公开(公告)号：CN107900346A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711367262.1

申请日：2017-12-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 罗丰华 ,  吴宁 ,  王柏钧 ,  唐紫薇 ,  贾吉祥 ,  李益民

IPC: B22F3/15 ,  B22F3/18 ,  B22F1/00 ,  C22C33/02 ,  B22F3/10 ,  C22C38/02

CPC classification number: B22F3/15 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/1007 ,  B22F3/18 ,  B22F2998/10 ,  C22C33/0207 ,  C22C38/02

Abstract: 一种粉末热等静压制备高硅钢薄带材的方法，本发明采用还原Fe粉，Si含量为50～70％的高纯硅铁粉原料，形成Fe-Si混合粉。添加粘接剂和分散剂混合均匀，然后采用软铁包套，在1060～1160℃温度范围内，100～200MPa的热等静压作用下，获得均匀致密的压坯，由贫Si的α-Fe晶粒和脆性高Si相组成，具有塑性变形能力，压坯密度达到6.78～7.09g/cm3。通过多次冷轧、低温扩散烧结，密度升高、厚度减少，最后在1260～1330℃温度范围内烧结，在热扩散的帮助下实现高硅钢的均质合金化，获得含4.5～6.7％Si的0.1～0.5mm厚，密度≥7.33g/cm3的高硅钢带材。

公开(公告)号：CN105018889B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510460313.X

申请日：2010-07-01

Applicant: H·C·施塔克公司

Inventor： G·A·罗扎克 ,  M·E·盖多斯 ,  P·A·霍根 ,  S·孙

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/18 ,  C22C1/04 ,  C22C27/04

CPC classification number: C23C14/185 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5873 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明涉及包括50原子％或更多钼、第二金属元素铌或钒，及选自由钛、铬、铌、钒和钽组成的群组的第三金属元素，且其中第三金属元素与第二金属元素不同的溅射靶材，及采用所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面，所述溅射靶材包括一富钼相、一富第二金属元素相及一富第三金属元素相。

公开(公告)号：CN107848030A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043530.1

申请日：2016-07-18

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·迈尔

IPC: B22F3/10 ,  B22F3/22 ,  F02M63/00

CPC classification number: B22F3/225 ,  B22F3/1025 ,  B22F2003/242 ,  B22F2998/10 ,  F02M63/0017 ,  F02M2200/8046 ,  B22F2003/244 ,  B22F3/1021 ,  B22F3/1017 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明涉及一种用于制造覆层的成形件、特别是用于电磁阀的覆层的成形件的方法，其中，成形件第一方法步骤中注射成形以便造型并且在时间上在第一方法步骤之后执行的第二方法步骤中烧结以便固化，其特征在于，在第一方法步骤和第二方法步骤之间在第一中间步骤中，用包含陶瓷悬浮物的材料至少部分地对成形件进行覆层。

公开(公告)号：CN107699811A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710805220.5

申请日：2017-09-08

Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院

Inventor： 吴宜灿 ,  黄群英 ,  毛小东 ,  刘少军 ,  徐刚

IPC: C22C38/26 ,  C22C38/24 ,  C22C38/22 ,  C22C38/04 ,  C22C38/44 ,  C22C38/46 ,  C22C38/48 ,  C22C33/02 ,  C21D1/18 ,  B22F9/04 ,  B22F3/15 ,  B22F3/20

CPC classification number: C22C38/26 ,  B22F3/15 ,  B22F3/20 ,  B22F9/04 ,  B22F2003/208 ,  B22F2009/041 ,  B22F2009/043 ,  B22F2998/10 ,  C21D1/18 ,  C21D2211/005 ,  C21D2211/008 ,  C22C32/0026 ,  C22C33/0228 ,  C22C38/04 ,  C22C38/22 ,  C22C38/24 ,  C22C38/44 ,  C22C38/46 ,  C22C38/48 ,  B22F9/082 ,  B22F2003/248

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅弥散强化钢及其制备方法，属于低活化抗辐照金属材料技术领域。所述氧化硅弥散强化钢由弥散强化相纳米SiO2颗粒以及基体8～20Cr马氏体/铁素体钢组成，主要是利用SiO2晶体的石英、鳞石英和方石英等晶体结构转变这一特性，再通过合理的热处理调整氧化物/基体界面结构，从而实现其力学和抗辐照性能的显著提高。而且采用本发明所述氧化硅弥散强化钢作为未来聚变反应堆第一壁结构材料和第四代裂变反应堆的核燃料包壳材料，可以提高反应堆系统的安全性，并有利于提高其发电效率及经济性。

公开(公告)号：CN105555435B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201480038037.1

申请日：2014-07-21

Applicant: 莱普洛顿资本有限公司

Inventor： 格里·克拉克

IPC: B22C9/04 ,  B22F3/15

CPC classification number: B22F3/1275 ,  B22C9/04 ,  B22C9/046 ,  B22F3/1216 ,  B22F3/15 ,  B22F2003/153 ,  B22F2998/10 ,  B22F3/004

Abstract: 一种通过热等静压制(HIP)形成部件的改进方法，涉及由陶瓷模具制作用于HIP工艺的容器，减少了在容器的生产中焊接&加工的需要。

公开(公告)号：CN103958096B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201280058465.1

申请日：2012-11-12

Applicant: 冶联科技地产有限责任公司

Inventor： P.利佩茨基 ,  J.F.佩雷兹 ,  E.A.科索尔 ,  J-P.A.托马斯

IPC: B22F3/12 ,  B22F3/15

CPC classification number: B22F3/1208 ,  B22F3/1258 ,  B22F3/15 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/056

Abstract: 热等静压罐的端板包括中心区域和主区域，所述主区域从所述中心区域径向延伸并且在围绕所述端板周边的拐角处终止。所述端板沿所述主区域从所述中心区域到所述拐角的厚度增加，从而确定一个锥角。所述拐角包括内表面，所述内表面包括圆角部分，所述主区域通过所述圆角部分平滑地过渡到唇缘。还公开了一种包括所述端板中的至少一者的热等静压罐，以及一种使用所述热等静压罐热等静压冶金粉末的方法。

公开(公告)号：CN107257866A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201680009188.3

申请日：2016-02-05

Applicant: 法国国家航空航天研究院

Inventor： A·朱利安-扬科维亚克 ,  G·于格

IPC: C22C29/06 ,  C22C1/05

CPC classification number: C22C29/067 ,  B22F3/14 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/051 ,  C22C1/058 ,  C22C29/02 ,  C22C29/06 ,  C22C29/16 ,  C22C1/1084 ,  B22F3/15 ,  B22F2201/10 ,  B22F2009/043

Abstract: 本发明涉及一种金属陶瓷材料，包含通式Tin+1AlCn的第一MAX相以及通式TixAly的第二金属间相，其中n等于1或2，x为1‑3，y为1‑3，并且x+y≤4。该材料中的第一相的体积比例为70％‑95％。该材料中的第二相的体积比例为30％‑5％。孔隙比率小于5％。

公开(公告)号：CN107206498A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074422.6

申请日：2015-11-19

Applicant: 史密斯国际有限公司

Inventor： Y.鲍

IPC: B22F7/04 ,  B22F5/00 ,  B22F3/14 ,  E21B10/54

CPC classification number: B22F3/15 ,  B22F3/14 ,  B22F5/00 ,  B22F7/02 ,  B22F2005/001 ,  B22F2301/15 ,  B22F2302/406 ,  B22F2304/10 ,  C22B23/0415 ,  C22C1/1036 ,  C22C26/00 ,  B22F7/04 ,  E21B10/54

Abstract: 一种制造多晶金刚石压坯的方法，包含形成包括金刚石颗粒和第一浓度的催化剂的第一层的多晶金刚石前体材料，形成包括金刚石颗粒和第二浓度的催化剂的第二层的多晶金刚石前体材料，以及将浸透剂材料层放置在第一层或第二层的多晶金刚石前体材料附近。催化剂的第二浓度大于催化剂的第一浓度。浸透剂材料为催化剂。在高压高温条件下，在浸透剂材料的存在下烧结第一层和第二层，以形成多晶金刚石压坯。从多晶金刚石压坯浸出催化剂的至少一部分。

公开(公告)号：CN107127346A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710113732.5

申请日：2017-02-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： R.S.班克 ,  D.G.科尼策尔

IPC: B22F3/15

CPC classification number: B22F5/10 ,  B22C9/04 ,  B22F3/1055 ,  B22F3/15 ,  B22F5/007 ,  B22F7/06 ,  B22F7/08 ,  B28B1/001 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00 ,  Y02P10/292 ,  Y02P10/295 ,  B22F3/1291 ,  B22F2003/153

Abstract: 本发明涉及使用热等静压围绕第一金属构件形成第二金属构件的铸造。具体地，本公开内容主要涉及铸造模具，其包括围绕铸造核心的至少一部分的铸造壳体，该铸造核心包括第一金属构件和围绕第一金属构件的热等静压的第二金属构件。在一个方面，第一金属构件相比于第二金属构件可具有较低的熔点。在另一方面，第二金属构件可保持某一金属粉末晶粒结构。

公开(公告)号：CN107075665A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580051739.8

申请日：2015-09-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/04 ,  C22C38/00 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  H01F10/14 ,  H01F41/18 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15

CPC classification number: C22C5/04 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C38/00 ,  C23C14/34 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  H01F10/14 ,  H01F41/18

Abstract: 一种溅射靶，其为含有C和/或BN的FePt基烧结体溅射靶，其特征在于，在与该靶的溅射面垂直的截面的抛光面中AuCu合金粒子所占的面积率为0.5％以上且15％以下。本发明的课题在于提供可以减少在溅射时产生的粉粒，从而可以有效地形成磁记录介质的磁性薄膜的溅射靶。