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公开(公告)号：CN102044579B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010535062.4
申请日：2010-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区；与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区；电连接到所述射极区的第一电极；电连接到所述第一场区的第二电极；以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。
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公开(公告)号：CN101933159B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200980104034.2
申请日：2009-02-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
Abstract: 本发明提供了一种通过将透明导电层形成为具有不同的氧含量和不同的光吸收系数的多个层而提高吸收到光电转换层中的太阳光的比率的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池包括衬底、透明导电层和光电转换层，其中所述透明导电层包括具有第一光吸收系数的第一层；以及形成在所述第一层上并具有大于所述第一光吸收系数的第二光吸收系数的第二层。
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公开(公告)号：CN102037568B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980118599.6
申请日：2009-10-01
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022466
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括n型或者p型非晶硅层、透明电极以及位于该透明电极和该非晶硅层之间的金属缓冲层。所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。当所述透明电极包含铟锡氧化物ITO时，所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。当所述透明电极包含锌氧化物时，所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102473776A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034233.3
申请日：2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/03762 , H01L31/076 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括基板、在所述基板上的第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转化单元。所述光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(称为i型)半导体层和由掺杂有锗(Ge)的微晶硅形成的第二i型半导体层。
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公开(公告)号：CN101933159A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980104034.2
申请日：2009-02-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
Abstract: 本发明提供了一种通过将透明导电层形成为具有不同的氧含量和不同的光吸收系数的多个层而提高吸收到光电转换层中的太阳光的比率的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池包括衬底、透明导电层和光电转换层，其中所述透明导电层包括具有第一光吸收系数的第一层；以及形成在所述第一层上并具有大于所述第一光吸收系数的第二光吸收系数的第二层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102292828B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080005253.8
申请日：2010-02-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/03682 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 示出一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；包括晶体部分的第一非晶半导体层；所述半导体基板上的第一电极部分；和所述半导体基板上的第二电极部分。
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公开(公告)号：CN103887357A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310710850.6
申请日：2013-12-20
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/078 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/202
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：基于晶体半导体的第一光电转换单元；第二光电转换单元，该第二光电转换单元在所述第一光电转换单元上并且包括基于非晶半导体的多个转换部；结合层，该结合层布置在所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元之间，以将所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元相连接；以及多个电极，这些电极分别电连接到所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元。
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公开(公告)号：CN103000743A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110409801.X
申请日：2011-12-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/076 , H01L31/0352
Abstract: 一种薄膜太阳能电池模块，该薄膜太阳能电池模块包括：基板；多个第一电池，所述多个第一电池位于中心区域中，其中一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元；以及多个第二电池，所述多个第二电池位于所述基板的边缘区域中，其中一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元。在位于同一层的光伏单元当中，所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元具有比所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元更高的带隙能量。
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公开(公告)号：CN102197495A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980143034.3
申请日：2009-11-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03762 , C25D7/126 , H01L31/02008 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/02363 , H01L31/1884 , H01L31/20 , H01L31/202 , H05K3/188 , H05K3/246 , H05K2201/0108 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；位于该基板上的至少一个发射极层；电连接至所述至少一个发射极层的至少一个第一电极；以及电连接至该基板的至少一个第二电极。第一电极和第二电极中的至少一方利用镀敷法形成。
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公开(公告)号：CN101405873A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009938.8
申请日：2007-09-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L27/142 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括：由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块；以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护，并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等，以创造巨大的经济价值。
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