公开(公告)号：CN106653810A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611159955.7

申请日：2016-12-15

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 梁博 ,  李骏 ,  王威

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  G09G3/3208

CPC分类号： H01L27/3262 ,  G09G3/3233 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/5237 ,  H01L2251/5338 ,  G09G3/3208 ,  H01L27/1251

摘要： 本发明公开了一种OLED显示面板以及OLED显示装置。该OLED显示面板包括显示区域和GOA区域，GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管。本发明的GOA区域采用无机薄膜晶体管，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流，显示区域采用有机薄膜晶体管，保证OLED显示面板具有良好的弯折性，并且降低成本。

公开(公告)号：CN103547581B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201280023841.3

申请日：2012-05-18

申请人： E.T.C.有限责任公司

发明人： M·梅鲁西 ,  L·法瓦莱托 ,  M·赞姆比安奇 ,  R·卡佩里 ,  M·穆西尼

IPC分类号： C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07D495/22 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0068 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07D495/22 ,  C07D519/00 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/308

摘要： 本发明涉及可用作有机半导体材料的新型化合物的用途，和含所述有机半导体材料的半导体器件。

公开(公告)号：CN104245787B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380021360.3

申请日：2013-04-02

申请人： 默克专利股份有限公司

发明人： W·密特彻 ,  M·德拉瓦里 ,  王常胜 ,  S·提尔奈 ,  宋晶尧

IPC分类号： C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  H01B1/12 ,  H01L51/00 ,  C07D495/22

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C07D495/22 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/95 ,  C08L65/00 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及新的共轭聚合物，其包含一种或多种衍生自苯并二环戊二烯-二苯并噻吩或二硫杂-二环戊-二苯并噻吩的重复单元；涉及它们的制备方法和其中使用的析出物或中间体；涉及含有它们的聚合物共混物、混合物和组合物；涉及所述聚合物、聚合物共混物、混合物和组合物在有机电子(OE)器件中，尤其是在有机光伏(OPV)器件中作为有机半导体的用途；和涉及包含这些聚合物、聚合物共混物、混合物或组合物的OE和OPV器件。

公开(公告)号：CN106299120A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610753311.4

申请日：2016-08-29

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 贾仁需 ,  汪钰成 ,  厐体强 ,  张玉明

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/4286

摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长栅介质层；在栅介质层表面生长空穴传输层；在空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在Si衬底下表面溅射Al材料形成背电极；在空穴传输层表面生长Au材料形成源漏电极，最终形成PMOS器件。由于本发明的PMOS器件采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3的PMOS器件中电子空穴复合，光电转换效率低的缺点，即PMOS器件利用CH3NH3PbI3材料向沟道提供大量的空穴，形成的PMOS器件具有驱动功率小，开关速度快，光电转换效率大的优点。

公开(公告)号：CN106100611A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610388691.6

申请日：2016-06-03

申请人： 宁波大学

发明人： 汪鹏君 ,  王谦 ,  陈伟伟 ,  龚道辉

IPC分类号： H03K3/012

CPC分类号： H03K3/012 ,  H01L51/0512 ,  H03K3/356104

摘要： 本发明公开了一种CNFET型双边沿脉冲式JKL触发器，包括双边沿脉冲信号发生器、三十一个CNFET管、电路结构相同的六个NTI门电路、电路结构相同的六个PTI门电路、电路结构相同的第一三值反相器和第二三值反相器；优点是利用双边沿脉冲信号发生器产生时钟信号，结合多值逻辑电路的开关运算及CNFET高速低功耗特性,在提高JKL触发器工作速率的同时，达到降低功耗的目的，实验结果表明本发明的JKL触发器具有正确的逻辑功能和显著的低功耗特性。

公开(公告)号：CN104204058B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380016088.X

申请日：2013-02-25

申请人： 斯马特凯姆有限公司

发明人： R.J.格里菲思

IPC分类号： C08K5/01 ,  C08L65/00 ,  C08G61/12 ,  C09D165/00 ,  H01B1/12 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G61/126 ,  C08G61/128 ,  C08G75/06 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/94 ,  C08G2261/95 ,  C08K5/01 ,  C09D11/52 ,  C09D165/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L2251/30 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  C08L65/00

摘要： 本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物，包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OFET)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。

公开(公告)号：CN102709132B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210080490.1

申请日：2006-04-25

申请人： 斯莫特克有限公司

发明人： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔

IPC分类号： H01J1/304 ,  B82Y30/00 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  D01F9/127 ,  B82Y10/00

CPC分类号： C23C16/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  C23C16/26 ,  D01F9/08 ,  D01F9/127 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/31786 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512

摘要： 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。

公开(公告)号：CN104684917A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380047734.9

申请日：2013-08-05

申请人： 国立大学法人九州大学 ,  日本化药株式会社

发明人： 泷宫和男 ,  安达千波矢 ,  池田征明

IPC分类号： C07D495/22 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： C07D495/22 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50

摘要： 本发明提供一种新型化合物，所述化合物可以用于有机电子器件。更具体地，本发明提供了一种新型杂环化合物，所述新型杂环化合物可以应用于有机电子器件如有机EL元件、有机太阳能电池元件、有机晶体管元件或有机半导体激光元件。所述化合物是由下面的通式(1)表示的杂环化合物。通式(1)中，R1和R2独立地表示氢原子、任选取代的芳基或任选取代的烷基；m和n独立地表示1～4的整数；当R1和R2为两个以上时，R1中的一个和R2中的一个可以各自彼此相同或不同。

公开(公告)号：CN104241211A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310286436.7

申请日：2013-07-09

申请人： 纬创资通股份有限公司

发明人： 王怡凯 ,  胡堂祥 ,  高启仁

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L51/0512

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管结构、其制造方法以及薄膜晶体管发光元件结构，其中薄膜晶体管结构内含图案化第一导体层、图案化半导体层、图案化绝缘层、图案化第二导体层以及第一阻水氧层，图案化第一导体层位于基板上；图案化半导体层、图案化绝缘层，以及图案化第二导体层设置于图案化第一导体层上；第一阻水氧层覆盖图案化第二导体层以及图案化绝缘层，以保护图案化第二导体层免受水气侵蚀。

公开(公告)号：CN103730575A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201410007030.5

申请日：2010-02-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴正一 ,  俞炳旭 ,  金渡桓 ,  李相润 ,  李芳璘 ,  郑银贞

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L51/102 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0512 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

摘要： 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。