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公开(公告)号：CN107039874A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710062384.3
申请日：2017-02-03
申请人： 涩谷工业株式会社
IPC分类号： H01S1/02
CPC分类号： G02F1/3501 , G02F1/3532 , G02F1/39 , G02F2001/3503 , G02F2001/3507 , G02F2001/392 , G02F2201/302 , G02F2203/13 , H01S3/0092 , H01S2302/02 , H01S1/02
摘要： 本发明提供一种太拉赫兹光发生装置。具备被入射来自激光生成单元(2)的第1激光(L1)和第2激光(L2)发生太拉赫兹光(TH1)的第1非线性光学结晶(3)。激光生成单元具有通过被入射与第2激光相同的波长的激光发生包含多个波长的无效光(L1)的第2非线性光学结晶(7)，通过使从该第2非线性光学结晶发生的无效光作为第1激光(L1)入射到第1非线性光学结晶，从该第1非线性光学结晶发生包含多个波长的太拉赫兹光。根据需要，能够设置具有仅使包含多个波长的无效光中的特定的波长的无效光通过的光透射部的波长选择单元。能够得到输出大的包含多个波长的太拉赫兹光。另外，易于通过波长选择单元得到必要的特定的波长的太拉赫兹光。
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公开(公告)号：CN101083383B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710108180.5
申请日：2007-05-30
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01S5/227 , B82Y20/00 , H01S1/02 , H01S5/1046 , H01S5/12 , H01S5/3402 , H01S5/343 , H01S2302/02
摘要： 一种激光器装置，包括：具有增益的增益介质；用于传播电磁波的波导；以及由所述波导构成的谐振结构。增益介质沿着电磁波的传播方向延伸，并在其厚度方向上于顶面和底面处被夹在由负介电常数介质制成的第一覆层和第二覆层之间。增益介质配备有在和电磁波的传播方向以及厚度方向垂直的宽度方向上与其至少一个侧面相邻的横向结构。该横向结构包括正介电常数介质，该介质在其厚度方向于其顶面和底面处被夹在负介电常数介质之间。波导由增益介质、横向结构、第一覆层和第二覆层构成。
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公开(公告)号：CN106471687A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580011021.6
申请日：2015-02-24
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
CPC分类号： H01S5/18319 , H01S5/0014 , H01S5/0207 , H01S5/02453 , H01S5/02461 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/0428 , H01S5/105 , H01S5/18316 , H01S5/3086 , H01S5/309 , H01S5/3402 , H01S5/3419 , H01S2302/02
摘要： 本发明提供一种能够以与光电转换元件同样快的响应速度进行光的强弱切换的热辐射光源。热辐射光源(10)具备：二维光子晶体(12)，其在将由n型半导体形成的n层(112)、具有量子阱结构的量子阱结构层(114)以及由p型半导体形成的p层(111)依此序层叠而成的板材(11)内，周期性地配置有折射率与n层(112)、p层(111)及量子阱结构层(114)的折射率不同的异折射率区域(空孔(121))，使得与量子阱结构层(114)中的量子阱内的子带之间的跃迁能量对应的特定波长的光发生谐振；以及p型电极(131)和n型电极(112)侧为正的电压。(132)，其向板材(11)施加p层(111)侧为负、n层
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公开(公告)号：CN102790356A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210148481.1
申请日：2012-05-14
申请人： 佳能株式会社
发明人： 小山泰史
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/2018 , H01S5/3401 , H01S2302/02 , Y10T29/49016
摘要： 本公开涉及波导、包括波导的装置和波导的制造方法。提供一种能够抑制由于制造过程等在初始阶段或操作中在半导体中导致的应变和缺陷，以实现诸如振荡特性的特性的改善和稳定化的波导以及该波导的制造方法。波导包括：由相对于波导模式的电磁波介电常数的实部为负的负介电常数介质构成的第一导体层和第二导体层；和与第一导体层和第二导体层接触并被设置在其间并包含半导体部分的芯层。至少第一导体层具有沿面内方向延伸的特定的凹凸结构。
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公开(公告)号：CN102790355B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210148448.9
申请日：2012-05-14
申请人： 佳能株式会社
发明人： 小山泰史
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/1046 , B82Y20/00 , G02B6/10 , G02B6/1226 , H01S5/0425 , H01S5/1228 , H01S5/3214 , H01S5/3402 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2302/02
摘要： 提供一种波导、包括该波导的装置及制造该波导的方法，使用该波导抑制了在初始阶段中或在操作期间在半导体中引起的或由制造工艺等引起的应力和缺陷，从而预期有特性的改进和稳定性。该波导包括：第一导体层和第二导体层，其包括相对于波导模式下的电磁波具有负介电常数实部的负介电常数介质；以及核心层，其与第一导体层和第二导体层接触，并且被放置在第一导体层与第二导体层之间，并且包括半导体部分。包括半导体部分的核心层具有在面内方向上延伸的凹入凸出结构。
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公开(公告)号：CN101471535B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810188617.5
申请日：2008-12-25
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/1046 , H01S5/3402 , H01S2302/02 , Y10S977/951
摘要： 一种激光器器件，其具有：增益介质；第一和第二包层，用于在厚度方向上将增益介质夹在中间；和腔结构，用于使得在所述增益介质中所生成的电磁波进行谐振。所述增益介质包括：多个活性区，用于生成电磁波；和被夹在所述活性区之中的至少一个连接区。所述第一和第二包层各自由负介电常数介质形成，所述负介电常数介质具有实部相对于所述电磁波为负的介电常数。电位调整部分被布置在所述连接区与所述第一包层之间以及所述连接区与所述第二包层之间，以用于调整所述连接区的电位。
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公开(公告)号：CN101083383A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710108180.5
申请日：2007-05-30
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01S5/227 , B82Y20/00 , H01S1/02 , H01S5/1046 , H01S5/12 , H01S5/3402 , H01S5/343 , H01S2302/02
摘要： 一种激光器装置，包括：具有增益的增益介质；用于传播电磁波的波导；以及由所述波导构成的谐振结构。增益介质沿着电磁波的传播方向延伸，并在其厚度方向上于顶面和底面处被夹在由负介电常数介质制成的第一覆层和第二覆层之间。增益介质配备有在和电磁波的传播方向以及厚度方向垂直的宽度方向上与其至少一个侧面相邻的横向结构。该横向结构包括正介电常数介质，该介质在其厚度方向于其顶面和底面处被夹在负介电常数介质之间。波导由增益介质、横向结构、第一覆层和第二覆层构成。
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公开(公告)号：CN104134931A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410393773.0
申请日：2012-05-14
申请人： 佳能株式会社
发明人： 小山泰史
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/1046 , B82Y20/00 , G02B6/10 , G02B6/1226 , H01S5/0425 , H01S5/1228 , H01S5/3214 , H01S5/3402 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2302/02
摘要： 提供一种波导、包括该波导的装置及制造该波导的方法，使用该波导抑制了在初始阶段中或在操作期间在半导体中引起的或由制造工艺等引起的应力和缺陷，从而预期有特性的改进和稳定性。该波导包括：第一导体层和第二导体层，其包括相对于波导模式下的电磁波具有负介电常数实部的负介电常数介质；以及核心层，其与第一导体层和第二导体层接触，并且被放置在第一导体层与第二导体层之间，并且包括半导体部分。包括半导体部分的核心层具有在面内方向上延伸的凹入凸出结构。
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公开(公告)号：CN102790355A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210148448.9
申请日：2012-05-14
申请人： 佳能株式会社
发明人： 小山泰史
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/1046 , B82Y20/00 , G02B6/10 , G02B6/1226 , H01S5/0425 , H01S5/1228 , H01S5/3214 , H01S5/3402 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2302/02
摘要： 提供一种波导、包括该波导的装置及制造该波导的方法，使用该波导抑制了在初始阶段中或在操作期间在半导体中引起的或由制造工艺等引起的应力和缺陷，从而预期有特性的改进和稳定性。该波导包括：第一导体层和第二导体层，其包括相对于波导模式下的电磁波具有负介电常数实部的负介电常数介质；以及核心层，其与第一导体层和第二导体层接触，并且被放置在第一导体层与第二导体层之间，并且包括半导体部分。包括半导体部分的核心层具有在面内方向上延伸的凹入凸出结构。
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公开(公告)号：CN101471535A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188617.5
申请日：2008-12-25
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/1046 , H01S5/3402 , H01S2302/02 , Y10S977/951
摘要： 一种激光器器件，其具有：增益介质；第一和第二包层，用于在厚度方向上将增益介质夹在中间；和腔结构，用于使得在所述增益介质中所生成的电磁波进行谐振。所述增益介质包括：多个活性区，用于生成电磁波；和被夹在所述活性区之中的至少一个连接区。所述第一和第二包层各自由负介电常数介质形成，所述负介电常数介质具有实部相对于所述电磁波为负的介电常数。电位调整部分被布置在所述连接区与所述第一包层之间以及所述连接区与所述第二包层之间，以用于调整所述连接区的电位。
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