公开(公告)号：CN101568951A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001272.6

申请日：2008-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  井上学

IPC: G09G3/28 ,  G09G3/20 ,  G09G3/288 ,  H04N5/66

CPC classification number: G09G3/294 ,  G09G3/2965

Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示面板驱动装置及等离子体显示器。该装置包括生成施加在等离子体显示面板的电极上的驱动脉冲的电极驱动部。电极驱动部具有多个开关，多个开关中的至少一个开关是使用了双栅极半导体元件(10)的开关元件。双栅极半导体元件(10)具有形成在衬底(11)上且由氮化物半导体或碳化硅构成的半导体形成的半导体层叠层体(13)、在半导体层叠层体(13)上相互保持间隔形成的源电极(16)与漏电极(17)、在源电极(16)与漏电极(17)之间从源电极(16)一侧开始依次形成的第一栅电极(18A)与第二栅电极(18B)。

公开(公告)号：CN102959686A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030056.6

申请日：2011-04-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 海原一裕 ,  石田秀俊 ,  上田哲三

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域(102A)上。在第一电极(131)上形成有与该第一电极(131)接触的第一电极布线(151)，在第二电极(132)上形成有与该第二电极(132)接触的第二电极布线(152)。形成有覆盖第一电极布线(151)和第二电极布线(152)的第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成有第一金属层(161)。第一金属层(161)隔着第二绝缘膜形成在有缘区域(102A)上，并与第一电极布线(151)连接。

公开(公告)号：CN101523614B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780038121.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101976684A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010273937.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN1320652C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410064104.5

申请日：2004-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1-xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1-y-zN(其中，0≤y≤1、0＜z≤1)构成的第二化合物层(103)、和在第二化合物层(103)上形成的栅电极(105)。栅电极(105)通过在覆盖第一层间绝缘膜(106)的第二层间绝缘膜(107)上形成的金属布线(109)，与在覆盖该栅电极(105)的第一层间绝缘膜(106)上形成的电阻元件(108)电连接。这样，可以同时实现导通电阻的减小和截止电容的减小，并且获得栅宽的最优设计值。

公开(公告)号：CN1585129A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410064104.5

申请日：2004-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1－xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1－y－zN（其中，0≤y≤1、0

公开(公告)号：CN1155061C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN98102876.4

申请日：1998-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  野间淳史 ,  上田大助

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C09K13/08

Abstract: 一种用于腐蚀钛材料和氧化硅中至少一种的腐蚀剂包括HCl、NH4F和H2O的混合液体。当该腐蚀剂具有小于1的NH4F/HCl克分子比时，只有钛材料被腐蚀。当该腐蚀剂具有大于1的NH4F/HCl克分子比时，只有氧化硅被腐蚀。当该腐蚀剂具有为1的NH4F/HCl克分子比时，钛材料和氧化硅被以相同的速率腐蚀。