供一种钝化膜的制造方法，其能够再现性良好地制造氧原子的浓度低的钝化膜。采用具备钝化工序的方法制造钝化膜，在该钝化工序中，利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体，对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理，在基板的表面上形成含有硫原子的钝化膜，该含氧化合物是在分子中具有氧原子的化合物。钝化气体中的含氧化合物的浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。
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公开(公告)号：CN113261081A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980085403.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/314
Abstract: 提供能够在不拆解腔室的状态下将附着在腔室的内表面或者与腔室连接的配管的内表面的含硫的附着物除去的附着物除去方法和成膜方法。使附着在腔室(10)的内表面以及与腔室(10)连接的排气用配管(15)的内表面中的至少一者的含硫的附着物，与含有含氟化合物气体的清洁气体反应，由此将该附着物除去。
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