公开(公告)号：CN105830223A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069614.3

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 龟冈纮 ,  高桥茂树 ,  山田明 ,  笠原淳志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 半导体装置具备横型晶体管，该横型晶体管具有：具有漂移层(2)的半导体衬底(1)；上述漂移层内的第1杂质层(4)；上述漂移层内的沟道层(6)；上述沟道层内的第2杂质层(7)；上述沟道层与上述第1杂质层之间的上述漂移层上的分离用绝缘膜(3)；上述第2杂质层与上述漂移层之间的沟道区域上的、与上述分离用绝缘膜相连的栅极绝缘膜(10)；上述栅极绝缘膜上与上述分离用绝缘膜上的栅极电极(11)；与上述第1杂质层连接的第1电极(12)；与上述第2杂质层以及上述沟道层连接的第2电极(13)；以及在上述栅极电极与上述第1电极之间的上述分离用绝缘膜之上与上述第1电极连接的场板(14)。上述场板相比于上述栅极电极而言，在电流方向上的尺寸较大。

公开(公告)号：CN103022095A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210369374.1

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井健 ,  山田明 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  白木聪

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN101431102B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200810170454.8

申请日：2008-11-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田明 ,  赤木望

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L2224/48 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括具有半导体层(4)的高击穿电压晶体管(3)。该半导体层(4)具有元件部分(8)和布线部分(9)。元件部分(8)具有在半导体层(4)的正面上的第一布线(18)和在半导体层(4)的背面上的背面电极(19)。元件部分(8)构成为垂直晶体管，使电流在半导体层(4)的厚度方向上在第一布线(18)和背面电极(19)之间流动。背面电极(19)延伸到布线部分(9)。布线部分(9)具有在半导体层(4)的正面上的第二布线(23)。提供布线部分(9)和背面电极(19)作为允许电流流到第二布线(23)的拉线。

公开(公告)号：CN101459182B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200810184399.8

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 曾根弘树 ,  山田明 ,  白木聪 ,  赤木望

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明公开一种半导体装置。该半导体装置包括包含有源层(101)、掩埋绝缘膜(103)和支撑衬底(102)的SOI衬底(104)；位于有源层(101)中且在第一基准电位下可操作的低电位基准电路部件(LV)；位于有源层(101)中且在第二基准电位下可操作的高电位基准电路部件(HV)；位于有源层(101)中且用于在第一和第二基准电位之间提供电平移动的电平移动元件形成部件(LS)；以及使支撑衬底(102)的第一和第二部分互相绝缘的绝缘构件(130)，其中所述第一和第二部分的位置分别对应于低和高电位基准电路部件(LV、HV)。

公开(公告)号：CN101459182A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810184399.8

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 曾根弘树 ,  山田明 ,  白木聪 ,  赤木望

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明公开一种半导体装置。该半导体装置包括包含有源层(101)、掩埋绝缘膜(103)和支撑衬底(102)的SOI衬底(104)；位于有源层(101)中且在第一基准电位下可操作的低电位基准电路部件(LV)；位于有源层(101)中且在第二基准电位下可操作的高电位基准电路部件(HV)；位于有源层(101)中且用于在第一和第二基准电位之间提供电平移动的电平移动元件形成部件(LS)；以及使支撑衬底(102)的第一和第二部分互相绝缘的绝缘构件(130)，其中所述第一和第二部分的位置分别对应于低和高电位基准电路部件(LV、HV)。

公开(公告)号：CN100456475C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510114108.4

申请日：2005-10-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 冰见启明 ,  山田明 ,  葛原刚

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件包括彼此绝缘和分离的晶体管元件，并且这些晶体管元件依次彼此连接在地电位和预定电位之间。处于GND电位侧的晶体管元件为第一级，处于预定电位侧的晶体管元件为第n级。电阻元件或电容元件依次彼此串联连接在GND电位和预定电位之间。处于GND电位侧的电阻或电容元件为第一级，处于预定电位侧的电阻或电容元件为第n级。除了第一级晶体管元件以外的各个级晶体管元件的栅极端依次连接到连接点。从第n级晶体管元件的预定电位侧的端子抽取输出。

公开(公告)号：CN1763951A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510114108.4

申请日：2005-10-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 冰见启明 ,  山田明 ,  葛原刚

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件包括彼此绝缘和分离的晶体管元件，并且这些晶体管元件依次彼此连接在地电位和预定电位之间。处于GND电位侧的晶体管元件为第一级，处于预定电位侧的晶体管元件为第n级。电阻元件或电容元件依次彼此串联连接在GND电位和预定电位之间。处于GND电位侧的电阻或电容元件为第一级，处于预定电位侧的电阻或电容元件为第n级。除了第一级晶体管元件以外的各个级晶体管元件的栅极端依次连接到连接点。从第n级晶体管元件的预定电位侧的端子抽取输出。