公开(公告)号：CN105811753A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610154834.7

申请日：2016-03-17

申请人： 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

发明人： 李元勋 ,  叶剑 ,  苏桦 ,  谢云松 ,  张怀武 ,  唐晓莉

IPC分类号： H02M3/00 ,  H05K1/02

CPC分类号： H02M3/00 ,  H05K1/0218

摘要： 本发明提供一种LTCC耐大电流DC?DC变换器基板，包括底部含有气隙层的电感、金属屏蔽层、陶瓷层、表面印制电路、表贴器件，电感包括上下两磁性层、夹在两磁性层之间的非磁性层、内埋的导线，所述非磁性层即气隙层；本发明通过磁性材料与非磁性材料的匹配共烧，在电感中通过引入非磁性的气隙层，提高的电感的抗直流偏置的能力，使得整个变换器能在更大电流的情况下工作；避免了原来直接在磁性层上印制表面电路，走线之间的耦合问题；同时屏蔽层的加入，使得底层的磁性器件和表面的电路处在两个相对独立的工作环境中，减少了磁性器件工作时对电路产生的影响。

公开(公告)号：CN103346749A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310245854.1

申请日：2013-06-20

申请人： 电子科技大学 ,  东莞成电华瓷电子科技有限公司 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

发明人： 李元勋 ,  滕林 ,  陈振威 ,  康建宏 ,  沈健 ,  张怀武 ,  黄树锋

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/19

摘要： 本发明公开了一种LTCC集成封装表面贴晶体振荡器，包括LTCC陶瓷基板、盖板、IC芯片、晶体元件和晶体振荡电路，在LTCC陶瓷基板的背面印刷有外电极，在LTCC陶瓷基板的正面设置有空腔，所述空腔为台阶式空腔，在空腔内由上往下依次设有晶片搭载平台、IC搭载平台，晶片搭载平台平衡设置在空腔的底部，晶体元件放置晶片搭载平台上，IC芯片放置在IC搭载平台上，在IC搭载平台上设有IC引脚内电极，在晶片搭载平台上分别设有晶片引脚内电极。本发明LTCC集成封装表面贴晶体振荡器将晶体振荡电路中的无源功能元件和IC芯片外围电路集成于LTCC基板中，增加晶体振荡器内部元器件数目，使其能够更好地适用，以实现多功能应用。

公开(公告)号：CN102891625A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210364322.5

申请日：2012-09-27

申请人： 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

发明人： 李元勋 ,  刘颖力 ,  张怀武 ,  郁国良 ,  李颉 ,  左林 ,  李强

IPC分类号： H02N2/18

摘要： 一种磁电复合能量转换装置，属于能源器件技术领域。所述磁电复合能量转换装置是由磁致伸缩材料和压电材料粘接成的异质结构，通过弹性基板固定在支撑结构中。本发明利用磁电复合结构的磁电耦合效应可以将环境中的电磁能量转换成电能。本发明可用于无人值守环境中，为无线传感器提供电能，免去携带和更换电池的不便；也可用于电磁污染环境的检测和清洁领域。

公开(公告)号：CN203480208U

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201320485690.5

申请日：2013-08-09

申请人： 电子科技大学 ,  东莞成电华瓷电子科技有限公司 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

发明人： 李元勋 ,  康建宏 ,  陈振威 ,  王润洲 ,  沈健 ,  滕林

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/30

摘要： 本实用新型公开了一种全自动曝光显影印刷机，它包括封闭暗箱，在封闭暗箱内设有带有四个真空吸嘴的搬运机械手、装有承印膜片的第一储料盒、导轨、印刷平台、装有掩膜板的第二储料盒、显影平台、紫外线光源、CCD摄像头，搬运机械手安装在导轨上，在导轨上来回滑动，第二储料盒、第一储料盒、印刷平台、显影平台沿着导轨依次设置，在印刷平台的上方设有紫外线光源，在封闭暗箱的上方设有CCD摄像头。本实用新型全自动曝光显影印刷机弥补了传统丝网印刷机不能在暗箱中进行曝光和显影的不足，通过在暗箱中一系列全自动操作实现丝网印刷、曝光和显影，进而实现了在多种小尺寸电子元器件内部制作精细图形、线路的过程。

公开(公告)号：CN107573067A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710758267.0

申请日：2017-08-29

申请人： 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

发明人： 李元勋 ,  郑阳 ,  陈大明 ,  郁国良 ,  李亚菲 ,  苏桦 ,  刘悦 ,  张怀武

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/64 ,  H01L41/43

摘要： 本发明提供一种锆钛酸铅基压电陶瓷片的低温烧结方法，包括下述步骤：将PbO原料粉体、ZrO2原料粉体、TiO2原料粉体及Sm2O3原料粉体按Pb1-xSmx(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3化学通式进行配料，获得混合粉体；球磨，烘干，并预烧得到预烧结粉体；用淬火法制备玻璃助烧剂LBBS，将预烧结粉体与玻璃助烧剂混合、球磨、烘干、造粒，并压片得到压电陶瓷生坯；将压电陶瓷生坯进行排胶和烧结，得到压电陶瓷片，本发明将压电陶瓷片的烧结温度从1000℃以上降低至850℃，很大程度上减少了铅(熔点为980℃)的挥发，减轻了对人体的损害及环境的污染，提高了陶瓷烧结的致密化，相对密度达到95％。

公开(公告)号：CN118619662A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410663457.4

申请日：2024-05-27

申请人： 电子科技大学

发明人： 李元勋 ,  阮丽梅 ,  李馥余 ,  曲明山 ,  韩莉坤 ,  刘新研

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于陶瓷封装材料技术领域，具体为一种与GaAs半导体热匹配的电子封装陶瓷材料及其制备方法，分子式为ZnAl2‑xBxO4(0.02≤x≤0.08)。本发明在ZnAl2O4陶瓷良好介电性能的基础上，利用B3+取代价态相同且半径相近的Al3+，通过B3+对Al3+的纯相取代，提升了该陶瓷的微波介电性能和CTE，进而作为高频、大功率和超大规模集成电路中GaAs半导体热匹配的电子封装陶瓷材料。其中，优选x＝0.04，1300℃预烧，1450℃烧结时得到的ZnAl1.96B0.04O4陶瓷，微波介电性能和CTE：εr＝8.3、Q×f＝68586GHz、τf＝‑46.5ppm/℃、CTE＝7.21×10‑6K‑1。

公开(公告)号：CN110723965B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201911139445.7

申请日：2019-11-20

申请人： 电子科技大学 ,  东莞成启瓷创新材料有限公司

发明人： 苏桦 ,  黄芳仪 ,  唐晓莉 ,  李元勋 ,  陶志华 ,  陈加旺 ,  陈振威

IPC分类号： C04B35/14 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，涉及一种无助熔剂的LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的LTCC微波陶瓷材料，低介低损耗，以CaMg1‑x‑yLi2xZnySi2O6为主晶相，0.1≤x≤0.3，0.1≤y≤0.3，于850℃～950℃烧结，介电常数εr6.9～7.8，品质因数Q×f值25000GHz～45800GHz，谐振频率温度系数τf为‑30～‑40ppm/℃，通过固相法制备。有效降低信号传输过程中的损耗和信号串扰风险，可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中；材料体系中未加入任何玻璃助熔剂，不仅降低了材料制备工艺和成本，而且更有利于提升材料的品质因数并减少因玻璃掺杂引起的LTCC工艺兼容性问题；生产原料便宜，工艺工程简单，方便操作并利于降低成本。

公开(公告)号：CN118084477A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410061472.1

申请日：2024-01-16

申请人： 电子科技大学

发明人： 李元勋 ,  杨瑞 ,  阮丽梅 ,  李馥余 ,  刘新研 ,  苏桦

IPC分类号： C04B35/447 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  G01R1/067

摘要： 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，具体涉及一种MgF2掺杂改性的CZP陶瓷材料及其制备方法与应用。本发明以具有负热膨胀系数、低介电常数的CZP陶瓷材料为基础，通过掺杂MgF2来改善CZP陶瓷的烧结性能，通过不同的掺杂量，在1000℃～1100℃较低温度下烧结致密化，使得改性后的CZP陶瓷材料的热膨胀系数CTE在2.9×10‑6/℃～5.87×10‑6/℃、介电常数为5.63～9.19、杨氏模量为40GPa～147Gpa。本发明提供了一种低介电常数、近硅的低热膨胀系数、较高机械强度、致密度良好的CZP复合陶瓷材料，可应用于基于多层陶瓷共烧技术制作晶圆探针卡陶瓷转接基板材料使用。

公开(公告)号：CN116768626B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310180379.8

申请日：2023-02-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘浩天 ,  刘成 ,  赵学明 ,  黄达 ,  张岱南 ,  李元勋 ,  张怀武

IPC分类号： C04B35/499 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法，用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成，其分子式为：Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6，x的取值范围为：0.00≤x≤0.10；该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上，通过Sn4+离子掺杂改性，使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点，为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案；同时，该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点，利用工业化生产。

公开(公告)号：CN117142849A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311131861.9

申请日：2023-09-04

申请人： 电子科技大学

发明人： 樊亮晨 ,  廖宇龙 ,  李元勋 ,  向全军 ,  李杰 ,  文天龙

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于微波介电陶瓷材料领域，具体提供一种基于骨架效应生长锌镁钛微波陶瓷的方法，使制备得到的锌镁钛微波介电陶瓷材料具有低的介电常数和低的介电损耗，适合于制造性能优异的陶瓷基板。本发明采用Zn0.7Mg0.3TiO3体系，从原料的原始粒径出发，由微米级二氧化钛原料作为主骨架，纳米级氧化锌和氧化镁原料作为烧结填充剂，从形成类似于混凝土的胶结结构，该结构能够大大改善烧结特性，避免气泡的产生，增强陶瓷的机械强度；最终，本发明利用骨架效应(粒径效应)改善了Zn0.7Mg0.3TiO3微波介电陶瓷的烧结性，获得了介电常数为21.714、Q×f＝48486.6、谐振频率温度稳定系数为‑46.3ppm/℃的微波介电陶瓷材料，有望用于制造陶瓷基板。