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公开(公告)号：CN108376645A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201710766821.X
申请日：2017-08-31
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02046 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/66462
摘要： 提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括通过使用了包含第1元素的气体的干蚀刻而去除设置在包含Alx1Ga1－x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN107916223A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710783418.8
申请日：2017-09-04
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G02B21/365 , C12M47/04 , G01N15/14 , G01N15/1425 , G01N15/1463 , G01N2015/1006 , G02B21/0032 , G02B21/18 , G02B21/361
摘要： 本发明涉及细胞分取装置以及细胞分取系统。一种细胞分取装置，具备光源装置，所述光源装置具备载置细胞试样的矩阵状地配置的多个光源元件。
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公开(公告)号：CN102790155B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210048487.1
申请日：2012-02-28
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN102790147B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210017269.1
申请日：2012-01-19
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。
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公开(公告)号：CN102403438B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110050912.6
申请日：2011-03-03
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： C09K11/7734 , C09K11/7728 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及发光装置，具有：基板；安装于基板p主面的发光元件；红色荧光体层，是在发光元件上形成的半径为r的半圆状且含有式(1)的红色荧光体：(M1-x1Eux1)aSibAlOcNd(1)(M是从IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、除Al外的IIIB族元素、稀土族元素及IVB族元素选取的元素，x1、a、b、c、d满足以下关系：0＜x1≤1、0.60＜a＜0.95、2.0＜b＜3.9、0.04≤c≤0.6、4＜d＜5.7)；透明树脂的中间层，形成于红色荧光体层上且是半径为D的半圆状；和绿色荧光体层，形成于中间层上且是半圆状并含有绿色荧光体，半径r和半径D的关系满足式(2)：2.0r(μm)≤D≤(r+1000)(μm)(2)。
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公开(公告)号：CN101978207B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200880128096.2
申请日：2008-09-04
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： F21K7/00
CPC分类号： H01S5/0228 , F21K9/61 , F21Y2115/10 , H01S5/005 , H01S5/22 , H01S5/4056
摘要： 一种发光器件包括：半导体激光元件(10)，具有用于出射激光的第一出射面；导光体(40)，被掩埋在支撑基底(20)的凹部(20a)中，导引从所述半导体激光元件(10)出射的激光，并具有入射面(40a)和第二出射面(40b)，所述激光进入所述入射面(40a)，行进通过所述导光体(40)的所述激光从所述第二出射面(40b)出射，所述导光体(40)的所述入射面(40a)为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及荧光物质(42)，被散布在所述导光体(40)中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。
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公开(公告)号：CN103579427A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310330343.X
申请日：2013-08-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06
摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。所述第二半导体层被设置在所述第一半导体层的[0001]方向侧。所述发光层包括第一阱层、第二阱层和第一势垒层。所述势垒层的In组成比低于所述第一阱层和所述第二阱层的In组成比。所述势垒层包括第一部分和第二部分。所述第二部件具有第一区域和第二区域。所述第一区域具有比所述第一部分的In组成比高的第一In组成比。所述第二区域被设置在所述第一区域和所述第一阱层之间。所述第二区域具有低于所述第一In组成比的第二In组成比。
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公开(公告)号：CN102403201A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110049525.0
申请日：2011-03-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/36 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/7624 , H01L21/76243 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L33/0062
摘要： 根据一个实施例，公开了一种制造氮化物半导体晶体层的方法。所述方法可包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层。所述硅晶体层被设置在基体上。在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述硅晶体层具有第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述硅晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述硅晶体层的厚度。
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公开(公告)号：CN101978207A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200880128096.2
申请日：2008-09-04
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： F21K7/00
CPC分类号： H01S5/0228 , F21K9/61 , F21Y2115/10 , H01S5/005 , H01S5/22 , H01S5/4056
摘要： 一种发光器件包括：半导体激光元件(10)，具有用于出射激光的第一出射面；导光体(40)，被掩埋在支撑基底(20)的凹部(20a)中，导引从所述半导体激光元件(10)出射的激光，并具有入射面(40a)和第二出射面(40b)，所述激光进入所述入射面(40a)，行进通过所述导光体(40)的所述激光从所述第二出射面(40b)出射，所述导光体(40)的所述入射面(40a)为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及荧光物质(42)，被散布在所述导光体(40)中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。
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