公开(公告)号：CN111247625B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201780096121.2

申请日：2017-12-21

申请人： 极光先进雷射株式会社 ,  国立大学法人九州大学

发明人： 若林理 ,  池上浩 ,  老泉博昭

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/268

公开(公告)号：CN110799902B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201780092708.6

申请日：2017-08-29

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 五十岚豊 ,  峰岸裕司 ,  若林理

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

摘要： 本公开的数据分析装置具有：数据收集部，其从包含光源装置、曝光装置和晶片检查装置在内的多个装置分别取得各装置的分析对象的每个参数的数据，该曝光装置通过从光源装置输出的脉冲光对晶片进行曝光，该晶片检查装置进行由曝光装置曝光后的晶片的检查；图像生成部，其针对晶片，以晶片内的规定的区域为单位进行可视化，由此，对通过数据收集部从多个装置收集的多个参数的每个参数的数据分别进行图像化，生成多个装置的每个参数的多个映射图像；以及相关运算部，其针对晶片，对多个映射图像中的任意映射图像彼此进行图案匹配，求出多个装置的多个参数中的任意参数彼此的相关值。

公开(公告)号：CN108292595B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201580084314.7

申请日：2015-12-25

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 铃木章义 ,  谷山实 ,  若林理

IPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/00 ,  B23K26/073 ,  H01L21/20 ,  H01S3/00 ,  H01S3/10

摘要： 本公开提供一种激光照射装置，其可以具备：照射头部，包括对被照射物照射激光束的第一照射头和第二照射头；激光装置部，包括输出第一激光束的第一激光装置和输出第二激光束的第二激光装置；射束传输部，配置在激光装置部与照射头部之间的光路上，并且切换第一激光束与第二激光束的光路，以使第一激光束和第二激光束的任何一个射入第一照射头和第二照射头的任何一个；第一射束特性可变部，配置在第一激光装置与照射头部之间的光路上；以及第二射束特性可变部，配置在第二激光装置与照射头部之间的光路上。

公开(公告)号：CN115039031A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202080095303.X

申请日：2020-03-19

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 熊崎贵仁 ,  若林理

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01S3/1055

摘要： 窄带化装置具有：第1棱镜和第2棱镜，它们被配置于第1棱镜和第2棱镜中的任意棱镜的波长色散方向上不同的位置；第3棱镜，其被配置于光束的光路上，扩大光束的射束宽度，使光束的第1部分入射到第1棱镜，使光束的第2部分入射到第2棱镜；光栅，其被配置为跨越通过第1棱镜后的第1部分的光路和通过第2棱镜后的第2部分的光路；第1致动器，其对第1部分入射到光栅的入射角进行调整；第2致动器，其对第2部分入射到光栅的入射角进行调整；以及第3致动器，其对第1部分与第2部分的能量比率进行调整。

公开(公告)号：CN115023657A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202080095276.6

申请日：2020-03-19

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 藤井光一 ,  若林理

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 对掩模版照射脉冲激光而对半导体基板进行扫描曝光的曝光系统具有：激光装置，其输出脉冲激光；照明光学系统，其将脉冲激光引导至掩模版；掩模版台；以及处理器，其对来自激光装置的脉冲激光的输出和掩模版台对掩模版的移动进行控制。掩模版包含在与扫描曝光的扫描方向正交的扫描宽度方向上混合排列有多种图案的区域，处理器对激光装置指示目标波长，以输出使与多种图案分别对应的最佳对焦位置的方差最小的波长的脉冲激光。

公开(公告)号：CN109314365B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201680086589.9

申请日：2016-07-26

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 小野濑贵士 ,  若林理

IPC分类号： H01S3/10

摘要： 激光系统具有：A.激光装置，其输出脉冲激光；以及B.第1光学脉冲展宽器，其包含用于使脉冲激光的脉冲宽度延长的延迟光路，并且被构成为使环回延迟光路而输出的环回光的束腰位置根据环回数而在光路轴方向上发生变化。在环回光通过理想透镜而被会聚的情况下，该环回光的会聚位置根据环回数而在光路轴方向上发生变化。

公开(公告)号：CN112563116A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011439736.0

申请日：2017-03-16

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 小野濑贵士 ,  若林理

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01S3/00 ,  H01S3/067 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/0971 ,  H01S3/10 ,  H01S3/108 ,  H01S3/109 ,  H01S3/11 ,  H01S3/115 ,  H01S3/131 ,  H01S3/16 ,  H01S3/23 ,  G02F1/35 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37

摘要： 本发明提供脉冲激光的生成方法。固体激光器装置具有：种子激光器，输出作为CW激光的种子光；光强度可变部，通过变更种子光的光强度而将种子光脉冲化，并作为种子脉冲光而输出；CW激励激光器，输出CW激励光；放大器，基于通过CW激励光的光激励被增加的放大增益，将种子脉冲光放大，并作为放大光输出；波长转换部，对放大光进行波长转换，并输出谐波光；和光强度控制部，根据外部触发信号的输入对光强度可变部进行控制，光强度控制部在每次外部触发信号输入时，在从外部触发信号输入起经过一定时间之后使光强度可变部输出种子脉冲光，在从种子脉冲光输出之后起至下一个外部触发信号输入为止的期间内使光强度可变部输出抑制放大增益的增加的抑制光。

公开(公告)号：CN107851957B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201580082010.7

申请日：2015-09-14

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 梅田博 ,  若林理

IPC分类号： H01S3/104 ,  H01S3/097

摘要： 该激光系统具备：第1激光装置；第2激光装置；公共的充电电压测量部，其测量向第1充电电容器充电的充电电压及向第2充电电容器充电的充电电压；至少一个泄放电路，它们使向第1充电电容器充电的充电电压及向第2充电电容器充电的充电电压分别降低；及泄放电路控制部，其根据由充电电压测量部测量的电压来控制至少一个泄放电路。

公开(公告)号：CN111148596A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201780094447.1

申请日：2017-10-04

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 柿崎弘司 ,  小林正和 ,  诹访辉 ,  若林理

IPC分类号： B23K26/02 ,  B23K26/50

摘要： 一种激光加工方法，使用激光加工系统对相对于紫外线透明的透明材料实施激光加工，该激光加工系统具有：激光装置，其输出紫外线的脉冲激光；转印掩模，其形成有使脉冲激光透过的转印图案；以及转印光学系统，其对转印像进行转印，该转印像是通过使脉冲激光透过转印图案而形成的，且形状与转印图案对应，其中，该激光加工方法具有以下的步骤：A.定位步骤，在脉冲激光的光轴方向上进行由转印光学系统转印的转印像的转印位置与透明材料之间的相对定位，该定位使得转印位置在光轴方向上成为从透明材料的表面向透明材料的内部进入了规定的深度ΔZsf的位置；以及B.照射步骤，对透明材料照射脉冲宽度为1ns～100ns的范围且转印位置处的射束的直径为10μm以上且150μm以下的脉冲激光。

公开(公告)号：CN110603695A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201780090371.5

申请日：2017-06-13

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 手井大辅 ,  若林理

IPC分类号： H01S3/10 ,  H01S3/086

摘要： 激光装置具有光学元件，该光学元件由CaF2晶体形成，紫外的激光倾斜地入射到光学元件的1个面并进行透射，在内部传播的激光相对于上述面的P偏振成分的电场轴和CaF2晶体的 中包含的1个轴一致。光学元件的制造方法包含以下步骤：针对使CaF2的籽晶在 中包含的1个轴的方向上进行晶体生长而形成的晶锭，将从晶体生长方向向 中包含的与晶体生长方向不同的另一个轴的方向倾斜14.18±5°的范围内的角度后的轴作为切断轴，与切断轴垂直地切断晶锭，由此制造光学元件。