成膜装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105452521A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201480044648.7

    申请日:2014-06-25

    Inventor: 广田悟史

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置,其具备DMS用靶材以及成膜用电源,且能够使用所述成膜用电源进行所述靶材的预溅射。成膜装置具备:成膜腔室(10);第一阴极和第二阴极(20A、20B),分别具有靶材(24),且被配置成以靶材表面(24a)均朝向成膜腔室(10)内的基材侧的姿势互相相邻;磁场形成部(30),在两个靶材(24)的表面(24a)附近形成磁场;成膜用电源(40),连接于两个阴极(20A、20B);以及遮门(50)。遮门(50)介于两个阴极的靶材表面(24a)与基材之间,在关闭位置与打开位置之间进行开闭动作,其中,关闭位置是将该靶材表面(24a)一并与基材隔离的位置,打开位置是开放靶材表面(24a)与基材之间而容许对基材的成膜的位置。

    硬质滑动部件的制造方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105420670A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510576497.6

    申请日:2015-09-11

    Inventor: 广田悟史

    CPC classification number: C23C14/48 C23C14/022 C23C14/025 C23C14/0605

    Abstract: 本发明的硬质滑动部件的制造方法包括:表面处理工序,将基材的表面进行表面处理;和碳膜形成工序,通过使用包含碳的靶进行电弧离子镀,在基材的表面上形成碳膜。在碳膜形成工序中,通过一边将碳氢化合物气体导入一边进行电弧离子镀而开始上述碳膜的形成,然后减少该碳氢化合物气体的导入量而继续进行该电弧离子镀,形成中间层,在表面上形成由ta-C构成的表层。

    热丝化学气相沉积装置
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112534081B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201980054363.4

    申请日:2019-08-19

    Abstract: 本发明提供一种能够容易进行丝的装拆、更换作业的热丝化学气相沉积装置。热丝化学气相沉积装置(1)包括腔室(2)、支撑多个基材(5)的基材支撑体(4)、丝部件(6A、6B、6C)以及一对保持部(71、72)。丝部件具有多个丝(60)、第一框部(61)、第二框部(62)以及一对连结构件(63)。此外,一对保持部(71、72)在将丝部件插入于腔室(2)时引导该丝部件,并且,在腔室(2)内以与多个基材(5)相向的方式保持该丝部件。

    电弧蒸发源
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106460159A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580033266.9

    申请日:2015-07-03

    Abstract: 本发明提供一种电弧蒸发源,能够将电弧点稳定地保持在靶材的前端面,而且,能够实现装置的小型化。电弧蒸发源(1)包括:通过电弧放电而从前端面(3a)开始熔解并蒸发的靶材(3);以及被配置在从靶材(3)的侧面(3b)朝向该靶材(4)。磁铁(4)被配置成:形成在如下范围满足以下的条件a)以及b)的磁场(MF1),其中,所述范围是处于沿着靶材(3)的侧面(3b)并且在靶材(3)的轴向上从靶材(3)的前端面(3a)起10mm为止的范围,条件a)为磁场的磁力线相对于靶材(3)的侧面(3b)所成的角度为45度以下,条件b)为在该磁力线的强度中的靶材(3)的轴向成分成为200G以上。(3)的半径方向隔开距离的位置的至少一个磁铁

    成膜装置和成膜方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103088287B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201210415298.3

    申请日:2012-10-26

    CPC classification number: H01J37/3405 H01J37/3444 H01J37/3452

    Abstract: 本发明涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置具有两台溅射蒸发源,该溅射蒸发源包括:非平衡磁场形成单元,该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成;以及靶,配备在非平衡磁场形成单元的前方,进而,所述成膜装置还具有交流电源,该交流电源通过在两台溅射蒸发源的各靶之间流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流,从而在两靶之间引起放电而进行成膜。

    成膜装置和成膜方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103088287A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201210415298.3

    申请日:2012-10-26

    CPC classification number: H01J37/3405 H01J37/3444 H01J37/3452

    Abstract: 本发明涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置具有两台溅射蒸发源,该溅射蒸发源包括:非平衡磁场形成单元,该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成;以及靶,配备在非平衡磁场形成单元的前方,进而,所述成膜装置还具有交流电源,该交流电源通过在两台溅射蒸发源的各靶之间流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流,从而在两靶之间引起放电而进行成膜。

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