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公开(公告)号：CN109728087B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910016393.8
申请日：2019-01-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/033 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米球掩膜的低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管制备方法，主要解决GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻较大的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；在淀积有SiO2的外延片上依次进行源漏区域光刻和涂附微纳米氧化铝微纳球；通过纳米球掩模刻蚀掉外延片上源漏区的SiO2层和AlGaN层，形成源漏区图形化纳米通孔，并进行清洗；在清洗后的外延片上生长n+‑GaN，并去除生长有n+‑GaN的外延片上的剩余的SiO2层；再进行源漏金属淀积，并热退火；在退火后的外延片上进行栅极制作。本发明欧姆接触电阻低，刻蚀工艺简单，可用于制作电力电子器件。
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公开(公告)号：CN106816363B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710021593.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于m面Al2O3衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al2O3衬底层、20‑100nm厚的AlN成核层、1000‑3000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑1000nm厚的半极性AlN层，其中m面Al2O3衬底层的表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1，本发明减小应力，简化图形衬底制作的工艺流程，缩短制作周期和减小费用成本，提高了AlN材料的质量，可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN109728087A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910016393.8
申请日：2019-01-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/033 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米球掩膜的低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管制备方法，主要解决GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻较大的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；在淀积有SiO2的外延片上依次进行源漏区域光刻和涂附微纳米氧化铝微纳球；通过纳米球掩模刻蚀掉外延片上源漏区的SiO2层和AlGaN层，形成源漏区图形化纳米通孔，并进行清洗；在清洗后的外延片上生长n+-GaN，并去除生长有n+-GaN的外延片上的剩余的SiO2层；再进行源漏金属淀积，并热退火；在退火后的外延片上进行栅极制作。本发明欧姆接触电阻低，刻蚀工艺简单，可用于制作电力电子器件。
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公开(公告)号：CN107146831B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710206926.X
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层和发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有数根条纹，AlN成核层包括一层温度为750‑900℃的低温AlN成核层和950‑1100℃的高温AlN成核层，发光层为一层a面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用a面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN107134512B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710206927.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED器件生长步骤繁多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面Al2O3衬底层、10‑40nm厚的高温AlN成核层、700‑2000nm厚的发光层和电极，其中发光层为一层N面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN材料，分别获得发紫外光、极紫外光和深紫外光不同颜色的发光二极管。本发明利用N面Ⅲ族氮化物薄膜内的反型畴代替传统LED的量子阱结构发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105869998B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610333650.7
申请日：2016-05-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硒化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN107170796A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710198228.X
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，其自下而上包括：漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，除漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内分别制作有分段栅场板(12)，该分段栅场板是由多个相互独立的浮空场板和一个栅场板构成，栅场板与栅极电气连接，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN107146831A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710206926.X
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层和发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有数根条纹，AlN成核层包括一层温度为750‑900℃的低温AlN成核层和950‑1100℃的高温AlN成核层，发光层为一层a面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用a面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN106856162A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201710021836.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al2O3衬底层、30‑110nm厚的AlN成核层、1500‑5500nm厚的Al组分渐变AlGaN层和700‑1200nm厚的非极性a面AlN层，其中r面Al2O3衬底层的表面有由金刚石砂纸打磨形成的锯齿状条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN106784228A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710021851.8
申请日：2017-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、1000‑8000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1500‑3000nm厚的非极性a面AlN层，其中r面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，用以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明无需进行光刻，缩短了制作周期，减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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