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公开(公告)号：CN1725109A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510081066.9
申请日：2005-06-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70275 , G03F7/70291 , G03F7/70916 , G03F7/70983
Abstract: 一种光刻装置和方法，其中照射系统提供辐射投射光束，构图系统赋予该光束带图案的横截面，投影系统将带图案的光束投射到基底台上支撑的基底的目标部分上。该投影系统包括与基底分开设置的透镜阵列，因此该透镜阵列中的每个透镜都将带图案的光束的各个部分聚焦在基底上。位移系统引起透镜阵列和基底之间的相对位移。设置粒子检测器来检测由于透镜阵列和基底之间的相对位移而接近透镜阵列的位于基底上的粒子。设置自由工作距离控制系统，以便根据粒子检测器对粒子的检测来增大透镜阵列和基底之间的间隔，从而当相对位移使检测到的粒子在透镜阵列下面通过时移动透镜阵列远离该基底。这样，能够避免因例如基底表面上所承载的粒子的刮擦而对透镜阵列的损坏。
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公开(公告)号：CN1450412A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03130765.5
申请日：2003-02-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G02B13/22 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7069 , G03F9/7076 , G03F9/7084
Abstract: 为了在具有大的Z间隔的层之间进行对准，例如在MEMS或MOEMS制造过程中，使用可以利用垂直入射的辐射照射参考标记的对准系统。该对准系统具有照射系统，它在基底侧上是远心的。
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公开(公告)号：CN102203674A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980137090.6
申请日：2009-09-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70183 , G03F7/70275 , G03F7/70291 , G03F7/70391 , G03F7/704
Abstract: 在一个实施例中，公开了一种光刻设备，所述光刻设备包括：调制器，配置成使衬底的曝光区域由根据期望的图案调制的多个束进行曝光；和投影系统，配置成将调制后的束投影到衬底上。调制器可以是相对于曝光区域可移动的和/或投影系统可以具有用于接收多个束的透镜阵列，所述透镜阵列相对于曝光区域是可移动的。
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公开(公告)号：CN100595677C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200710188644.8
申请日：2007-11-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 桂成群 , 鲁迪·詹·玛丽·佩伦斯
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70808
Abstract: 本发明公开了一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的光刻方法，所述光刻方法包括步骤：以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环。所述抗蚀剂环被辐射以从抗蚀剂环上去除图案，或者防止经过辐射的抗蚀剂环被图案化。
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公开(公告)号：CN101187784A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710188644.8
申请日：2007-11-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 桂成群 , 鲁迪·詹·玛丽·佩伦斯
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70808
Abstract: 本发明公开了一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的光刻方法，所述光刻方法包括步骤：以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环。所述抗蚀剂环被辐射以从抗蚀剂环上去除图案，或者防止经过辐射的抗蚀剂环被图案化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1324405C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN03130765.5
申请日：2003-02-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G02B13/22 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7069 , G03F9/7076 , G03F9/7084
Abstract: 为了在具有大的Z间隔的层之间进行对准，例如在MEMS或MOEMS制造过程中，使用可以利用垂直入射的辐射照射参考标记的对准系统。该对准系统具有照射系统，它在基底侧上是远心的。
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公开(公告)号：CN1442757A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03110779.6
申请日：2003-02-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F9/7019 , G03F9/7011 , G03F9/7084
Abstract: 使用一种相对侧上具有参考标记的透明校准基底对前后对准系统进行校准。插入一平板，使对准系统的焦点位置从校准基上表面移动到下表面。
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公开(公告)号：CN100480859C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410063907.9
申请日：2004-05-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F9/7019 , G03F9/7003 , G03F9/7011 , G03F9/7084
Abstract: 一种用参考基底前侧和后侧上的标记校准包括前到后侧对准光学装置的光刻装置的方法，该方法包括：计算通过前到后侧对准光学装置观察到的所述参考基底后侧上的标记的位置和所述参考基底后侧上的标记的实际位置之间的位移矢量；相对所述前到后侧对准光学装置移动所述参考基底一小段距离，并比较所述参考基底后侧上的标记的像移动的距离和所述参考基底前侧上的标记的移动的距离以产生第一校正矢量：和对于在所述参考基底上的不同标记重复移动所述参考基底的上述步骤以产生第二校正矢量；因而位移矢量、第一校正矢量和第二校正矢量为校准信息。
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公开(公告)号：CN101187785A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192794.6
申请日：2007-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 基思·弗兰克·贝斯特 , 桂成群 , 戴维·克里斯多夫·奥克威尔 , 彼得·顿伯格
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L2924/01074
Abstract: 本发明公开了一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的方法，所述方法包括加热衬底上的抗蚀剂环。所述抗蚀剂环被加热用于从抗蚀剂环上去除图案，或者防止被加热的抗蚀剂环被图案化。本发明还公开了一种光刻方法，包括步骤：通过加热衬底上的抗蚀剂环而在至少部分涂敷有抗蚀剂的衬底上形成环形密封。
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公开(公告)号：CN1292311C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN03110779.6
申请日：2003-02-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F9/7019 , G03F9/7011 , G03F9/7084
Abstract: 使用一种相对侧上具有参考标记的透明校准基底对前后对准系统进行校准。插入一平板，使对准系统的焦点位置从校准基上表面移动到下表面。
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