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公开(公告)号：CN114573983B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210259185.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米金刚石/芳纶纳米纤维多功能复合导热薄膜的制备方法，它涉及导热薄膜的制备方法。本发明要解决现有散热材料无法同时兼具轻薄、高平整度、高导热率、高电阻率、优异力学性能和优异热稳定性的问题。制备方法：一、制备表面具有强负电位的芳纶纳米纤维；二、对纳米金刚石表面进行功能化；三、制备ND@PDDA/ANF/DMSO混合液；四、制备ND@PDDA/ANF复合导热薄膜。本发明用于纳米金刚石/芳纶纳米纤维多功能复合导热薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN112609240B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011446248.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决现有难以实现异质衬底大尺寸高密度外延形核的难题。提高金刚石异质外延形核均匀性的方法：一、将复合结构样品台放置在MPCVD设备的水冷台中心位置，异质衬底放置在样品台的中心位置，抽真空；二、启动微波发生器，激发气体电离和解离；三、偏压增强形核过程：通入甲烷气体，进行等离子体预处理，然后启动偏压电源施加偏压；四、降低甲烷浓度，进行金刚石外延生长，直至沉积生长结束。本发明样品台具有类似于台阶的结构以及数量更多的边缘尖端区域，能在偏置电场的作用下直流辉光层的面积更均匀分布在样品上方。
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公开(公告)号：CN111560602B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010287655.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法，涉及一种氧化物薄膜表面的优化方法。本发明是要解决传统薄膜制备方法不可避免的存在针孔、晶粒与晶粒之间存在缝隙，粗糙度比较大等特点，造成了一定程度上的湿热耐久性差能，而原子层沉积技术存在制备薄膜沉积速度低、成本高等缺点，不适应于完全采用原子层沉积制备厚度较大的薄膜的技术问题。本发明建立复合结构，通过修饰层的制备消除了结构层表面的针孔，使其表面缺陷得到补偿，化学成分更加的均一，表面势分布梯度更小，提高了膜层表面质量。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值。兼顾现有膜层制备技术的结构功能特性，且价格低廉，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111826714B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010733639.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/04 , C30B25/02 , C23C16/27 , C23C16/517
Abstract: 基于射频电源施加偏压以增强CVD金刚石异质外延形核的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决绝缘异质衬底难以有效施加负偏压的问题。外延形核的方法：一、将底部开有凹槽腔的样品托放置于CVD腔体内的水冷台上，射频电源的一电极通过导线连接到CVD腔体外壳上并接地，射频电源的另一电极通过导线经水冷台连接到样品托上；二、将异质衬底放置在样品托中心位置，CVD腔体抽真空；三、升温过程，通入氢气；四、控制甲烷气体浓度，进行偏压增强形核；五、生长过程及结束。本发明通过射频电源，避免了直流偏压施加过程中绝缘异质衬底电势升高导致无法正常施加偏压，实现了绝缘异质衬底上高密度外延形核。
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公开(公告)号：CN113237842A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110449247.1
申请日：2021-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/35 , G01N21/3563 , G01N21/01
Abstract: 一种傅里叶红外光谱仪样品架及使用方法，涉及一种傅里叶红外光谱仪样品架。本发明是为了解决现有技术存在的出入射光线位置点变动，出射光线传播路径改变，最终可能导致测试结果不准确的问题。装置：工装底座上方滑动设置两个支撑柱，两个量角器的直线端分别固定安装在两个支撑柱上，两个测试样品支架底部分别转动连接在两个支撑柱上，两个测试样品分别插装在两个测试样品支架上。方法：步骤一、首先将工装底座平稳安装放置在测试所需的工况或者环境中；步骤二、通过旋转两个测试样品支架来调整测试斜入射角度，角度值可由量角器读出；步骤三、将两个测试样品按照对称要求放置在两个支架上；步骤四、准备完毕后，开始测试。本发明用于光路转换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110428923B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910735205.7
申请日：2019-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池及其制备方法，本发明属于微能源领域，它为了解决现有同位素电池的短路电流、开路电压以及能量转换效率较低的问题。本发明采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池包括放射源、电池肖特基电极、氧化锌层、本征金刚石层、掺硼p型金刚石层和电池欧姆电极，该金刚石肖特基同位素电池从上至下依次由放射源、电池肖特基电极、氧化锌层、本征金刚石层、掺硼p型金刚石层和电池欧姆电极形成叠层结构。本发明在本征金刚石层和肖特基电极之间插入一层氧化锌层，此氧化锌层能够阻挡空穴、同时传输电子，从而起到了减少电子空穴对复合的作用，进而提升能量转换效率。
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公开(公告)号：CN112877773A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110034019.8
申请日：2021-01-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法，本发明要解决现有MPCVD法单晶金刚石生长工艺中需要消耗大量高纯氢气，碳源利用率较低的问题。单晶金刚石生长方法：一、清洗金刚石籽晶；二、将单晶金刚石籽晶放置于样品台中心的样品托上，将固态碳源放置于单晶金刚石籽晶的四周；三、将反应舱内抽真空，随后通入高纯氢气，并升高气压与微波功率；四、在无气流稳定生长过程中，采用光谱仪对反应舱内的等离子体进行监控，通过调节微波功率来调节固态碳源表面的温度；五、结束生长。本发明在无气流生长过程中，原子氢刻蚀固态碳源产生碳氢基团，随后通过热扩散粒子输运到金刚石籽晶表面，此过程持续循环进行，实现单晶金刚石的快速生长。
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公开(公告)号：CN112647126A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011393749.9
申请日：2020-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于大颗粒MPCVD单晶金刚石控温连续生长的内嵌式水冷台及其应用，它为了在不改变生长舱体内等离子体分布的情况下连续可控地调节金刚石样品表面与等离子体核心的距离，实现大颗粒CVD单晶金刚石的长期连续稳定生长。本发明内嵌式水冷台包括外层水冷台、内部水冷台、样品托和两台升降电机，外层水冷台由外台体和连接体组成一体结构，在外台体内开有凹腔，沿连接体的中轴线开有通孔；所述的内部水冷台由水冷台体和连接杆组成一体结构，内部水冷台的内部开有水冷腔，水冷台体位于凹腔内，连接杆套设在通孔中。本发明通过内部水冷台的升降实现金刚石样品长时间连续生长过程中的温度恒定控制，进而实现大颗粒MPCVD单晶金刚石的生长。
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公开(公告)号：CN111778553A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010743770.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B25/18
Abstract: 用于提升CVD单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法，本发明属于金刚石制备领域，它为了解决现有籽晶预处理方式难以处理籽晶内部原有缺陷及内应力的问题。等离子体退火方法：一、采用激光切割将目标籽晶沿厚度方向切割成两片籽晶，对目标籽晶的激光切割面进行抛光处理；二、籽晶放入MPCVD金刚石生长设备中，抽真空，向腔体内通入氢气并点燃等离子体进行等离子体退火处理；三、依次重复切割抛光处理以及等离子体退火处理多次，得到高品质薄籽晶。本发明通过减薄籽晶与等离子体退火交替反复进行，能够有效降低籽晶内部原有缺陷密度，并不断释放内应力，且能够将一块品质一般的较厚籽晶，处理得到若干品质较优的薄籽晶。
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公开(公告)号：CN111499371A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010277504.3
申请日：2020-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/443 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法，本发明涉及镁铝尖晶石陶瓷的制备方法。本发明要解决现有无压烧结保温时间长，升温速率慢。热压烧结常需要加入烧结助剂，晶粒尺寸大，难以制备复杂形状的样品。放电等离子烧结制备的镁铝尖晶石透明陶瓷光学性能不好的问题。方法：一、将镁铝尖晶石粉体压制成型或凝胶注模成型，得到陶瓷素坯；二、将陶瓷素坯放入氧化铝陶瓷坩埚的中央，然后将装有陶瓷素坯的氧化铝陶瓷坩埚套入碳化硅陶瓷坩埚中；三、将装有陶瓷素坯的套装坩埚置于微波烧结炉烧结；四、将镁铝尖晶石陶瓷块体置于热等静压炉内热等静压。本发明用于镁铝尖晶石透明陶瓷的制备。
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