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公开(公告)号：CN100413103C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510088496.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层的铟组成X1，小于InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层的铟组成X2小于InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。
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公开(公告)号：CN101009352A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710008167.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。
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公开(公告)号：CN1734802A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510088496.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有InX1AlY1Ga1－X1－Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1－X2－Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。InX1AlY1Ga1－X1－Y1N势阱层的铟组成X1，小于InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。InX2AlY2Ga1－X2－Y2N势垒层的铟组成X2小于InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。
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公开(公告)号：CN105934833B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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公开(公告)号：CN105934833A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103797668A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280042684.0
申请日：2012-08-01
Applicant: 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3401 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0035 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/3402 , H01S2302/02
Abstract: 本发明的课题是制作一种减小了阈值电流密度(Jth)、提高了最高工作温度(Tmax)的量子级联激光元件。解决的手段是：在本发明的一个实施方式中，提供一种具有QCL结构(100)的THz-QCL元件(1000)，该QCL结构(100)为被一对电极(20、30)夹持的半导体超晶格结构(100A)。半导体超晶格结构(100A)(QCL结构100)具有活性区域(10)，该活性区域(10)例如通过在一对电极之间被施加了电压时的子带间的电子跃迁来发射THz波段的电磁波。该活性区域具有在厚度方向方向上重复设置的具有一定厚度的单位结构(10U)，该单位结构(10U)包括几个交替层叠的势阱层(10W)和势垒层(10B)，势阱层(10W)由作为AlAs和GaAs的混晶的AlxGa1-xAs(0
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公开(公告)号：CN1585144B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200410057832.3
申请日：2004-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。
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公开(公告)号：CN101258616B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n-型氮化物半导体层(3)；在n-型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p-型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n-型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
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公开(公告)号：CN100472825C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510004321.X
申请日：2005-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1-X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1-X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1-X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1-X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1-X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1-X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1-X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN102656711B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080039427.2
申请日：2010-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/12 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构及其制造方法，以及作为缓冲层具备由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构的氮化物半导体发光元件。本发明的氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石基板形成的单晶基板(1)的一个表面侧具有缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、发光层(4)和p型氮化物半导体层(5)的层叠结构。构成缓冲层(2)的氮化物半导体多层结构的特征在于，具备：形成于单晶基板(1)的上述一个表面上且由AlN形成的多个岛状的核(2a)，和以填埋相邻的核(2a)间的间隙且覆盖全部的核(2a)的方式形成于单晶基板(1)的上述一个表面侧的由AlN层形成的第1氮化物半导体层(2b)，和形成于第1氮化物半导体层(2b)上的由AlN层形成的第2氮化物半导体层(2c)，并且，核(2a)的密度不超过6×109个cm-2。
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