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公开(公告)号：CN108604899A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010690.0
申请日：2017-02-02
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H03K19/14 , H01L31/167
摘要： 一种光电耦合器(OPK)，其具有发送单元(S)和接收单元(EM)，所述发送单元与所述接收单元彼此电流隔离并且彼此光学耦合，并且集成在一个共同的壳体中。所述发送单元(S)具有至少一个第一发送二极管(SD1)和第二发送二极管(SD2)，所述第一发送二极管具有第一光波长(L1)，所述第二发送二极管具有第二光波长(L2)。所述接收单元(EM)的能量源(VQ)具有两个部分源(VQ1、VQ2)，其中，该第一部分源(VQ1)具有第一半导体二极管(D1)，该第二部分源(VQ2)具有第二半导体二极管(D2)，其中，该第一半导体二极管(D1)具有匹配于第一光波长(L1)的吸收边，该第二半导体二极管(D2)具有匹配于第二光波长(L2)的吸收边，使得该第一部分源(VQ1)在借助第一光波长(L1)照射时产生能量，该第二部分源(VQ2)在借助第二光波长(L2)照射时产生能量。两个部分源(VQ1，VQ2)构成共同的堆叠，并且相继布置的半导体二极管(D1、D2)通过隧道二极管串联连接。
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公开(公告)号：CN112447885A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010883746.7
申请日：2020-08-28
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 本发明涉及一种用于半导体晶片的金属化方法，至少包括以下步骤：提供半导体晶片，该半导体晶片具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆，其中，每个太阳能电池堆具有以所提到的顺序布置的构造所述半导体晶片的所述下侧的Ge‑衬底、Ge‑子电池和至少两个III‑V‑子电池，以及具有至少一个从半导体晶片的所述上侧达到所述下侧的贯通开口，该贯通开口具有连续的侧壁和在横截面中呈卵形的周边，借助于印刷方法将光刻胶层作为胶图案区域式地施加在所述半导体晶片的所述上侧或所述下侧上或者施加在所述上侧和所述下侧上，将金属层面式地施加到所述半导体晶片的涂覆有所述光刻胶层的表面的露出区域上以及施加到所述光刻胶层上，将所述胶图案与所述金属层的位于所述胶图案上的部分从所述半导体晶片剥离。
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公开(公告)号：CN112447860A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010868536.0
申请日：2020-08-26
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
发明人： W·克斯特勒
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种具有背侧接通的正侧的堆叠状的多结太阳能电池，该多结太阳能电池按顺序地彼此相继地具有构成多结太阳能电池的背侧的锗衬底、锗子电池以及至少两个III‑V族子电池，并且具有从多结太阳能电池的正侧穿过子电池延伸至背侧的敷镀贯通开口和引导通过该敷镀贯通开口的金属的连接接通部，其中，敷镀贯通开口具有连贯的侧面和椭圆形横截面的外周，其中，从多结太阳能电池的正侧到背侧，敷镀贯通开口的直径台阶状地降低，其中，锗子电池的正侧构造有向敷镀贯通开口突出的具有第一出口深度的周向第一台阶，其中，从锗子电池的位于锗子电池的pn结下方的区域中构造有向敷镀贯通开口突出的具有第二出口深度的周向第二台阶。
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公开(公告)号：CN108574028B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810203555.4
申请日：2018-03-13
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
摘要： 具有堆叠状结构的发光二极管，所述结构具有第一区域、第二区域和第三区域，其中，所有三个区域以如下顺序具有以下层：载体层、n掺杂的下包覆层和产生电磁辐射的有源层，其中，所述有源层包括量子阱结构，并且p掺杂的上包覆层和第一区域附加地具有构造在上包覆层上且由p+层和n+层构成的隧道二极管和n掺杂的电流分配层，其中，电流分配层和n掺杂的接通层以印制导线覆盖，并且对于第一区域附加地提及的层以上述顺序布置，并且其中，至少所述下包覆层、有源层、上包覆层、隧道二极管和电流分配层单片地构造，所述第二区域和第三区域不具有或仅部分地具有所述第一区域的附加层，并且所述第二区域具有具有底部区域的接通孔，并且在接通孔的底部区域中构造注入势垒，所述注入势垒面式地构造在上包覆层中或在上包覆层的表面处或在上包覆层的上方，并且所述印制导线以注入势垒覆盖，并且其中，所述第三区域有纹理地构造。
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公开(公告)号：CN110582855A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880028889.0
申请日：2018-03-08
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/167 , H01L31/0304 , H03K17/78 , H03K19/14 , G02F3/00
摘要： 一种光接收单元(EM)，其具有第一能量源(VQ1)，第一能量源具有分别构造为电流源或电压源的两个部分源(TQ1，TQ2)，在第一部分源(TQ1)的上侧上构造有第一连接接通部(VSUP1)，在第二部分源(TQ1)的下侧上构造有第二连接接通部(VSUP2)，部分源(TQ1，TQ2)分别具有至少一个半导体二极管(D1，D2)，第一半导体二极管(D1)具有与第一光波长(L1)相匹配的吸收棱边，第二半导体二极管(D2)具有与第二光波长(L2)相匹配的吸收棱边，第二光波长与第一光波长(L1)不同，从而第一部分源(TQ1)在以第一光波长(L1)进行照射的情况下产生电压，第二部分源(TQ2)在以第二光波长(L2)进行照射的情况下产生电压，第一半导体二极管(D1)与第二半导体二极管(D2)极性相反地串联连接，从而由第一半导体二极管和第二半导体二极管(D1，D2)所产生的电压至少部分地相互抵消。
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公开(公告)号：CN108574028A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810203555.4
申请日：2018-03-13
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
摘要： 具有堆叠状结构的发光二极管，所述结构具有第一区域、第二区域和第三区域，其中，所有三个区域以如下顺序具有以下层：载体层、n掺杂的下包覆层和产生电磁辐射的有源层，其中，所述有源层包括量子阱结构，并且p掺杂的上包覆层和第一区域附加地具有构造在上包覆层上且由p+层和n+层构成的隧道二极管和n掺杂的电流分配层，其中，电流分配层和n掺杂的接通层以印制导线覆盖，并且对于第一区域附加地提及的层以上述顺序布置，并且其中，至少所述下包覆层、有源层、上包覆层、隧道二极管和电流分配层单片地构造，所述第二区域和第三区域不具有或仅部分地具有所述第一区域的附加层，并且所述第二区域具有底部区域的接通孔，并且在接通孔的底部区域中构造注入势垒，所述注入势垒面式地构造在上包覆层中或在上包覆层的表面处或在上包覆层的上方，并且所述印制导线以注入势垒覆盖，并且其中，所述第三区域有纹理地构造。
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公开(公告)号：CN105938854B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201610115399.7
申请日：2016-03-01
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/02
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L27/142 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/03046 , H01L31/0443 , H01L31/0687 , Y02E10/544
摘要： 一种太阳能电池装置，具有多结太阳能电池和保护二极管结构，其中所述多结太阳能电池和所述保护二极管结构具有一个共同的背侧面以及通过台面型沟槽分离的前侧，所述共同的背侧面包括导电层并且光通过所述前侧进入到所述多结太阳能电池中，其中所述多结太阳能电池包括由多个太阳能电池组成的叠堆并且具有最接近所述前侧地布置的上太阳能电池和最接近所述背侧地布置的下太阳能电池，每一个太阳能电池包括一个np结并且在相邻的太阳能电池之间布置有隧道二极管，并且在所述保护二极管结构中的半导体层的数量小于在所述多结太阳能电池中的半导体层的数量，然而在所述保护二极管结构中的半导体层的顺序相应于所述多结太阳能电池的半导体层的顺序。
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公开(公告)号：CN112447859B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010861857.8
申请日：2020-08-25
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种具有包括多层系统的金属化层的堆叠状的多结太阳能电池，其中，多结太阳能电池具有构成该多结太阳能电池的下侧的锗衬底、锗子电池和至少两个III‑V族子电池，金属化层的多层系统按顺序地具有第一层、第二层、第三层和至少一个金属的第四层：包括金和锗的第一层具有至少2nm和至多50nm的层厚度D1；包括钛的第二层具有至少10nm和至多300nm的厚度D2；包括钯或镍或铂的第三层具有至少5nm和至多300nm的层厚度D3；至少一个金属的第四层具有至少2μm的厚度，金属化层的多层系统覆盖至少一个第一表面区段和第二表面区段，并且与第一表面区段和第二表面区段材料锁合地连接，其中，第一表面区段由电介质的隔离层构成，第二表面区段由锗衬底或III‑V族层构成。
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公开(公告)号：CN112825336B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202011316478.7
申请日：2020-11-20
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0687
摘要： 提供一种具有背侧接通的正侧的堆叠状的多结太阳能电池，其具有包括锗衬底、锗子电池和至少两个III‑V族子电池的太阳能电池堆叠，太阳能电池堆叠具有敷镀贯通开口、正侧连接接通部、背侧连接接通部、构造在多结太阳能电池的正侧的部分上的抗反射层、介电的隔离层以及接通层，其中，介电的隔离层覆盖抗反射层、正侧连接接通部的上侧的边缘区域、敷镀贯通开口的侧面、太阳能电池堆叠的背侧的与敷镀贯通开口邻接的区域，接通层从正侧连接接通部的上侧的未被介电的隔离层覆盖的区域在介电的隔离层上延伸通过敷镀贯通开口直至太阳能电池堆叠的背侧，背侧连接接通部覆盖太阳能电池堆叠的背侧的未被介电的隔离层覆盖的区域。
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公开(公告)号：CN112447883B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010881681.2
申请日：2020-08-27
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/78 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种用于沿着至少一个分离线对包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片进行分离的分离方法，该分离方法至少包括以下步骤：提供半导体晶片，该半导体晶片具有上侧、下侧、与上侧材料锁合地连接的粘合剂层和与粘合剂层材料锁合地连接的盖玻璃层，其中，具有多个太阳能电池堆叠的半导体晶片分别包括构成半导体晶片的下侧的锗衬底层、锗子电池和至少两个III‑V族子电池，沿着分离线借助激光烧蚀产生分离沟道，该分离沟道从半导体晶片的下侧穿过半导体晶片和粘合剂层至少延伸至盖玻璃层的与粘合剂层邻接的下侧，以及沿着分离沟道分开盖玻璃层。
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