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公开(公告)号：CN113314312B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110409520.8
申请日：2021-04-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁芯结构的集成平面电感，包括上层基板、下层基板，上层基板与下层基板之间设置有第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱、第四磁柱、第五磁柱、第六磁柱、第七磁柱、第八磁柱、上层绕组结构及下层绕组结构，其中，上层绕组结构位于下层绕组结构的上方，且上层绕组结构及下层绕组结构均缠绕于第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱、第四磁柱、第五磁柱、第六磁柱、第七磁柱及第八磁柱上，上层绕组结构与下层绕组结构相连接，该电感具有成本低、电感值高及结构简单的特点。
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公开(公告)号：CN113097159B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110302888.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法，铜底板上横向设置有多块DBC，多块DBC构成9个双向开关，DBC的功率回路通过功率端子引出，DBC上叠加设置有第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板通过引线键合的方式引出驱动端子，9个双向开关连接构成矩阵变换器的拓扑结构；本发明碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块具有体积小，寄生电感小，功率密度大的优点。
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公开(公告)号：CN116093094A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211575220.8
申请日：2022-12-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/16 , H02M1/00 , H01L23/15 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/64 , H01L23/552 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 基于氮化镓功率芯片的半桥智能功率模块及其制备方法，包括氮化镓芯片、解耦电容、第一驱动芯片、第二驱动芯片、功率铜面、驱动铜面、第一驱动芯片外围电路、第二驱动芯片外围电路和底部陶瓷基板；若干功率铜面和驱动铜面设置在底部陶瓷基板上，氮化镓芯片和解耦电容设置在功率铜面上，第一驱动芯片和第二驱动芯片设置在驱动铜面上，第一驱动芯片和第二驱动芯片分别对应连接有第一驱动芯片外围电路和第二驱动芯片外围电路；第一驱动芯片和第二驱动芯片用于驱动氮化镓芯片。本发明实现驱动芯片在模块内的集成。功率回路经过优化，功率换流回路寄生电感小于2nH，有效减小芯片开通关断过程中的过电压和电流震荡。
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公开(公告)号：CN113097159A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110302888.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法，铜底板上横向设置有多块DBC，多块DBC构成9个双向开关，DBC的功率回路通过功率端子引出，DBC上叠加设置有第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板通过引线键合的方式引出驱动端子，9个双向开关连接构成矩阵变换器的拓扑结构；本发明碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块具有体积小，寄生电感小，功率密度大的优点。
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公开(公告)号：CN103391439B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310304066.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H04N19/147 , H04N19/176
Abstract: 一种基于主动宏块隐藏的H.264/AVC码率控制方法，根据视频帧编码的目标比特数，为预先设定好的ROI和NROI宏块分配不同的目标编码比特数；然后对NROI宏块编码时，在H.264/AVC标准的率失真模式基础上，增加主动宏块隐藏模式，通过构造的率失真函数进行模式选择并编码；在对ROI宏块编码时，采用H.264/AVC标准规定的编码方法进行编码；当前宏块编码结束后，开始下一宏块的码率控制。当NROI的当前宏块选择主动宏块隐藏模式进行编码时，则当前宏块无需编码，减少了所用比特，将节省的比特分配给未编码的ROI宏块，使得ROI获得较多的比特，提高了ROI的编码质量，同时也提高视觉质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103269457B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310180283.8
申请日：2013-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H04N21/647 , H04N19/157 , H04N19/895
Abstract: 本发明提供一种基于失真估计的H.264/AVC视频包优先级调度方法：（1）对每个待发送的H.264/AVC视频包计算其包优先级指数PPI，其中，PPI由两类失真计算得到，每类失真包括两部分：视频包对当前帧造成的失真和视频包对后续帧的造成的失真；（2）计算视频包对当前帧造成的失真时，采用了一种基于失真估计模型的预测方法；（3）计算视频包对后续帧的造成的失真时，采用了利用扩散失真因子对失真估计模型所得失真进行加权的方法来求解；（4）在调度时，按照PPI的大小对待发送视频包进行排序调度后进行视频包的发送，本发明提高了接收端解码后的视频质量，提升了无线网络中视频传输的性能。
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公开(公告)号：CN113097154B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110304159.2
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种双向开关功率模块及其制备方法，覆铜基板DBC的一侧表面依次设置有驱动端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子，碳化硅MOSFET芯片包括多个且间隔设置，多个碳化硅MOSFET芯片之间两两一组并联连接形成两个不同方向的电力电子开关，每个碳化硅MOSFET芯片的栅极和源极分别经驱动电阻与驱动端子连接，多个碳化硅MOSFET芯片设置在同一片铜基板上，源极分别与功率端子连接，形成共漏极连接。本发明具有更高的工作频率，更好的可靠性，更低的热阻及良好的电气性能。
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公开(公告)号：CN118315381A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410429282.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
Abstract: 本发明属于电气机械及器材制造以及功率器件封装技术领域，具体涉及一种柔性氮化镓功率模块及其封装方法。柔性氮化镓功率模块包括基板，包括第一导电层和第二导电层，在第一导电层与第二导电层之间填充聚酰亚胺材料以形成聚酰亚胺介质层，第一导电层通过多个焊点与第二导电层电气连接；GaN器件具有至少两个，配置在第一导电层的一侧；解耦电容具有至少一个，配置在相邻两个GaN器件之间；第一导电层通过互联焊层分别与GaN器件、解耦电容连接；解耦电容与其相邻的两个GaN器件形成功率环路。本发明主要从低封装寄生参数和低芯片应力来保证功率模块在高频、高功率密度下安全高效运行，解决现有的封装方法寄生电感难以进一步减小的问题。
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公开(公告)号：CN116364672A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310342345.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H05K1/18 , H01L25/16 , H01L23/64 , H01L21/50
Abstract: 基于碳化硅功率芯片的双面散热功率模块及制备方法，包括第一底板、第二底板、功率铜面、驱动铜面、功率回路、第一驱动模块、第二驱动模块、第一解耦电容和第二解耦电容；第一底板和第二底板上均设置有功率铜面和驱动铜面，第一底板的功率铜面和第二底板的功率铜面之间设置有功率回路；第一底板的功率铜面上设置有第一解耦电容和第二解耦电容；第一底板的驱动铜面连接第一驱动模块，第二底板的驱动铜面连接有第二驱动模块。本发明功率模块内部集成解耦电容，并实现两个碳化硅功率半桥的并联。功率回路经过优化，功率换流回路寄生电感小于4nH，有效减小芯片开通关断过程中的过电压和电流震荡。同时优化驱动回路寄生电感，减小碳化硅芯片误开通现象。
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公开(公告)号：CN116314170A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310074662.2
申请日：2023-01-28
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块，包括金属基板、功率端子正极、功率端子负极、交流端子、上半桥碳化硅MOS芯片、下半桥碳化硅MOS芯片、底层芯片、作为交流端子引出层的顶层DBC基板、作为负极端子引出层的中间层DBC基板、作为正极端子引出层的底层DBC基板和功率回路金属柱；上半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与顶层DBC基板的铜层连接；下半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与底层DBC基板的铜层连接。本发明采用多层堆叠双面结构，使得换流路径为垂直换流结构，不仅减小了换流回路面积，而且通过各层相反的电流流向产生了不错的负互感抵消，优化模块换流路径。
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