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公开(公告)号：CN103311393B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210558342.6
申请日：2012-12-20
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L29/205 , B82Y20/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/7783 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0
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公开(公告)号：CN103682008A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310331614.3
申请日：2013-08-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/02104 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/0649 , H01L29/7786 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。一种氮化物半导体晶片包括硅衬底、层叠的多层单元、含硅单元和上层单元。所述硅衬底具有主表面。所述层叠的多层单元在所述主表面上提供。所述层叠的多层单元包括N个缓冲层。所述缓冲层包括第i缓冲层和在所述第i缓冲层上提供的第(i+1)缓冲层。所述第i缓冲层在平行于所述主表面的第一方向上具有第i晶格长度Wi。所述第(i+1)缓冲层在所述第一方向上具有第(i+1)晶格长度W(i+1)。所有所述缓冲层满足关系(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008。所述含硅单元在所述层叠的多层单元上提供。所述上层单元在所述含硅单元上提供。
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公开(公告)号：CN103681794A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310206392.2
申请日：2013-05-29
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L29/205 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L29/0684 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及半导体晶片、半导体器件和用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种半导体晶片包括衬底、AlN缓冲层、基础层、第一高Ga成分层、高Al成分层、低Al成分层、中间单元和第二高Ga成分层。所述第一层在所述基础层上提供。所述高Al成分层在所述第一层上提供。所述低Al成分层在所述高Al成分层上提供。所述中间单元在所述低Al成分层上提供。所述第二层在所述中间单元上提供。所述第一层具有第一拉伸应变以及所述第二层具有大于所述第一拉伸应变的第二拉伸应变。备选地，所述第一层具有第一压缩应变，所述第二层具有小于所述第一压缩应变的第二压缩应变。
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公开(公告)号：CN102800770B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210048490.3
申请日：2012-02-28
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/48
摘要： 本发明涉及半导体发光器件、氮化物半导体层以及形成氮化物半导体层的方法。根据实施例，一种半导体发光器件包括基础层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层。所述基础层具有不平坦部，所述不平坦部具有凹部、侧部和凸部。所述基础层的第一主表面具有覆盖区。所述基础层具有多个位错，所述位错包括其一端到达所述凹部的第一位错和其一端到达所述凸部的第二位错。到达所述第一主表面的所述第二位错的数目对所有所述第二位错的数目的比例小于到达所述第一主表面的所述第一位错的数目对所有所述第一位错的数目的比例。到达所述第一主表面的所述覆盖区的位错的数目小于所有所述第一位错的数目。
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公开(公告)号：CN103311393A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210558342.6
申请日：2012-12-20
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L29/205 , B82Y20/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/7783 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0
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公开(公告)号：CN102800770A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210048490.3
申请日：2012-02-28
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/48
摘要： 本发明涉及半导体发光器件、氮化物半导体层以及形成氮化物半导体层的方法。根据实施例，一种半导体发光器件包括基础层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层。所述基础层具有不平坦部，所述不平坦部具有凹部、侧部和凸部。所述基础层的第一主表面具有覆盖区。所述基础层具有多个位错，所述位错包括其一端到达所述凹部的第一位错和其一端到达所述凸部的第二位错。到达所述第一主表面的所述第二位错的数目对所有所述第二位错的数目的比例小于到达所述第一主表面的所述第一位错的数目对所有所述第一位错的数目的比例。到达所述第一主表面的所述覆盖区的位错的数目小于所有所述第一位错的数目。
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公开(公告)号：CN102169931A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010275583.0
申请日：2010-09-08
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。
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公开(公告)号：CN103839979B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1‑xN（0
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公开(公告)号：CN103915531A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310741264.8
申请日：2013-12-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/325 , H01S5/3211 , H01S5/3407 , H01S5/34333 , H01S5/34346
摘要： 本公开涉及一种半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括其中包括氮化物半导体的n型半导体层、p型半导体层和发光层。所述p型半导体层包括其中包括Mg的Alx1Ga1-x1N(0≤x1
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