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公开(公告)号：CN113747328B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202111031057.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端，该制造方法包括：在衬底上方形成第一背板；在第一背板上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成振膜，振膜沿第二牺牲层的侧壁、第一背板的侧壁延伸至衬底上；以及去除部分第二牺牲层，余下的第二牺牲层作为第二支撑部。该制造方法通过令振膜覆盖第二牺牲层的侧壁，减小了释放工艺中释放液从第二牺牲层的侧壁侵蚀的风险。
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公开(公告)号：CN112897448B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110212913.X
申请日：2021-02-25
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法。该微机电结构包括：背板，具有至少一个通孔；感应膜，包括运动区、非运动区、连接运动区与非运动区的梁结构，运动区与背板构成可变电容；至少一个连接柱，每个连接柱的一端与感应膜的运动区固定连接；以及至少一个可动结构，分别位于相应的通孔中以与背板分离，每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接，其中，可动结构在感应膜上的正投影与部分非运动区重合。该微机电结构通过可动结构对感应膜的形变程度进行限制，从而提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。
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公开(公告)号：CN112499576B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011295919.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括：衬底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述振膜上，具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件，衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。
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公开(公告)号：CN112492491B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011531341.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风、微机电结构及其制造方法。该微机电结构包括：具有第一通孔的第一背极板；具有第二通孔的第二背极板，位于第一背极板上；振动膜，位于第一背极板与第二背极板之间，振动膜与第一背极板构成第一可变电容，与第二背极板构成第二可变电容；第一防护层，与振动膜分别位于第一背极板的两侧，用于阻挡异物经第一通孔进入第一背极板与振动膜之间的间隙；第二防护层，与振动膜分别位于第二背极板的两侧，用于阻挡异物经第二通孔进入第二背极板与振动膜之间的间隙；以及第二连接部，位于第二背极板表面并固接在第二防护层与第二背极板之间，以使第二防护层与第二背极板分隔。
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公开(公告)号：CN113460952A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110795758.9
申请日：2021-07-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS器件及其制造方法，方法包括：形成第一功能层；在所述第一功能层上形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层中具有凹槽；在所述第二牺牲层上形成第二功能层，所述第二功能层填充所述第二牺牲层中的凹槽形成防粘结构，其中，所述第一牺牲层采用低密度氧化硅材料，所述第二牺牲层采用高密度氧化硅材料。本申请的MEMS器件的制造方法中，在振膜或背极板靠近空腔的一侧表面上形成有防粘结构，该防粘结构采用两层牺牲层形成，具有更加圆滑的形貌，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效和产品的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107666645B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710692246.3
申请日：2017-08-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 一种具有双振膜的差分电容式麦克风，包括：背板；第一振动膜，被绝缘支撑于所述背板的第一表面，所述背板与第一振动膜构成第一可变电容；第二振动膜，被绝缘支撑于所述背板的第二表面，所述背板与第二振动膜构成第二可变电容；其特征在于：所述背板具有至少一个连接孔；所述第二振动膜具有向背板方向凹陷的凹陷部，所述凹陷部穿过所述连接孔，与第一振动膜绝缘连接。上述具有双振膜的差分电容式麦克风具有更高的信噪比。
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公开(公告)号：CN106412782A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611032043.3
申请日：2016-11-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: 本发明的微硅麦克风及制造方法，用于解决微硅麦克风应力影响灵敏度以及制造工艺的技术问题。本发明的微硅麦克风包括振动膜层，所述振动膜层包括振动梁和振动膜，振动梁围绕振动膜的边缘均匀布设，振动梁的一端固定在振动膜的边缘，振动梁的另一端固定在支撑结构上。
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公开(公告)号：CN116405857B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310675561.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请提供了一种降噪式MEMS麦克风及电子设备，包括：基板；外壳罩设于基板，外壳设有第一腔体和第二腔体；第一MEMS传感器，设于第一腔体内，用于生成第一振动信号；第二MEMS传感器，设于第二腔体内，用于生成第二振动信号和声信号；电路，用于对第一振动信号、第二振动信号以及声信号进行差分处理，生成差分处理后的输出信号。第二MEMS传感器既能拾取声信号又能拾取振动信号，第一MEMS传感器仅能拾取机械振动信号，通过差分处理，从而降低噪声中的机械振动引起的噪声，提高降噪式MEMS麦克风的信噪比；同时提高了MEMS麦克风整体的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN115334427B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211245257.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司(CN)
Abstract: 本发明涉及一种封装结构、装配结构及电子设备，涉及麦克风领域，其中封装结构包括具有相对的第一侧和第二侧的基板、与基板的第一侧固定连接的壳体、以及位于基板以及壳体共同形成的第一空腔内且与基板固定连接的感测组件，并且基板对应于感测组件的区域处开设有在厚度方向上贯通基板的进音孔；其中，基板的第二侧设置有向远离基板的第一侧延伸的凸起部，凸起部环绕进音孔并形成第二空腔，第二空腔与进音孔相连通以共同形成进音通道，将本实施例中的封装结构与其他产品装配时，可以将凸起部卡在其他产品的承接板的内部，提高了装配后的产品的防跌落能力，避免了焊接后基板的第二侧表面与承接板的表面之间存在缝隙导致的漏气。
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公开(公告)号：CN114079844A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010847895.8
申请日：2020-08-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风及其微机电结构。该微机电结构包括：背板；振动膜，具有至少一个通孔，并与背板构成可变电容；至少一个连接柱，每个连接柱的一端与背板固定连接；以及至少一个可动结构，分别位于相应的通孔中以与振动膜分离，每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接，其中，可动结构与通孔之间的间隙用于气体流通。该微机电结构通过在振动膜的通孔中设置与振动膜分离的可动结构，使得可动结构与通孔之间存在间隙，从而使得微机电结构的泄气量适应于不同外界声压，进而在保障MEMS麦克风性能的同时，改善了振动膜形变量大的问题。
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