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公开(公告)号：CN114520143B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210413855.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有基平面位错；通过化学气相沉积法在所述碳化硅衬底表面形成碳化硅外延层，化学气相沉积法的反应气体包括生长气源和掺杂锗源气体，改变碳化硅外延薄膜中锗杂质的浓度，并促使所述锗杂质替代碳化硅外延层中形成的不全位错核心处硅原子，使锗杂质钉扎硅核心不全位错。本发明在碳化硅薄膜外延过程中掺入锗杂质，由于硅核心处的结构畸变，锗杂质会优先替代硅核心不全位错处的硅原子，通过将锗杂质钉扎基平面位错中硅核心不全位错，抑制硅核心不全位错的滑移，以抑制碳化硅基双极型器件的双极型退化。
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公开(公告)号：CN115595663B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211523460.3
申请日：2022-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法。通过对碳化硅晶片先后进行碱蒸汽腐蚀和熔融碱腐蚀的方法，使得碳化硅晶片的碳面的基平面位错转化为腐蚀坑，同时获得表面较为平整的碳化硅籽晶，并利用最终获得的碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长。本发明针对碱蒸汽腐蚀后得到的碳化硅晶片继续进行熔融碱腐蚀，熔融碱腐蚀对碳化硅晶片的碳面的腐蚀速度慢，通过控制熔融碱腐蚀的时间，最终形成表面平整的碳化硅籽晶，利用碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长，显露出来的腐蚀坑在晶体生长时受到增强的镜像力的作用，会强制合并显露出来的腐蚀坑，将基平面位错转变为贯穿型刃位错，从而获得低基平面位错密度的晶体。
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公开(公告)号：CN116246950A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310110785.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片的抛光方法及半导体晶片的抛光方法。本发明提供粗磨或精磨后的碳化硅晶片，将碳化硅晶片进行碱腐蚀,将碱腐蚀后的碳化硅晶片置于显微镜下拍照获得灰度图，调整灰度图的阈值后，得到位错图，再对位错图进行位错表征和统计，最后将位错表征和统计后的碳化硅晶片进行后续抛光加工工艺。本发明利用加工过程中粗磨或精磨后的碳化硅晶片进行碱腐蚀，由于位错腐蚀坑的深度和加工损伤形成的腐蚀坑的深度不同，使得位错腐蚀坑和加工损伤腐蚀坑的衬度也不同，通过对灰度图的阈值调整，排除加工损伤形成的腐蚀坑，使得位错图中全部为位错腐蚀坑，有利于计算机软件读取图片信息进行位错类型区分和统计。
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公开(公告)号：CN114262942A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210200525.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片腐蚀化系统，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；工作台面包括多个工作腔，密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止有害气体泄露；传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；排气装置用于对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。本发明将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面，通过自动化机构，实现碳化硅晶片在功能化处理过程中的自动化；整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态，防止有害气体的挥发，工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度，避免高温和有害气体的接触，最大限度保护人员安全。
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公开(公告)号：CN115424099B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211383066.4
申请日：2022-11-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06V10/778 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/26 , G06T7/00 , G06T7/73 , G06T3/40 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种用于识别碳化硅位错的模型训练方法、识别方法及装置，通过获取背景干净且不同位错无重叠的第一碳化硅位错图片样本进行标注，再通过神经网络模型进行训练得到第1代检测模型；获取背景干净且存在位错重叠交错的多张第二碳化硅位错图片样本，通过第1代检测模型进行检测后进行标注，再通过神经网络模型对标注后的多张第一碳化硅位错图片样本和第二碳化硅位错图片样本进行训练，得到第2代检测模型；获取背景不干净的多张第三碳化硅位错图片样本，根据上述步骤得到第3代检测模型。采用本发明在保证识别准确率的条件下，大大节省了时间和人工成本，并节约了30%以上的晶片加工成本，进而降低了检测成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115595663A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211523460.3
申请日：2022-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心(CN)
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法。通过对碳化硅晶片先后进行碱蒸汽腐蚀和熔融碱腐蚀的方法，使得碳化硅晶片的碳面的基平面位错转化为腐蚀坑，同时获得表面较为平整的碳化硅籽晶，并利用最终获得的碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长。本发明针对碱蒸汽腐蚀后得到的碳化硅晶片继续进行熔融碱腐蚀，熔融碱腐蚀对碳化硅晶片的碳面的腐蚀速度慢，通过控制熔融碱腐蚀的时间，最终形成表面平整的碳化硅籽晶，利用碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长，显露出来的腐蚀坑在晶体生长时受到增强的镜像力的作用，会强制合并显露出来的腐蚀坑，将基平面位错转变为贯穿型刃位错，从而获得低基平面位错密度的晶体。
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公开(公告)号：CN114775046B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210710329.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN114778577A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210715862.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明涉及碳化硅检测技术领域，特别涉及一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，包括：利用X射线衍射仪对碳化硅样品进行逐点的X射线摇摆曲线面扫描，摇摆曲线面的X射线的晶面入射角范围至少覆盖对应的碳化硅缺陷检测角度和碳化硅多型检测角度；获取碳化硅样品每一个检测点的X射线的摇摆曲线，基于摇摆曲线的特征来检测碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布；根据碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布分析不同晶型对缺陷的影响。利用所述方法可以准确直观的反映出不同的缺陷类型，以及缺陷、不同晶型在晶体中的分布，从而为晶体缺陷质量的改善提供更重要的反馈。
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公开(公告)号：CN114318551B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210244788.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
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公开(公告)号：CN114527143A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210428181.2
申请日：2022-04-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明公开一种无损检测半导体缺陷演变方法、系统及装置，方法包括：获取至少两种波长的单色激发光照射于待检测半导体形成的光致发光光谱图像，其中，每种波长的单色激发光照射在待检测半导体的同一区域；判断每个光致发光光谱图像中是否在特定波长范围内存在光谱特征峰；若存在，则通过光谱特征峰的形态确定出对应的缺陷类型；将所述缺陷类型与相应的深度进行关联，得到待检测半导体缺陷的纵向分布，进而得到同一区域内不同缺陷类型之间的相互演化。得到待检测半导体同一区域不同深度的缺陷，进而得到纵向的变化，能够直接研究缺陷的起源并且得到不同缺陷之间的相互演化，从而为晶体缺陷质量的改善提供重要的参考。
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