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公开(公告)号：CN115626820B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211362701.0
申请日：2022-11-02
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F27/00 , H01P1/18
摘要： 本发明公开了一种异质叠层共烧铁氧体陶瓷的制备方法，本发明涉及铁氧体材料制备技术领域，该方法包括以下步骤：将NiZn铁氧体粉体放入模具中，预压，制得NiZn铁氧体素坯；在模具内NiZn铁氧体素坯的上方，放入MnZn铁氧体粉体，预压，制得叠层素坯；进行放电等离子体烧结，制得异质叠层共烧铁氧体陶瓷。本发明在较低温度和较短时间内，成功制备出异质界面清晰的MnZn铁氧体/NiZn铁氧体异质叠层共烧陶瓷，并通过掺杂助烧剂，从而制备出整体密度高、微观结构均匀的异质叠层共烧铁氧体陶瓷。本发明解决了现有技术中很难在相同的烧结温度下，获得整体均匀、致密的异质叠层共烧陶瓷的问题。
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公开(公告)号：CN115647618A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211375565.9
申请日：2022-11-04
申请人： 西南科技大学 , 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC分类号： B23K26/382 , B23K26/402 , B23K26/60 , B24B1/00 , C30B29/28 , C30B33/00
摘要： 本发明公开了一种单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板上的微孔加工方法，包括；单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板的前处理：将单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板表面打磨抛光、超声清洗和干燥；加工圆形通孔：通过皮秒激光对前处理后的单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板进行微加工，得到成形的圆形通孔；对加工圆形通孔后的单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板进行后处理：将单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板进行超声清洗，干燥后完成圆形通孔的微加工。本发明能够对单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板材料进行微孔加工，加工工艺具有稳定、效率高、精度高等优点，对于解决单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜器件加工难及应用研究等问题具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115626820A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211362701.0
申请日：2022-11-02
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F27/00 , H01P1/18
摘要： 本发明公开了一种异质叠层共烧铁氧体陶瓷的制备方法，本发明涉及铁氧体材料制备技术领域，该方法包括以下步骤：将NiZn铁氧体粉体放入模具中，预压，制得NiZn铁氧体素坯；在模具内NiZn铁氧体素坯的上方，放入MnZn铁氧体粉体，预压，制得叠层素坯；进行放电等离子体烧结，制得异质叠层共烧铁氧体陶瓷。本发明在较低温度和较短时间内，成功制备出异质界面清晰的MnZn铁氧体/NiZn铁氧体异质叠层共烧陶瓷，并通过掺杂助烧剂，从而制备出整体密度高、微观结构均匀的异质叠层共烧铁氧体陶瓷。本发明解决了现有技术中很难在相同的烧结温度下，获得整体均匀、致密的异质叠层共烧陶瓷的问题。
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公开(公告)号：CN114540754A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210349511.9
申请日：2022-04-02
申请人： 西南科技大学
摘要： 本发明提供了一种Cu/Ti‑W/陶瓷复合材料及其制备方法，属于火工品技术领域。本发明提供的制备方法首先将陶瓷基片进行离子轰击，这一方式能够有效提高陶瓷基体表面的活性，从而更有利于金属材质薄膜层的结合；然后将经过轰击的陶瓷基片预先通过一次磁控溅射镀覆Ti‑W过渡层，可以有效提高金属爆炸箔即纯铜层与陶瓷基片之间的结合力。实验结果表明，通过多次百格划格法测试膜基结合力，发现Cu/Ti‑W/陶瓷复合材料的切口边缘完全光滑，格子边缘没有任何剥落、卷曲等现象；经过3M胶带沾粘10次薄膜未脱落，其结合力满足后续光刻工艺制备成爆炸箔，在严苛条件下能正常使用，大幅提高了爆炸箔与陶瓷的结合力。
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公开(公告)号：CN118714912A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410765254.6
申请日：2024-06-14
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： H10N30/076 , H10N30/01 , H10N30/06 , H10N30/87
摘要： 本发明公开了一种用于智能螺栓的ZnO压电薄膜制备方法，包括以下步骤：S1：对基片进行清洗处理，得到清洗后的基片样品；S2：对清洗后的基片样品刻蚀处理，得到刻蚀后的样品；S3：使用磁控溅射薄膜沉积系统，在刻蚀后的样品上沉积ZnO薄膜；S4：使用硬掩模板和导电银浆制备电极。本发明首次使用磁控溅射不同功率薄膜叠加工艺，实现了压电系数显著提升；采用银浆厚电极提升了压电薄膜和基底之间的绝缘性。
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公开(公告)号：CN117144318A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311217627.8
申请日：2023-09-20
申请人： 西南科技大学
摘要： 本发明磁控溅射领域，公开了一种常温磁控溅射金薄膜的方法，包括以下步骤：S1:清洗需要磁控溅射金薄膜的陶瓷基片；S2:为陶瓷基片表面做活化处理，表面做活化处理方式选自使用离子源轰击陶瓷基片表面10～200秒；S3:磁控溅射过渡层一，所述过渡层一选自Cr，溅射温度为常温；S4:磁控溅射过渡层二，所述过渡层二选自Cu，溅射温度为常温；S5:磁控溅射功能层，所述功能层为Au，溅射温度为常温。本发明改变传统的磁控溅射金过渡层，常温下，采用Cr过渡层的基础上再溅射Cu过渡层，最后溅射Au功能层；基底和Cr过渡层、Cr过渡层和Cu过渡层、Cu过渡层和Au功能层都有良好的结合力，实现了常温下在避免加热材料的表面上制备具有良好结合力的金薄膜。
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公开(公告)号：CN117038570A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311004390.5
申请日：2023-08-10
申请人： 西南科技大学
摘要： 本发明公开了一种利用光刻技术转移电路图形的方法，包括：将第一部分电路图形通过光刻转移到衬底上，将电路沉积在第一部分电路图形上，得到第一部分电路；使用正胶工艺或负胶工艺在带有第一部分电路的衬底上沉积第二部分电路，实现第二部分电路与第一部分电路的搭接导通。本发明所提供的光刻图形转移方法相比现有对准方案操作简单易行，参数可控，成功率可保证，节约成本。本发明所提供的方法制得电路线条清晰，边缘光滑，导通顺畅，线宽标准。
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公开(公告)号：CN111579126A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010500916.9
申请日：2020-06-04
申请人： 西南科技大学 , 中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所
摘要： 本发明提供一种高温热流传感器，包括：基于横向热电效应进行工作的敏感层，所述敏感层包括倾斜(AB)N多层膜，倾斜(AB)N多层膜由两种不同的材料A和材料B交替堆砌而成。所述倾斜(AB)N多层膜相对于水平方向存在一倾斜角α，0°＞α＞90°。本发明的热流传感器能工作于高温环境下，且制作工艺简单。本发明所选的材料在空气环境中工作上限温度都能到800℃。通过选取特定材料，热流传感器的工作温度甚至可以高达1500℃。
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公开(公告)号：CN110195209A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910506818.3
申请日：2019-06-12
申请人： 西南科技大学
摘要： 本发明公开了一种可见红外宽频带光吸收材料，其特征是：该可见红外宽频带光吸收材料是铜的薄膜，是以多孔氧化铝阵列膜板为模板将铜经磁控溅射生成的铜多孔纳米薄膜。制备方法包括：制备多孔氧化铝阵列模板；将铜进行磁控溅射，制备多孔氧化铝阵列模板附着铜膜：用化学腐蚀法进行分离，制得铜多孔纳米薄膜。采用本发明制备的铜多孔纳米薄膜在200nm～2500nm的波长范围内吸光率均达到90%以上、性能良好，可以作为理想的光吸收剂，具有薄、轻等特点，适用于太阳能电池光吸收材料、可见红外光敏传感器等领域，也可直接作为可见红外宽频带光吸收材料使用，实用性强。
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公开(公告)号：CN101834053A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010177285.8
申请日：2010-05-19
申请人： 西南科技大学
摘要： 本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该多层膜钉扎材料包括基片和在基片上设置的缓冲层、铁磁层I、反铁磁层、铁磁层II和设于其上的保护层；其制备方法是在基片上采用磁控溅射依次沉积各层得到该多层膜材料。采用本发明方法制备的多层膜钉扎材料，不仅成功地实现了铁磁/反铁磁交换偏置，而且利用交换耦合作用，增强了反铁磁材料的钉扎性能，使得铁磁/反铁磁交换偏置体系更加稳定，更适合于磁电子学器件的应用；制备工艺简单、材料性能稳定。
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