公开(公告)号：CN105793994B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201480064849.3

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：CN108473334A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680077344.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。

公开(公告)号：CN118235191A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075633.1

申请日：2022-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中田昌孝 ,  片山雅博 ,  佐藤来 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  土桥正佳 ,  楠纮慈 ,  中山智则

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管、发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层及第一导电层的显示装置。晶体管包括半导体层以及与半导体层电连接的第二导电层。发光器件包括像素电极。第一绝缘层设置在晶体管上并包括到达第二导电层的第一开口。第一导电层覆盖第一开口。第二绝缘层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。像素电极覆盖第二绝缘层的顶面及第二开口。像素电极通过第一导电层与第二导电层电连接。第一绝缘层的端部位于第二导电层上。第二绝缘层的端部位于第一导电层上。第二绝缘层的端部位于第一绝缘层的端部的外侧。

公开(公告)号：CN113519065A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018241.2

申请日：2020-02-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  生内俊光 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。半导体层、第二绝缘层及导电层依次层叠在第一绝缘层上。半导体层包含铟及氧，在表示铟、元素M、锌的各原子数比的三角图中具有以直线分别依次连接第一坐标(1：0：0)、第二坐标(2：1：0)、第三坐标(14：7：1)、第四坐标(7：2：2)、第五坐标(14：4：21)、第六坐标(2：0：3)、第一坐标的范围内的组成。另外，元素M为镓、铝、钇和锡中的任一个以上。

公开(公告)号：CN113508468A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202080018234.2

申请日：2020-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  生内俊光 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置提供。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置包括第一导电层、第一绝缘层、半导体层以及一对第二导电层。第一绝缘层与第一导电层的顶面接触，半导体层与第一绝缘层的顶面接触，一对第二导电层与半导体层的顶面接触，一对第二导电层在与第一导电层重叠的区域分开。半导体层包含铟及氧，在表示铟、元素M及锌的原子个数比的三角图中具有以直线分别依次连接第一坐标(1：0：0)、第二坐标(2：1：0)、第三坐标(14：7：1)、第四坐标(7：2：2)、第五坐标(14：4：21)、第六坐标(2：0：3)、第一坐标的范围内的组成。此外，元素M为镓、铝、钇和锡中的任一个以上。

公开(公告)号：CN113105213A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110187768.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C03C17/245 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。

公开(公告)号：CN108473334B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680077344.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。

公开(公告)号：CN105793994A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480064849.3

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/60 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu?X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。