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公开(公告)号：CN113594342A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110546574.9
申请日：2021-05-19
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明涉及一种嵌套金刚石散热层的纳米柱LED结构及制备方法，该纳米柱LED结构包括：衬底层；成核层，位于衬底层上；第一n型掺杂GaN层，位于成核层上；键合层，间隔分布在第一n型掺杂GaN层上；金刚石层，位于键合层上；若干纳米柱LED结构，位于第一n型掺杂GaN层上，且每个纳米柱LED结构均嵌套于金刚石层和键合层中；若干第一电极，位于第一n型掺杂GaN层上，且位于金刚石层之间，若干第一电极与若干纳米柱LED结构一一对应；若干第二电极，一一对应的设置在纳米柱LED结构上。该纳米柱LED结构将纳米柱LED结构嵌套于金刚石层中，同时解决了器件的散热问题和出光问题，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN113193040A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110447695.8
申请日：2021-04-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/02 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种金刚石衬底上的AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道异质结及制备方法，主要解决传统的AlGaN/GaN基双沟道异质结极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：[111]晶向金刚石衬底层；低温GaN成核层；高温GaN成核层；GaN底层沟道层；ScAlN势垒层；GaN顶层沟道层；AlN势垒层；GaN帽层。本发明选用极化效应很强的ScAlN和AlN，能在异质结界面处产生大量极化电荷，使整体二维电子气浓度能维持在较高水平，且采用金刚石衬底可有效提高散热能力，从而提高AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道HEMT器件的电流密度和功率密度，可用来制作高电子迁移率晶体管。
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公开(公告)号：CN106816504A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710021574.0
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了一种基于m面SiC图形衬底的半极性AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的m面SiC衬底层、20‑120nm厚的GaN成核层、1500‑5000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1000‑2500nm厚的半极性AlN层，其中m面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN106784228B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201710021851.8
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、1000‑8000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1500‑3000nm厚的非极性a面AlN层，其中r面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，用以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明无需进行光刻，缩短了制作周期，减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN106816362A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710021288.4
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开了一种基于c面Al2O3图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的c面Al2O3衬底层、10‑90nm厚的AlN成核层、2000‑5000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1000‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面Al2O3衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN104468585A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410765889.2
申请日：2014-12-12
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H04L63/0869 , H04L63/0884 , H04W12/06
摘要： 本发明公开了一种基于代理的用户设备可信接入认证方法。主要解决现有的用户设备认证时间过长，无线网络覆盖范围小，且无线网络的安全性得不到保障的问题。其技术方案是：用户设备探寻认证服务器，若能够探寻到认证服务器，则用户设备与认证服务器进行双向身份认证，否则，用户设备与父节点进行权限判断；若父节点为已认证节点，则用户设备与父节点进行双向身份认证；若父节点为未认证节点，则父节点重复用户设备的探寻和认证过程，再执行与用户设备的认证，完成可信接入认证。本发明减少了认证时间，扩大了无线网络覆盖范围，提升了网络的安全性。可用于保护网络安全。
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公开(公告)号：CN113594342B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110546574.9
申请日：2021-05-19
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明涉及一种嵌套金刚石散热层的纳米柱LED结构及制备方法，该纳米柱LED结构包括：衬底层；成核层，位于衬底层上；第一n型掺杂GaN层，位于成核层上；键合层，间隔分布在第一n型掺杂GaN层上；金刚石层，位于键合层上；若干纳米柱LED结构，位于第一n型掺杂GaN层上，且每个纳米柱LED结构均嵌套于金刚石层和键合层中；若干第一电极，位于第一n型掺杂GaN层上，且位于金刚石层之间，若干第一电极与若干纳米柱LED结构一一对应；若干第二电极，一一对应的设置在纳米柱LED结构上。该纳米柱LED结构将纳米柱LED结构嵌套于金刚石层中，同时解决了器件的散热问题和出光问题，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN113140447A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110431294.3
申请日：2021-04-21
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/322
摘要： 本发明公开了一种基于TiN掩膜的GaN材料及其制备方法，主要解决现有技术由于化学机械抛光及刻蚀对材料造成的损伤问题。其自下而上包括：衬底(1)，GaN成核层(2)，c面GaN层(3)，该c面GaN层包含三层结构，第一层为经选择性腐蚀，表面有位错腐蚀坑的GaN层，第二层为覆盖在腐蚀坑上的TiN掩膜，第三层是以前两层为基板继续生长GaN层。本发明在制作过程中由于先在腐蚀过后的GaN表面溅射一层金属Ti，再通过高温使Ti金属聚合成球并流入腐蚀坑内，之后对表面进行氮化处理从而在腐蚀坑内形成TiN掩膜，阻止了腐蚀坑中的位错向上传播，避免了对GaN材料的损伤，可用于高性能、高可靠的光电器件和电子器件制备。
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公开(公告)号：CN106856162B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710021836.3
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al2O3衬底层、30‑110nm厚的AlN成核层、1500‑5500nm厚的Al组分渐变AlGaN层和700‑1200nm厚的非极性a面AlN层，其中r面Al2O3衬底层的表面有由金刚石砂纸打磨形成的锯齿状条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN106816362B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710021288.4
申请日：2017-01-12
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开了一种基于c面Al2O3图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的c面Al2O3衬底层、10‑90nm厚的AlN成核层、2000‑5000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1000‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面Al2O3衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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