公开(公告)号：CN109037359A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810878741.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN105655427B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201510892086.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN102290453A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110168794.9

申请日：2011-06-21

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金圣辰 ,  郭桂荣 ,  都荣九 ,  李满 ,  李圣恩 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  曺海宗 ,  崔珉浩 ,  郑柱和

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。

公开(公告)号：CN101611497A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200780046006.0

申请日：2007-07-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 朴铉定 ,  金圣辰 ,  金振镐

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02167 ,  G02B1/113 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳电池包括：p－n结构，其由第一导电型半导体基板、第二导电型半导体层以及p－n结形成，该第二导电型半导体层形成于第一导电型半导体基板上，导电类型与上述第一导电型半导体基板相反，该p－n结形成于上述第一导电型半导体基板和第二导电型半导体层之间的界面上；钝化层，其形成于上述第二导电型半导体层上，含有氮氧化硅来构成，折射率为1.45～1.70；防反射膜，其形成于上述钝化层上，含有氮化硅来构成；前电极，其贯穿上述钝化层和防反射膜的一部分，与上述第二导电型半导体层相连，向外部露出；以及背电极，其隔着上述第一导电型半导体基板，在与上述前电极的相反侧，与上述第一导电型半导体基板连接。