公开(公告)号：CN112038324A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010219087.7

申请日：2020-03-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 林启文 ,  S.B.克伦登宁 ,  T.A.特罗尼克 ,  U.阿兰 ,  E.曼内巴赫

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了具有空气间隙的局部互连。一种集成电路包括包含绝缘介电体的基底。多个导线以间隔开的布置在所述基底上方垂直延伸，所述多个导线包括第一导线和与第一导线相邻的第二导线。空隙在第一与第二导线之间。绝缘材料盖体位于所述空隙上方并且限定所述空隙的上边界，使得所述空隙进一步位于所述基底与所述绝缘材料盖体之间。在一些实施例中，一个或多个通孔接触导线中的一个或多个的上端。

公开(公告)号：CN104321868B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201380028085.8

申请日：2013-06-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 林启文 ,  Q.马 ,  F.爱德 ,  J.斯万 ,  郑永康

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B7/0058 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00246 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/007 ,  G01L9/0073 ,  H01L24/19 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162

Abstract: 描述了一种具有气压传感器的半导体封装和用以形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，一种半导体封装包括多个累积层。在一个或多个累积层中设置腔。气压传感器被设置在多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极。还描述了用于制造具有气密密封区域的半导体封装的各种方法。

公开(公告)号：CN104321868A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380028085.8

申请日：2013-06-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 林启文 ,  Q.马 ,  F.爱德 ,  J.斯万 ,  郑永康

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B7/0058 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00246 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/007 ,  G01L9/0073 ,  H01L24/19 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162

Abstract: 本发明描述了一种具有气压传感器的半导体封装和用以形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，一种半导体封装包括多个累积层。在一个或多个累积层中设置腔。气压传感器被设置在多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极。还描述了用于制造具有气密密封区域的半导体封装的各种方法。