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公开(公告)号：CN100517573C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580018635.3
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/0276
Abstract: 一种掺入杂质的方法包括：通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体，以形成杂质掺入区域的步骤；在该固态基体上形成起着降低光反射的功能的抗光反射膜的步骤；测量杂质掺入区域的光学特性和厚度的步骤；基于所述测量的光学特性和厚度选择所述抗光反射层的步骤；以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。
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公开(公告)号：CN100468602C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200410057670.3
申请日：2004-08-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/12 , C09K11/025 , C09K11/7734 , H01J11/42
Abstract: 本发明提供一种新型的PDP及其制造方法，利用例如氟化物的物理蒸镀，按照包覆荧光体微粒(7)的方式形成含氟预涂层，并向该预涂层供给氟，从而形成包覆荧光体微粒(7)的包覆层(8)。将所得到的带包覆层(8)的荧光体微粒(7)形成糊剂状，并涂布在位于基板(1)上的邻接的棱(4)之间，形成荧光体层(5)，制造PDP。根据本发明的PDP制造方法，能够实现对湿气、氧、等离子体等周围环境具有高的耐受性、特别是耐水性、和高的紫外线透射性的含氟包覆层。能够得到亮度高且亮度劣化小的PDP。
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公开(公告)号：CN101286448A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710127002.7
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN101160643A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012508.7
申请日：2006-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
Abstract: 本发明提供了一种等离子体掺入方法，即使在等离子体处理重复时，每次可以实现从膜到硅基板的相同剂量。在该等离子体掺入方法中，样品安装在真空容器内的样品电极上，且等离子体在真空容器内产生以允许等离子体内的杂质离子碰撞到样品表面且因此在样品表面上形成杂质掺入层。该等离子体掺入方法包括提供真空容器的维护步骤，该真空容器具有设有包含上述杂质的膜的内壁，该膜起作用使得由于等离子体中离子轰击固定于该真空容器内壁上的该包含杂质的膜通过溅射引入样品表面内的杂质的数量保持不变，即使当该包含杂质离子的等离子体在真空容器内重复产生时；将该样品安装于样品电极上的步骤；以及施加该包含杂质离子的等离子体从而将杂质离子注入该样品，以及通过溅射固定到该真空容器内壁的包含杂质的膜而将该杂质引入样品的步骤。
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公开(公告)号：CN100373549C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03160202.9
申请日：2003-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明的掺杂装置具有其中限定有室的真空容器。该容器具有由电介质材料制成的一个半圆形穹顶部分，该部分具有将被掺杂在基片中的杂质，基片设在室中。所述装置还包括：等离子体源，其通过形成穿过容器的所述部分的电场来在室中产生等离子体，使等离子体中的离子撞击容器的所述部分，以将杂质从容器的所述部分中取出并进入到室中，其中，所述等离子体源具有围在半圆形穹顶部分周围的线圈或天线以及第一功率源，所述第一功率源用来向线圈或天线的一端施加高频功率，从而在室中产生等离子体；磁性线圈，其设置在线圈或天线的周围，用来产生通过半圆形穹顶部分并朝向基片的磁场；以及第二功率源，其与磁性线圈电气连接，以向磁性线圈施加电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101090053A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710109959.9
申请日：2007-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/12 , H01J9/242 , H01J11/36 , H01J2211/361 , Y10T428/1059
Abstract: 一种用简单的方法来控制交叉的隔壁的高度的偏差，不产生放电单元间的串扰的等离子体显示器面板(PDP)及其制造方法。凹部(122)设置在与烧制前的第1隔壁(120a)和与烧制前的第1隔壁(120a)正交的烧制前的第2隔壁(120b)的交叉部(121)相接的位置。形成这样的凹部(122)的话，交叉部(121)的体积当量的表面积和在交叉部(121)与该交叉部(121)邻接的交叉部之间的烧制前的第1隔壁(120a)和烧制前的第2隔壁(120b)的体积当量的表面积的值就会大体上相等。结果，烧制后交叉部(115)的高度不会变高，成为高度统一的隔壁，在放电单元间不会产生串扰。
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公开(公告)号：CN101086964A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710127001.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/263 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力，一边向等离子体源供给比在上述第2阶段的高频功率大的高频功率。
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公开(公告)号：CN1118090C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98800305.8
申请日：1998-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/321 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理方法及装置包括，边导入规定的气体边排气，在保持真空室(1)内规定的压力的同时，在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5)，通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力，使真空室(1)内产生等离子体，在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时，通过外皮，由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12)，在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间，设置隔热材料(13)，通过带有区域层加热器(22)的内室(16)，将真空室内加热到80℃以上。
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公开(公告)号：CN1102801C
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN98109290.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/205 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 等离子体处理方法包括：通过抽气真空室内部同时将气体输至真空室，控制真空室内部至规定压力；在真空室内部压力控制下，高频功率供给第一导体的一端，第一导体的另一端断开，成涡流型，第二导体的一端接地，另一端断开，成涡流型，从第一导体和第二导体辐射电磁波至真空室，在真空室产生等离子体，并处理位于真空室内电极上的基底。
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公开(公告)号：CN103125016B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280003093.2
申请日：2012-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。
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