公开(公告)号：CN103548127A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024242.3

申请日：2012-06-06

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 根来升 ,  梅田英和 ,  平下奈奈子 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

摘要： 本发明提供一种半导体装置，具备：基板(101)；载流子渡越层(103)，其由形成在基板上的III族氮化物半导体构成，使载流子在沿基板的主面的方向上渡越；势垒层(104)，其形成于载流子渡越层上，由带隙比第一III族氮化物半导体更大的第二III族氮化物半导体构成；和电极(106)，其形成于势垒层上。进而具备：帽层(105)，其形成在势垒层(104)上且形成于电极的侧方的区域，由单晶与多晶混合存在的第三III族氮化物半导体构成。

公开(公告)号：CN103392225A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201180068394.9

申请日：2011-07-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 梅田英和 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/0607 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

摘要： 氮化物半导体装置具有：半导体基板(101)和在半导体基板上形成的氮化物半导体层(102)。半导体基板(101)具有通常区域(101A)、载流子供给区域(101C)以及界面电流阻挡区域(101B)。界面电流阻挡区域包围通常区域以及载流子供给区域；界面电流阻挡区域与载流子供给区域分别含有杂质。载流子供给区域具有成为向在氮化物半导体层与半导体基板的界面形成的载流子层进行供给的载流子供给源且成为载流子的排出目的地的导电类型。界面电流阻挡区域具有针对载流子形成势垒的导电类型。

公开(公告)号：CN101373809A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810169915.X

申请日：2003-06-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 上田哲三 ,  油利正昭

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/14

摘要： 本发明公开了一种发光二极管元件，包括：半导体叠层膜，具有第一导电型的第一半导体层与第二导电型的第二半导体层；形成在所述半导体叠层膜的一个面上的第一电极；形成在所述半导体叠层膜的所述一个面的对面上的第二电极；形成为与所述第一电极或所述第二电极相接的金属膜；以及在所述半导体叠层膜与所述金属膜之间，所述半导体叠层膜与所述金属膜的周边部所形成的电流狭窄层。

公开(公告)号：CN101009324A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610165929.5

申请日：2006-12-11

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN1481054A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03152677.2

申请日：2003-08-05

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 小野泽和利 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/02252 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  G11B2007/0006 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明着眼于FSA法，是以在混合集成半导体激光元件阵列中，可通过自我调整来控制各半导体激光晶片的发光点间隔为目的的。半导体激光装置(100)，包括具有如由硅形成的，在其主面上相互保持一定间隔形成了第1凹槽部分(10a)及第2凹槽部分(10b)的衬底(10)。第1凹槽部分(10a)上，嵌入发射红外光的功能部件化了的第1半导体激光元件(11)，第2凹槽部分(10b)上，嵌入发射红色光的功能部件化了的第2半导体激光元件(12)。

公开(公告)号：CN103098189B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180043623.1

申请日：2011-04-19

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 木下雄介 ,  田村聪之 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

摘要： 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。

公开(公告)号：CN102484124B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN102822951A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065666.5

申请日：2010-08-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 泷泽俊幸 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明提供一种晶体管，其具有形成于基板(300)上的基底层(301)、和形成于基底层(301)上的由氮化物半导体构成的工作层(302)。基底层(301)是层叠有多个氮化物半导体层的层叠体。基底层(301)具有含有作为过渡金属的钴、镍、钌、锇、铑及铱中的至少1种的含过渡金属层。

公开(公告)号：CN102292801A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005230.7

申请日：2010-01-18

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 梅田英和 ,  引田正洋 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。

公开(公告)号：CN101926013A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980103286.3

申请日：2009-02-02

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 泷泽俊幸 ,  上田哲三 ,  薄田学

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L21/02433 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。