一种基于耦合三共振光学参量放大腔的压缩光调控方法

    公开(公告)号:CN114089581B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202111404453.7

    申请日:2021-11-24

    IPC分类号: G02F1/39 G02F1/35 G02F1/355

    摘要: 本发明公开了一种基于耦合三共振光学参量放大腔的压缩光调控方法,包括以下步骤:步骤1:设计F‑P(法布里‑珀罗)谐振腔,并将平面反射腔镜放入F‑P谐振腔中组成耦合谐振腔;步骤2:在耦合谐振腔的右侧腔内放置非线性晶体,完成耦合三共振光学参量放大腔的设计;步骤3:使用朗之万运动方程计算腔内任意一点的光场;步骤4:改变中间腔镜的损耗系数和泵浦光的强度实现压缩光的调控和类EIT现象的制备。本发明降低了压缩光调控的难易程度,且将压缩光调控和类EIT效应高效的集成在一套系统中,为推动量子通信在实用化领域提供了可行的解决方案。

    基于TiN-Ti3C2异质结的全光波长转换器

    公开(公告)号:CN118330962A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410468747.3

    申请日:2024-04-18

    申请人: 深圳大学

    IPC分类号: G02F1/35 G02F1/365 G02F1/355

    摘要: 本发明公开了一种基于TiN‑Ti3C2异质结的全光波长转换器。所述全光波长转换器包括发送端和全光波长转换单元,其中,所述发送端产生信号光和泵浦光并将所述信号光和所述泵浦光耦合后输入所述全光波长转换单元;所述全光波长转换单元包括光纤,所述光纤包括串联的高非线性光纤和TiN‑Ti3C2异质结包覆的微纳光纤,所述光纤接收所述信号光和所述泵浦光,并利用所述光纤引导所述信号光和所述泵浦光时产生的四波混频效应来产生闲频光。本发明经过串联的高非线性光纤和TiN‑Ti3C2异质结包覆的微纳光纤的非线性处理提高了信号光的强度,从而提高了信号光的功率,进而提高了全光波长转换器的转换效率。

    一种提升非线性人工晶体抗强激光损伤性能的方法

    公开(公告)号:CN118326522A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410517076.5

    申请日:2024-04-26

    摘要: 本发明属于非线性人工晶体技术领域,具体涉及一种提升非线性人工晶体抗强激光损伤性能的方法。本发明在一定的气氛条件下,采用直流稳压电源对非线性人工晶体进行通电。本发明通过“通电法”能够有效减小非线性人工晶体结构中针点状损伤的密度,从而优化非线性人工晶体的抗强激光损伤性能,特别是对于损伤阈值更高的缺陷,其效果更加明显。本发明提供的通电法处理有望进一步降低波长为355nm或者351nm紫外纳秒脉宽激光通量大于8J/cm2之后的损伤概率,提升晶体抗损伤的性能。在激光预处理的基础上,进一步进行本发明提供的通电处理是提升晶体损伤性能的新的综合方法,具有经济上的巨大优势。

    脉冲激光的生成方法
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112563116B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202011439736.0

    申请日:2017-03-16

    摘要: 本发明提供脉冲激光的生成方法。固体激光器装置具有:种子激光器,输出作为CW激光的种子光;光强度可变部,通过变更种子光的光强度而将种子光脉冲化,并作为种子脉冲光而输出;CW激励激光器,输出CW激励光;放大器,基于通过CW激励光的光激励被增加的放大增益,将种子脉冲光放大,并作为放大光输出;波长转换部,对放大光进行波长转换,并输出谐波光;和光强度控制部,根据外部触发信号的输入对光强度可变部进行控制,光强度控制部在每次外部触发信号输入时,在从外部触发信号输入起经过一定时间之后使光强度可变部输出种子脉冲光,在从种子脉冲光输出之后起至下一个外部触发信号输入为止的期间内使光强度可变部输出抑制放大增益的增加的抑制光。

    一种氟碳酸盐非线性光学晶体及生长方法

    公开(公告)号:CN118256995A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311790636.6

    申请日:2023-12-25

    摘要: 本发明公开了一种氟碳酸盐非线性光学晶体及生长方法,其化学式为K4Tb2(CO3)3F4,属于三方晶系,空间群为R32,晶胞参数为#imgabs0#α=β=90.0000°,γ=120.0000°;#imgabs1#采用亚临界态水热法生长晶体,碳酸盐在高温下易分解,本发明使用的温度为500℃以上的高温高压水热法,生长温度低于比熔盐法,得到的晶体纯度高、热应力小、宏观缺陷少,能够有更好的结晶质量、更大的晶体尺寸。本发明晶体是新型氟和碳酸根配位的稀土铽材料,具有较好的非线性光学性能,能够在光学器件中实现更高的透明度和更低的光学损耗,能够应用于光电子学、光通信和光学传感器等领域。

    碱土金属硒代硅酸盐和碱土金属硒代硅酸盐红外非线性光学晶体及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118108223A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410240912.X

    申请日:2024-03-04

    摘要: 本发明涉及碱土金属硒代硅酸盐和碱土金属硒代硅酸盐红外非线性光学晶体及制备方法和应用,硒代硅酸盐的分子通式为AHgSiSe4,其中式中A为碱土金属元素Sr或Ba,具体化合物为硒硅汞锶或硒硅汞钡,所述AHgSiSe4空间群为Ama2,属于正交晶系,无对称中心。其中硒硅汞锶化学式为SrHgSiSe4,分子量为632.14 g/mol,晶胞参数:a=10.7749(5)Å,b=10.6693(4)Å,c=6.5842(3)Å,α=β=γ=90°,Z=4;硒硅汞钡化学式为BaHgSiSe4,分子量为632.14 g/mol,晶胞参数:a=11.1961(10)Å,b=10.9537(10)Å,c=6.6233(5)Å,α=β=γ=90°,Z=4。采用高温熔体自发结晶法、化学气相传输法、助熔剂法和坩埚下降法制备晶体。通过本发明制备的晶体可用于制作红外非线性光学器件,在光电对抗、光谱技术、激光通讯和遥感测距等领域具有重要用途。

    非线性光学晶体结构
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118068628A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202211475627.3

    申请日:2022-11-23

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: G02F1/355

    摘要: 本公开提供了一种非线性光学晶体结构,包括多个二维材料层,其中,所述多个二维材料层沿垂直于其二维平面的方向堆垛且彼此相邻的所述二维材料层之间通过范德瓦尔斯力接合,每个所述二维材料层为具有中心反演不对称晶体结构的晶体层,且在平行于所述二维平面的方向上具有平行于所述二维平面的预定晶格方向,彼此相邻的所述二维材料层之间具有非零的偏转角,所述偏转角为相邻的所述二维材料层的所述预定晶格方向在同一所述二维平面内的夹角,每个所述二维材料层的厚度大于5nm。本公开的实施例可以容易地实现诸如二阶非线性光的非线性光的高效率输出。