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公开(公告)号：CN109702560A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811234579.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B1/00 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种能够获取膜厚的测定点的实际位置，并且能够将最佳的研磨压力施加到晶片等基板的研磨装置和研磨方法。在基板(W)的研磨过程中，基板检测传感器(8)以及膜厚传感器(7)一边横穿基板(W)的表面，一边基板检测传感器(8)以预先设定的周期生成基板检测信号，且膜厚传感器(7)在规定的测定点生成膜厚信号，根据基板检测信号的数量，计算出基板(W)的中心相对于研磨头(1)的中心的偏心角，并且基于偏心角修正规定的测定点的位置，基于规定的测定点的修正后的位置和膜厚信号，对研磨头(1)按压基板(W)的研磨压力进行控制。
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公开(公告)号：CN109290942A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810814032.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B37/32 , B24B49/05 , B24B37/107 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明公开了基板研磨装置及基板研磨方法，基板研磨装置具备：顶环，所述顶环用于通过将基板向研磨垫按压而进行基板研磨；光谱生成部，所述光谱生成部对基板的被研磨面进行光照射并接收其反射光，并算出该反射光的与波长对应的反射率光谱；及存储部，所述存储部存储用于基于反射率光谱而推定被研磨面的膜厚的多个膜厚推定算法。从存储于存储部的膜厚推定算法之中设定多个膜厚推定算法及其切换条件，通过所设定的膜厚推定算法来推定被研磨面的膜厚，并且在满足了切换条件的情况下，切换应适用的膜厚推定算法。
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公开(公告)号：CN118848807A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410499816.7
申请日：2024-04-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是研磨方法、储存有使计算机动作用的程序的计算机可读取的记录介质及研磨装置，提出一种不需要事先对参照晶片进行研磨，能够一边研磨工件一边获取该工件的相对膜厚轮廓的技术。本研磨方法在工件(W)的研磨过程中，通过在工件(W)上的两点(R、M)反复生成参照光谱和监视光谱来制作参照光谱历史和监视光谱历史，计算作为最近的监视光谱与参照光谱历史内的多个参照光谱的差的多个参照历史差，计算作为最近的参照光谱与监视光谱历史内的多个监视光谱的差的多个监视历史差，基于参照历史差或监视历史差的最小点，计算监视点(M)与参照点(R)之间的膜厚差。
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公开(公告)号：CN118408484A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410099451.9
申请日：2024-01-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 渡边夕贵
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供一种能够自动地执行用于膜厚的光学性测定的基准强度数据(基础强度数据)等预设光谱数据的异常检测的异常检测方法及光学性膜厚测定装置。异常检测方法在工件的研磨前制作预设光谱数据，将预设光谱数据输入自动编码器，自动编码器是使用包含多个正常的预设光谱数据的训练数据通过机器学习构筑的已学习模型，计算从自动编码器输出的输出数据与预设光谱数据之差，在差大于阈值时，判定预设光谱数据存在异常。
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公开(公告)号：CN117177839A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029035.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015
Abstract: 本发明关于一种一边将晶片等的基板按压于研磨垫的研磨面，一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别关于一边基于膜厚测定器的测定值调整研磨负重，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。在研磨方法中，使用垫温度调整装置(5)将研磨垫(3)的研磨面(3a)的温度调整至规定温度，并基于设于研磨垫(3)的膜厚测定器(7)的测定值，一边控制将基板(W)按压于研磨面(3a)的研磨负重，一边研磨基板(W)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109877698B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201811433092.7
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、存储介质、及基板研磨的响应特性的获取方法，能够通过简便的方法更准确地得到晶片等基板研磨的响应特性。基板处理装置具备：研磨头，该研磨头形成用于将晶片(W)按压于研磨垫(42)的多个压力室(D1～D5)；压力控制部，该压力控制部用于对该多个压力室的内部的力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；膜厚测定部，该膜厚测定部测定研磨中的晶片的膜厚分布；存储部，该膜厚测定部存储多个压力室中的设定压力的信息；及响应特性获取部，在晶片的研磨中每当满足规定条件时，该响应特性获取部变更设定压力并测定对于晶片的研磨率，基于得到的多个研磨率获取基板研磨对于压力反馈的响应特性。
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公开(公告)号：CN114536210A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111375685.4
申请日：2021-11-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/34 , B24B47/12 , B24B49/12 , B24B57/02 , G01B11/06
Abstract: 提供一种能够不受噪声的影响地确定正确的研磨对象层的厚度的研磨方法、工件的研磨监视方法及研磨监视装置。本方法是用于研磨工件(W)的研磨对象层的研磨方法，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，将工件(W)按压于研磨垫(2)而对研磨对象层进行研磨，向工件(W)照射光，接收来自工件(W)的反射光，根据每个波长测定反射光的强度，生成表示强度与反射光的波长的关系的分光波形，对分光波形进行傅里叶变换处理，从而生成频率光谱，使频率光谱的波峰搜索范围根据研磨时间进行移动，确定在波峰搜索范围内的频率光谱的波峰，从而确定与所确定的波峰对应的所述研磨对象层的厚度。
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公开(公告)号：CN109290942B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201810814032.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明公开了基板研磨装置及基板研磨方法，基板研磨装置具备：顶环，所述顶环用于通过将基板向研磨垫按压而进行基板研磨；光谱生成部，所述光谱生成部对基板的被研磨面进行光照射并接收其反射光，并算出该反射光的与波长对应的反射率光谱；及存储部，所述存储部存储用于基于反射率光谱而推定被研磨面的膜厚的多个膜厚推定算法。从存储于存储部的膜厚推定算法之中设定多个膜厚推定算法及其切换条件，通过所设定的膜厚推定算法来推定被研磨面的膜厚，并且在满足了切换条件的情况下，切换应适用的膜厚推定算法。
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公开(公告)号：CN109877698A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811433092.7
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、存储介质、及基板研磨的响应特性的获取方法，能够通过简便的方法更准确地得到晶片等基板研磨的响应特性。基板处理装置具备：研磨头，该研磨头形成用于将晶片(W)按压于研磨垫(42)的多个压力室(D1～D5)；压力控制部，该压力控制部用于对该多个压力室的内部的力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；膜厚测定部，该膜厚测定部测定研磨中的晶片的膜厚分布；存储部，该膜厚测定部存储多个压力室中的设定压力的信息；及响应特性获取部，在晶片的研磨中每当满足规定条件时，该响应特性获取部变更设定压力并测定对于晶片的研磨率，基于得到的多个研磨率获取基板研磨对于压力反馈的响应特性。
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公开(公告)号：CN109382755A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810898811.6
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/013 , B24B37/30 , B24B37/34
CPC classification number: B24B49/12 , B24B7/228 , B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/20 , B24B37/205 , B24B37/32 , G01B11/06 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , B24B37/107 , B24B37/30 , B24B37/34
Abstract: 本发明的基板研磨装置及方法适当地控制按压基板的薄膜的压力，并且适当地检测基板研磨的终点。基板研磨装置具备：顶环，该顶环用于将基板按压于研磨垫；按压机构，该按压机构对基板的多个区域彼此独立地进行按压；光谱生成部，该光谱生成部向基板的被研磨面照射光并接收来自被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱；轮廓信号生成部，向该轮廓信号生成部输入基板上的多个测定点处的反射率光谱，生成基板的研磨轮廓；压力控制部，该压力控制部基于研磨轮廓，控制按压机构对于基板的多个区域的按压力；以及终点检测部，该终点检测部不基于研磨轮廓来检测基板研磨的终点。
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