公开(公告)号：CN103700681B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201310737987.0

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置（1）包括对入射光进行光电转换的光接收部分（12）。该固态成像装置（1）具有形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上以降低界面态的膜（21），以及形成在形成为降低界面态的膜（21）上且具有固定负电荷的膜（22）。空穴积聚层（23）形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上。

公开(公告)号：CN103390627B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310232383.0

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN102254926B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201110226436.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

公开(公告)号：CN102324431B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201110304563.6

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

公开(公告)号：CN103050501A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210551421.4

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224 ,  H04N5/374 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN102324431A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110304563.6

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

公开(公告)号：CN101669205A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200780052901.3

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/148 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

公开(公告)号：CN101409301A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810161899.X

申请日：2008-10-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 押山到 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  山口哲司 ,  大岸裕子 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明公开了一种具有执行入射光的光电转换的感光部的固态成像装置及其制造方法和成像装置，该固态成像装置包括：形成在所述感光部的光接收面上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的具有负电荷的层；以及形成在所述感光部的所述光接收面上的空穴聚集层。利用本发明的固态成像装置，因为暗电流能够被抑制，所以成像图像中的噪声能够被减小。结果，具有能够获得高质量图像的优势。

公开(公告)号：CN101079967A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710128250.3

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN102184932B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201110121438.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/361

Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。