公开(公告)号：CN113169146A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077594.7

申请日：2019-11-19

申请人： 电化株式会社

发明人： 石原庸介 ,  后藤大助

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  C04B35/577 ,  H05K7/20

摘要： 散热构件，其实质上为矩形平板状，具备在具有空隙的碳化硅中含浸有金属的复合体部、和与复合体部不同的金属部。此处，金属部的体积相对于散热构件整体体积的比例为2.9％以上且12％以下。另外，设作为矩形平板状的散热构件的对角线的长度为L、并以一个主面作为上表面俯视散热构件时，金属部的总体积中40％以上存在于距散热构件的四角的任一顶点的距离为L/6的区域D内。并且，具有贯穿区域D的金属部的孔。

公开(公告)号：CN112996734A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980074306.2

申请日：2019-11-06

申请人： 电化株式会社

发明人： 太田宽朗 ,  石原庸介 ,  后藤大助

IPC分类号： B65D77/04 ,  B65D81/26 ,  B65D85/86

摘要： 本发明的包装(100)具备彼此堆叠的多片散热基板(10)、在最下方的散热基板之下、最上方的散热基板之上、以及彼此相邻的散热基板之间分别配置的中间片材(20)、在多片散热基板的上方或下方配置的干燥剂(30)和将多片散热基板、多片中间片材及干燥剂密封的袋体(50)。

公开(公告)号：CN103733331B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201280037344.9

申请日：2012-07-17

申请人： 电化株式会社

发明人： 广津留秀树 ,  塚本秀雄 ,  石原庸介

IPC分类号： H01L23/373 ,  B22D18/02 ,  C22C26/00 ,  C22C32/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04

CPC分类号： H01L23/3735 ,  B22D18/02 ,  B22F7/08 ,  B32B15/016 ,  C22C21/00 ,  C22C26/00 ,  C22C45/04 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  F28F3/00 ,  H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体元件用散热器件，其于包含含有40～70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4～6mm的板状体的两面，被覆由以铝为主成分的金属或铝-陶瓷系复合材料形成的被覆层而形成铝-金刚石系复合体，在其至少两主面，从主面侧依序形成(1)膜厚0.1～1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1～5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05～4μm的Au层而成，此处，Ni合金层和Ni层的比率(Ni合金层厚/Ni层厚)为0.3以下。

公开(公告)号：CN106232845B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201580022037.7

申请日：2015-04-23

申请人： 电化株式会社

发明人： 石原庸介 ,  宫川健志 ,  塚本秀雄 ,  成田真也

IPC分类号： C22C26/00 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  H01L23/373

摘要： 本发明的目的在于提供一种铝‑金刚石系复合体，该铝‑金刚石系复合体兼具高热传导率和与半导体元件接近的热膨胀率，即使在于高负荷下的实际使用中也能够抑制表面金属层部分的膨胀等的产生。本发明提供铝‑金刚石系复合体，其特征在于，粒径的体积分布的第一峰位于5～25μm，第二峰位于55～195μm，粒径为1～35μm的体积分布的面积与粒径为45～205μm的体积分布的面积的比率为1比9至4比6，该铝‑金刚石系复合体含有65体积％～80体积％的圆形度为0.94以上的金刚石粉末，剩余部分由含有铝的金属构成。

公开(公告)号：CN102318093B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201080007859.5

申请日：2010-02-10

申请人： 电化株式会社

发明人： 广津留秀树 ,  塚本秀雄 ,  石原庸介

IPC分类号： H01L33/64 ,  B22D18/02 ,  B32B15/04 ,  C04B41/88 ,  C23C30/00

CPC分类号： B22D18/02 ,  B22F3/26 ,  B22F2998/10 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C22C26/00 ,  C22C29/06 ,  C22C29/12 ,  C22C29/16 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12007 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/4541 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/51 ,  C04B41/522 ,  C04B35/04 ,  C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/581 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B35/505 ,  C04B41/00 ,  C23C30/00 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后，在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层，使得金属层厚度达到0.5-15μm，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的1种以上形成，气孔率为10-50体积％，3点弯曲强度为50MPa以上。

公开(公告)号：CN106415822B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201580027795.8

申请日：2015-05-26

申请人： 电化株式会社

发明人： 宫川健志 ,  纪元德 ,  石原庸介

IPC分类号： H01L23/10 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C26/00 ,  C22C30/02 ,  C22C30/06 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40

摘要： 本发明提供低廉且散热性优异的半导体封装体。根据本发明，提供一种半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝‑金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层使用包含平均粒径为1nm以上并且100μm以下的氧化银微粒或者有机覆膜银微粒的复合材料而形成。

公开(公告)号：CN106796920B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201580054388.6

申请日：2015-08-05

申请人： 电化株式会社

发明人： 后藤大助 ,  宫川健志 ,  石原庸介

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H01L23/36

摘要： 本发明提供将电路基板接合后的翘曲的回复小、散热性优异的散热部件的制造方法和采用该制造方法制造的散热部件。本发明提供散热部件的制造方法，其为包括包含碳化硅和铝合金的复合化部、具有翘曲的平板状的散热部件的制造方法，其特征在于，用具有450℃以上的表面温度、具有曲率半径7000mm～30000mm的1对相对的球面的凹凸模夹持散热部件，以该散热部件的温度成为450℃以上的温度的方式用10KPa以上的应力模压30秒以上。

公开(公告)号：CN106796920A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580054388.6

申请日：2015-08-05

申请人： 电化株式会社

发明人： 后藤大助 ,  宫川健志 ,  石原庸介

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H01L23/36

摘要： 本发明提供将电路基板接合后的翘曲的回复小、散热性优异的散热部件的制造方法和采用该制造方法制造的散热部件。本发明提供散热部件的制造方法，其为包括包含碳化硅和铝合金的复合化部、具有翘曲的平板状的散热部件的制造方法，其特征在于，用具有450℃以上的表面温度、具有曲率半径7000mm～30000mm的1对相对的球面的凹凸模夹持散热部件，以该散热部件的温度成为450℃以上的温度的方式用10KPa以上的应力模压30秒以上。

公开(公告)号：CN106415822A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027795.8

申请日：2015-05-26

申请人： 电化株式会社

发明人： 宫川健志 ,  纪元德 ,  石原庸介

IPC分类号： H01L23/10 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C26/00 ,  C22C30/02 ,  C22C30/06 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40

CPC分类号： H01L23/3737 ,  B22F1/0011 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/02 ,  B22F7/064 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/25 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3602 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C26/00 ,  C22C30/02 ,  C22C30/06 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/047 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/40 ,  H01L2924/16195

摘要： 本发明提供低廉且散热性优异的半导体封装体。根据本发明，提供一种半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝-金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层使用包含平均粒径为1nm以上并且100μm以下的氧化银微粒或者有机覆膜银微粒的复合材料而形成。

公开(公告)号：CN106232845A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580022037.7

申请日：2015-04-23

申请人： 电化株式会社

发明人： 石原庸介 ,  宫川健志 ,  塚本秀雄 ,  成田真也

IPC分类号： C22C26/00 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  H01L23/373

CPC分类号： F28F13/18 ,  C01B32/28 ,  C01B32/914 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C26/00 ,  C22C2026/008 ,  F28F21/084 ,  F28F21/089 ,  F28F2255/06 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/12063 ,  Y10T428/12069 ,  Y10T428/12076 ,  Y10T428/12083 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12944 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种铝-金刚石系复合体，该铝-金刚石系复合体兼具高热传导率和与半导体元件接近的热膨胀率，即使在于高负荷下的实际使用中也能够抑制表面金属层部分的膨胀等的产生。本发明提供铝-金刚石系复合体，其特征在于，粒径的体积分布的第一峰位于5～25μm，第二峰位于55～195μm，粒径为1～35μm的体积分布的面积与粒径为45～205μm的体积分布的面积的比率为1比9至4比6，该铝-金刚石系复合体含有65体积％～80体积％的圆形度为0.94以上的金刚石粉末，剩余部分由含有铝的金属构成。