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公开(公告)号：CN103839979A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1-xN（0
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公开(公告)号：CN102169931B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010275583.0
申请日：2010-09-08
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。
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公开(公告)号：CN103682009B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310331650.X
申请日：2013-08-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体晶片包括：硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体。所述缓冲部包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层（n是4或更大的整数）。所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层（i是1或更大且小于n的整数）具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi。在所述第i缓冲层上设置的第（i+1）缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)。在所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第（i+1）缓冲层满足(W(i+1)‑Wi)/Wi≤0.008的关系。
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公开(公告)号：CN105990190A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510553387.8
申请日：2015-09-02
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45572 , C23C16/303 , C23C16/45565 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67011
摘要： 本发明的实施方式提供一种抑制了温度分布的不均匀性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：盖部；气体导入部，设置在所述盖部；以及簇射板，通过与所述盖部的接合而形成能够收容从所述气体导入部所导入的气体的空间，且具有底部及包围所述底部的外框部，且在所述底部设置有多个喷射口、第1冷却路径及第2冷却路径，所述多个喷射口喷射所述气体，所述第1冷却路径在所述多个喷射口与所述盖部之间配置于所述底部的中心部，所述第2冷却路径在所述多个喷射口与所述盖部之间配置于包围所述中心部的所述底部的外周部且与所述第1冷却路径不连接。
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公开(公告)号：CN103311095B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210560783.X
申请日：2012-12-20
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/02389 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体层的方法。所述方法可以包括：在基底的主表面上形成第一下层，在所述第一下层上形成第一上层。所述第一下层具有沿平行于所述主表面的第一轴的第一晶格间距。所述第一上层具有大于所述第一晶格间距的沿所述第一轴的第二晶格间距。至少一部分所述第一上层具有第一压缩应变。在第一与第二晶格间距之间的差与所述第一晶格间距的比不小于0.005且不大于0.019。在平行于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率大于在垂直于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率。
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公开(公告)号：CN103682009A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310331650.X
申请日：2013-08-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12
摘要： 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体晶片包括：硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体。所述缓冲部包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层（n是4或更大的整数）。所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层（i是1或更大且小于n的整数）具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi。在所述第i缓冲层上设置的第（i+1）缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)。在所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第（i+1）缓冲层满足(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008的关系。
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公开(公告)号：CN103311095A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210560783.X
申请日：2012-12-20
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/02389 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体层的方法。所述方法可以包括：在基底的主表面上形成第一下层，在所述第一下层上形成第一上层。所述第一下层具有沿平行于所述主表面的第一轴的第一晶格间距。所述第一上层具有大于所述第一晶格间距的沿所述第一轴的第二晶格间距。至少一部分所述第一上层具有第一压缩应变。在第一与第二晶格间距之间的差与所述第一晶格间距的比不小于0.005且不大于0.019。在平行于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率大于在垂直于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率。
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公开(公告)号：CN103165787A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210535484.0
申请日：2012-12-12
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L33/44
摘要： 根据一实施例，一种半导体发光装置包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，其含有氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及设置在所述第一半导体层的与发光层相反的一侧上并向所述第一半导体层施加压应力的第一应力施加层。
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