公开(公告)号：CN111725200A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010107575.9

申请日：2020-02-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H.布劳尼施 ,  A.埃尔舍比尼 ,  G.多吉亚米斯 ,  T.坎盖英 ,  R.迪希勒 ,  J.斯万 ,  V.普罗科夫

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/66 ,  H01L21/98

Abstract: 实施例可涉及多芯片微电子封装，该多芯片微电子封装包含耦合到封装衬底的第一管芯和第二管芯。第一管芯和第二管芯可具有各自的辐射元件，所述辐射元件彼此通信耦合，使得它们可经由具有在近似20千兆赫（GHz）或以上的频率的电磁信号进行通信。可描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN104321868A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380028085.8

申请日：2013-06-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 林启文 ,  Q.马 ,  F.爱德 ,  J.斯万 ,  郑永康

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B7/0058 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00246 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/007 ,  G01L9/0073 ,  H01L24/19 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162

Abstract: 本发明描述了一种具有气压传感器的半导体封装和用以形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，一种半导体封装包括多个累积层。在一个或多个累积层中设置腔。气压传感器被设置在多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极。还描述了用于制造具有气密密封区域的半导体封装的各种方法。