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公开(公告)号：CN107068813B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710210413.6
申请日：2017-03-31
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低AlN圆环相间组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层，由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度；该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED，器件结构和制作流程简单，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN106816504B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710021574.0
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于m面SiC图形衬底的半极性AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的m面SiC衬底层、20‑120nm厚的GaN成核层、1500‑5000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1000‑2500nm厚的半极性AlN层，其中m面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN106816363A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710021593.3
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开了一种基于m面Al2O3衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al2O3衬底层、20‑100nm厚的AlN成核层、1000‑3000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑1000nm厚的半极性AlN层，其中m面Al2O3衬底层的表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1，本发明减小应力，简化图形衬底制作的工艺流程，缩短制作周期和减小费用成本，提高了AlN材料的质量，可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN104699985A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510136209.5
申请日：2015-03-26
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F19/00
摘要： 本发明涉及一种医疗大数据采集分析系统及方法，在采集医疗数据的地方安装数据采集器，将采集的数据上传到在线医疗采集平台；将存入的数据进行数据处理；找出数据中的规律；将分析后的数据运用在医疗领域上，做出临床决策、疾病预警和分析患者的行为；包括：在线医疗采集平台，HDFS分布式文件系统，Hbase数据库，Hadoop框架，分为四层：基础层、平台层、功能层、业务层。本发明实时采集人员健康状况，分布式的存储海量医疗数据，大数据批处理快速分析海量数据，做出临床决策、疾病预警和分析患者行为，在临床上提出多种治疗方案，对流行疾病爆发做出预警。
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公开(公告)号：CN106816363B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710021593.3
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开了一种基于m面Al2O3衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al2O3衬底层、20‑100nm厚的AlN成核层、1000‑3000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑1000nm厚的半极性AlN层，其中m面Al2O3衬底层的表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1，本发明减小应力，简化图形衬底制作的工艺流程，缩短制作周期和减小费用成本，提高了AlN材料的质量，可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN107146831B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710206926.X
申请日：2017-03-31
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层和发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有数根条纹，AlN成核层包括一层温度为750‑900℃的低温AlN成核层和950‑1100℃的高温AlN成核层，发光层为一层a面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用a面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN106784227B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201710021289.9
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程简单，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN107146831A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710206926.X
申请日：2017-03-31
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层和发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有数根条纹，AlN成核层包括一层温度为750‑900℃的低温AlN成核层和950‑1100℃的高温AlN成核层，发光层为一层a面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用a面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN106856162A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201710021836.3
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al2O3衬底层、30‑110nm厚的AlN成核层、1500‑5500nm厚的Al组分渐变AlGaN层和700‑1200nm厚的非极性a面AlN层，其中r面Al2O3衬底层的表面有由金刚石砂纸打磨形成的锯齿状条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN106784228A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710021851.8
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、1000‑8000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1500‑3000nm厚的非极性a面AlN层，其中r面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，用以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明无需进行光刻，缩短了制作周期，减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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