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公开(公告)号：CN110999544B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201880050613.2
申请日：2018-07-30
申请人： 电化株式会社
摘要： 陶瓷电路基板，其具备陶瓷基材1、和设置于陶瓷基材1两面的包含Al及/或Cu的金属层2a、2b，所述陶瓷电路基板的25℃～150℃时的线性热膨胀系数的测定值α1为5×10‑6～9×10‑6/K，所述α1相对于25℃～150℃时的线性热膨胀系数的理论值α2的比α1/α2为0.7～0.95，金属层2a、2b中的至少一者形成了金属电路。
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公开(公告)号：CN111499391A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010180058.4
申请日：2014-06-02
申请人： 电化株式会社
IPC分类号： C04B35/583 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B38/00 , C04B41/83 , C04B41/84 , H05K1/02 , H05K1/03 , H05K7/20
摘要： 本发明涉及树脂浸渗氮化硼烧结体及其用途。根据本发明，提供：一种树脂浸渗氮化硼烧结体，其包含氮化硼颗粒以三维方式连接的氮化硼烧结体30～90体积％和树脂10～70体积％，氮化硼烧结体的孔隙率为10～70％，氮化硼颗粒的平均长径为10μm以上，基于粉末X射线衍射法的石墨化指数为4.0以下，基于I.O.P.的取向度为0.01～0.05或20～100；以及一种树脂浸渗氮化硼烧结体，氮化硼烧结体的钙的含有率为500～5000ppm，氮化硼烧结体的基于粉末X射线衍射法的石墨化指数为0.8～4.0，氮化硼烧结体由平均长径10μm以上的鳞片状氮化硼颗粒形成，I.O.P.的取向度为0.6～1.4。
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公开(公告)号：CN106715004B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580051561.7
申请日：2015-07-24
申请人： 电化株式会社
IPC分类号： B22D19/00 , B22D18/02 , B22D19/14 , C04B35/565 , C04B41/88
摘要： 本发明提供能够抑制复合体中所含的多孔质无机结构体的破损、稳定地制造复合体的复合体的制造方法和采用该制造方法制造的复合体。本发明提供复合体的制造方法和采用该制造方法制造的复合体，该复合体的制造方法是一边将纤维状无机材料邻接配置于平板状的多孔质无机结构体一边浸渍金属的复合体的制造方法，其特征在于，所述复合体是通过使用由多孔质碳化硅陶瓷烧结体构成的多孔质无机结构体和纤维状无机材料，从而具有多孔质碳化硅陶瓷烧结体浸渍有金属的第1相和纤维状无机材料浸渍有金属的第2相相互邻接的结构的复合体，多孔质碳化硅陶瓷烧结体在第1相中所占的比例为50～80体积％，纤维状无机材料在第2相中所占的比例为3～20体积％。
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公开(公告)号：CN109153801A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029155.X
申请日：2017-03-10
申请人： 电化株式会社
摘要： 本发明提供一种批量生产性以及产品特性(散热性、绝缘性以及粘接性)优异，特别是能飞跃性提高电子设备的散热性的陶瓷树脂复合体。一种陶瓷树脂复合体，其在烧结体35～70体积％中浸含有热固性树脂组合物65～30体积％，其中，所述烧结体是使平均长径为3～60μm、长径比为5～30的非氧化物陶瓷一次粒子呈三维连续的一体结构而成的，所述热固性树脂组合物的由差示扫描型量热仪测定的放热起始温度为180℃以上且固化率为5～60％、数均分子量为450～4800。
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公开(公告)号：CN105886825B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201610280671.7
申请日：2009-07-08
申请人： 电化株式会社
IPC分类号： B32B15/16
CPC分类号： C22C26/00 , B22F3/26 , B22F7/04 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C2204/00 , H01L21/4882 , H01L23/3732 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01S5/02484 , Y10T428/12361 , Y10T428/12625 , Y10T428/12736 , Y10T428/12993 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355 , Y10T428/26 , C22C1/10 , B22F3/11 , B22F3/20 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供兼具高导热系数以及接近半导体元件的热膨胀率且改善了表面的镀敷性及表面粗糙度而适用于半导体元件的散热器等的铝‑金刚石类复合体。所述铝‑金刚石类复合体是含有金刚石粒子和以铝为主要成分的金属的平板状的铝‑金刚石类复合体，其特征在于，所述铝‑金刚石类复合体包括复合化部及设置在上述复合化部的两面的表面层，上述表面层由含有以铝为主要成分的金属的材料形成，上述金刚石粒子的含量占上述铝‑金刚石类复合体整体的40体积％～70体积％。
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公开(公告)号：CN103733331B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280037344.9
申请日：2012-07-17
申请人： 电化株式会社
CPC分类号： H01L23/3735 , B22D18/02 , B22F7/08 , B32B15/016 , C22C21/00 , C22C26/00 , C22C45/04 , C23C18/1653 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D7/00 , F28F3/00 , H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种半导体元件用散热器件，其于包含含有40～70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4～6mm的板状体的两面，被覆由以铝为主成分的金属或铝-陶瓷系复合材料形成的被覆层而形成铝-金刚石系复合体，在其至少两主面，从主面侧依序形成(1)膜厚0.1～1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1～5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05～4μm的Au层而成，此处，Ni合金层和Ni层的比率(Ni合金层厚/Ni层厚)为0.3以下。
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公开(公告)号：CN109791918B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201780048563.X
申请日：2017-08-02
申请人： 电化株式会社
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/373
摘要： 本发明提供一种量产性优异且具有高散热性的电路装置的散热结构。在将向电路装置的外部露出的散热板、传热构件、冷却器以形成层叠结构的方式配置而包含的电路装置的散热结构中，所述传热构件是树脂组成物浸渍于陶瓷一次粒子三维地呈一体结构的烧结体中的陶瓷树脂复合体，并以与所述散热板及所述冷却器中的至少一方直接接触而层叠的方式配置。
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公开(公告)号：CN110998839A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050659.4
申请日：2018-07-30
申请人： 电化株式会社
摘要： 功率模块1，其具备底板2、接合于底板2上的陶瓷绝缘基板4、和接合于陶瓷绝缘基板4上的半导体元件6，底板2的与陶瓷绝缘基板4呈相反侧的面2b具有凸状的翘曲2c，温度从150℃到25℃的降温时的底板2的线性热膨胀系数α1(×10-6/K)及陶瓷绝缘基板4的线性热膨胀系数α2(×10-6/K)满足下述式(1)。
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公开(公告)号：CN106796925B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580053294.7
申请日：2015-07-29
申请人： 电化株式会社
摘要： 本发明提供与其他散热部件的密合性高的铝‑碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝‑碳化硅质复合体及其制造方法，该铝‑碳化硅质复合体具有包含碳化硅和铝合金的平板状的复合化部，和在复合化部的两板面设置的包含铝合金的铝层，在一个板面安装电路基板，另一板面用作散热面，其特征在于，散热面侧的复合化部的板面为凸型的翘曲的形状，散热面侧的铝层为凸型的翘曲的形状，相对的外周面的短边中央的厚度的平均(Ax)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ax/B)为0.91≤Ax/B≤1.00，相对的外周面的长边中央的厚度的平均(Ay)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ay/B)为0.94≤Ay/B≤1.00。
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公开(公告)号：CN105453707B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480044897.6
申请日：2014-08-12
申请人： 电化株式会社
IPC分类号： H05K1/03 , C04B35/583 , C04B41/83 , H05K1/02
CPC分类号： H05K1/0271 , C08K7/00 , C08K2003/385 , C08K2201/004 , H05K1/0203 , H05K1/0306 , H05K1/0353 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K3/38 , H05K2201/0104 , H05K2201/066
摘要： 本发明提供一种具有高散热、高可靠性的氮化硼‑树脂复合体电路基板。一种氮化硼‑树脂复合体电路基板，其特征在于，其是在板厚为0.2～1.5mm的板状树脂浸渗氮化硼烧结体的两主表面上粘接铜或铝的金属电路而得到的，所述树脂浸渗氮化硼烧结体含有平均长径为5～50μm的氮化硼颗粒以三维方式结合而成的氮化硼烧结体30～85体积％和树脂70～15体积％，树脂浸渗氮化硼烧结体的面方向的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE1)与金属电路的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE2)之比(CTE1/CTE2)为0.5～2.0。
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