公开(公告)号：CN103814441B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280040376.4

申请日：2012-07-11

申请人： 通快激光有限责任公司 ,  通快激光与系统工程有限公司

发明人： K·瓦尔梅罗特 ,  C·施米茨

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01S5/024

CPC分类号： F28F21/02 ,  B22F7/02 ,  F28F21/08 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于形成碳-金属复合材料8）的方法，所述碳-金属复合物用于散热器，所述方法包括：彼此重叠地施加至少一个具有碳颗粒（5）的层（5a）和至少一个具有金属颗粒（6）的层（6a），以及，通过以激光射束（7）照射所述层5a、6a）来融合这些层（5a、6a），用于构造所述碳-金属复合材料（8）。本发明也涉及一种具有成形体的散热器，所述成形体包括多个层，这些层分别包含在一金属基质中的碳颗粒（5）。

公开(公告)号：CN103427330B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310302731.7

申请日：2013-07-17

申请人： 芜湖安瑞激光科技有限公司

发明人： 李丰

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC分类号： H01S5/02484 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4031

摘要： 本发明公开了一种降低应力的激光器芯片结构，包括激光器芯片主体，激光器芯片主体具有正极和与外部电极电性连接的负极，正极上设置有多个发光部，并且发光部之间设置有第一凹槽，还包括热沉结构，热沉结构包括热沉主体，热沉主体的正面通过焊料层焊接在激光器芯片主体的正极上，在热沉主体的位于激光器芯片主体的第一凹槽相对应的部位上开有第二凹槽，并且该第二凹槽与第一凹槽一一对应。本发明不仅具有低的应力状态，弯曲度低，能够实现低应力或“无应力”封装，而且不影响激光器的导热能力，可保证激光器长时间工作。

公开(公告)号：CN101390210B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200680053530.6

申请日：2006-12-21

申请人： 联合材料公司

发明人： 高岛浩一 ,  森上英明 ,  成田雅士

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L23/14 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/02484 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明为了能够提高与其他部件之间的热传导的效率，提供充分应用金刚石复合材料的高热传导性，可靠地防止例如半导体激光器等发光元件由于其自身的放热而发生运行不良的情况的半导体元件安装用基板。其是将用连接所述发光元件等的连接面精加工为，深度或高度为10～40μm，面方向的直径长度为10μm～3mm的凹部及凸部中的至少一方的、每单位面积的个数为50个/cm2以下的状态，并且，在所述连接面形成有由焊料或钎料构成，且厚度为1～30μm，表示表面粗糙度的粗糙度曲线的算术平均粗糙度Ra为Ra≤2μm，最大高度粗糙度Rz为Rz≤15μm，填埋所述凹部或凸部的被覆层的半导体元件搭载用基板。

公开(公告)号：CN105305206A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510735986.1

申请日：2015-11-03

申请人： 华中科技大学 ,  武汉梅曼科技有限公司

发明人： 朱广志 ,  朱晓 ,  邵娜 ,  王海林 ,  齐丽君 ,  宋恩茂

IPC分类号： H01S3/042

CPC分类号： H01S5/02484

摘要： 本发明公开了一种适用于碟片激光器射流冲击冷却系统的热沉，包括肋基和多个分布在肋基上的肋片；肋基作为碟片激光晶体的载体，其一个端面用于固定碟片激光晶体，另一个端面上分布有同轴排列的肋片；肋片用于增大散热面积，降低对流换热热阻；该热沉应用于碟片激光器射流冲击冷却系统时，其下表面通过射流冲击冷却进行换热，下表面的肋片增加了对流换热的表面积，加快了换热速率；另外，肋片还从结构上增加了整个热沉的强度，且起到分散射流压力的作用，可减小碟片的冲击变形。

公开(公告)号：CN104812946A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380042784.8

申请日：2013-08-09

申请人： 六号元素技术有限公司

发明人： G·T·威廉姆斯 ,  J·M·道德森 ,  P·N·因吉斯 ,  C·J·凯利

IPC分类号： C30B25/10 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C01B31/06

CPC分类号： H01S5/02484 ,  C01B32/25 ,  C23C16/274 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24471

摘要： 一种制造聚晶CVD合成金刚石材料的方法，该聚晶CVD合成金刚石材料具有至少2000Wm-1K-1的通过其厚度的室温平均热导率，该方法包括：将难熔金属基底装入CVD反应器中；在难熔金属基底的周边区域周围设置难熔金属护圈，所述难熔金属护圈限定出介于所述难熔金属基底边缘和难熔金属护圈之间的具有1.5mm到5.0mm宽度的间隙；将微波引入CVD反应器中，其功率使得按所述难熔金属基底单位面积的功率计的功率密度在2.5-4.5W mm-2的范围内；将工艺气体引入CVD反应器中，其中所述CVD反应器内的工艺气体包含：以分子氮N2计算的在600ppb到1500ppb范围内的氮浓度、1.5-3.0体积％的含碳气体浓度和92-98.5体积％的氢气浓度；将所述难熔金属基底的平均温度控制在750-950℃的范围内，并且维持所述难熔金属基底上的边缘和中心点之间的温度差不超过80℃；在所述难熔金属基底上生长聚晶CVD合成金刚石材料达到至少1.3mm的厚度；并且冷却所述聚晶CVD合成金刚石材料以产生具有至少1.3mm厚度的聚晶CVD合成金刚石材料，在所述聚晶CVD合成金刚石材料的至少中心区域上的至少2000Wm-1K-1的通过所述聚晶CVD合成金刚石材料厚度的室温平均热导率，其中所述中心区域是所述聚晶CVD合成金刚石材料的总面积的至少70％，在所述聚晶CVD合成金刚石材料的至少中心区域上的单取代氮浓度不超过0.80ppm，并且其中所述聚晶CVD合成金刚石材料在其至少中心区域上是基本没有裂纹的，以致于所述中心区域没有与所述聚晶CVD合成金刚石材料的两个外部主面相交且延伸长度大于2mm的裂纹。

公开(公告)号：CN103493315A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019906.7

申请日：2012-05-16

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 谷口英广 ,  大木泰

IPC分类号： H01S5/068 ,  G02B6/42 ,  H01S5/14

CPC分类号： H01S5/005 ,  G02B6/4202 ,  G02B6/4248 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02484 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/146 ,  H01S5/147 ,  H01S2301/16

摘要： 本发明涉及一种由阈值附近的驱动电流进行驱动也能输出稳定的多模输出的激光装置。本发明提供一种激光装置，其具备半导体激光元件、在与半导体激光元件的反射面之间形成谐振器，使激光振荡并输出振荡后的激光的波长选择元件、与半导体激光元件的射出面以耦合效率η进行光学耦合，并使从射出面输出的光输入波长选择元件的光学系统；光学系统，将相对于向半导体激光元件注入的注入电流，光输出变为线性的光输出线性区域中的最小光输出相关的下式Ａ值设定为小于耦合效率η最大情况下的A值。

公开(公告)号：CN102149493A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135968.2

申请日：2009-07-08

申请人： 电气化学工业株式会社

发明人： 广津留秀树 ,  塚本秀雄

IPC分类号： B22D19/00 ,  B22D18/02 ,  C22C1/10 ,  H01L23/373

CPC分类号： C22C26/00 ,  B22F3/26 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/26 ,  C22C1/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/20 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供兼具高导热系数以及接近半导体元件的热膨胀率且改善了表面的镀敷性及表面粗糙度而适用于半导体元件的散热器等的铝-金刚石类复合体。所述铝-金刚石类复合体是含有金刚石粒子和以铝为主要成分的金属的平板状的铝-金刚石类复合体，其特征在于，所述铝-金刚石类复合体包括复合化部及设置在上述复合化部的两面的表面层，上述表面层由含有以铝为主要成分的金属的材料形成，上述金刚石粒子的含量占上述铝-金刚石类复合体整体的40体积％～70体积％。

公开(公告)号：CN105886825B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201610280671.7

申请日：2009-07-08

申请人： 电化株式会社

发明人： 广津留秀树 ,  塚本秀雄

IPC分类号： B32B15/16

CPC分类号： C22C26/00 ,  B22F3/26 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/26 ,  C22C1/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/20 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供兼具高导热系数以及接近半导体元件的热膨胀率且改善了表面的镀敷性及表面粗糙度而适用于半导体元件的散热器等的铝‑金刚石类复合体。所述铝‑金刚石类复合体是含有金刚石粒子和以铝为主要成分的金属的平板状的铝‑金刚石类复合体，其特征在于，所述铝‑金刚石类复合体包括复合化部及设置在上述复合化部的两面的表面层，上述表面层由含有以铝为主要成分的金属的材料形成，上述金刚石粒子的含量占上述铝‑金刚石类复合体整体的40体积％～70体积％。

公开(公告)号：CN106877164A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710022406.3

申请日：2017-01-12

申请人： 广东工业大学

发明人： 丛海兵 ,  郝明明 ,  牟中飞 ,  陶丽丽 ,  招瑜 ,  李京波

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/02 ,  H01S5/02484

摘要： 本发明涉及一种高功率半导体激光器封装方法，包含以下步骤：利用贴片封装技术把mini bar条封装到金刚石热沉上；把金刚石热沉封装到OFC无氧铜散热底座上；键合金丝引线。通过使用高热导率金刚石热沉材料，提升高功率半导体激光器散热效率，降低半导体激光器工作温度的高效封装，可以显著提高器件工作的寿命和可靠性。

公开(公告)号：CN105886825A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610280671.7

申请日：2009-07-08

申请人： 电气化学工业株式会社

发明人： 广津留秀树 ,  塚本秀雄

IPC分类号： C22C1/10 ,  H01L23/373

CPC分类号： C22C26/00 ,  B22F3/26 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/26 ,  C22C1/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/20 ,  H01L2924/00 ,  C22C1/1036 ,  C22C2001/1073

摘要： 本发明提供兼具高导热系数以及接近半导体元件的热膨胀率且改善了表面的镀敷性及表面粗糙度而适用于半导体元件的散热器等的铝?金刚石类复合体。所述铝?金刚石类复合体是含有金刚石粒子和以铝为主要成分的金属的平板状的铝?金刚石类复合体，其特征在于，所述铝?金刚石类复合体包括复合化部及设置在上述复合化部的两面的表面层，上述表面层由含有以铝为主要成分的金属的材料形成，上述金刚石粒子的含量占上述铝?金刚石类复合体整体的40体积％～70体积％。