公开(公告)号：CN101834789B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010151023.4

申请日：2010-04-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 李丽 ,  潘红兵 ,  万健 ,  沙金 ,  何书专 ,  李伟

IPC: H04L12/56

Abstract: 本发明公开了一种面向包-电路交换片上路由器的回退转向路由算法及所用路由器，该算法是一种自适应路由算法，根据片上网络拥塞情况进行路由仲裁，根据链路资源的占用情况动态改变路由路径。该算法记录满足路由条件的输出端口，在遇到拥塞后重新选择输出端口，实现回退路由，从而可以充分利用网络资源，有效避免拥塞，提高平均吞吐量，减少平均包延迟；该路由器包括依次连接的输入状态机、优先级编码器、地址译码器、仲裁器和输出状态机；本发明在选择路由路径时，不向180度方向折回路由，并且不向远离目的节点的方向路由，所以不会引起死锁或活锁的问题。本发明成本低、性能高，适用于实现高性能的片上网络系统。

公开(公告)号：CN102544180A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210026928.8

申请日：2012-02-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  肖金荣 ,  耿雷 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  方力 ,  刘妮 ,  江一帆 ,  杨菲 ,  仝亮

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法，硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极；所述下电极设在纳米硅层上；所述纳米硅层设在纳米结构层上；所述纳米结构层设在ITO上；所述ITO设在衬底上；方法包括衬底的处理、透明导电层的生长、纳米结构层的制备、纳米硅层(Nano-Si)生长和蒸镀下电极步骤。基于ZnS、CdS、CdTe纳米晶或nano-Si和非晶硅薄膜组成的多结面硫系太阳能电池结构，对可见光的吸收极大增大，从而其光电转化效率较普通单层薄膜太阳电池高；可以通过改变生长条件控制纳米结构介质层中纳米晶或纳米线的尺寸及分布，从而达到调节纳米晶层的光学带隙宽度的目的；硫系太阳能电池制作方法与传统的半导体硅工艺相兼容。

公开(公告)号：CN102255016A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110235565.4

申请日：2011-08-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  孙红程 ,  沐维维 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  徐伟 ,  徐岭 ,  刘宇

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种近红外光发射硅基材料及其制备方法，属于通讯材料技术领域。该材料包括单晶硅衬底或者石英衬底，所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜；所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼磷纳米硅量子点。其制备方法包括采用平板电容型射频等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）制备硼磷共掺杂的非晶硅/二氧化硅多层膜、后处理退火薄膜晶化步骤。本发明的纳米晶硅多层结构材料具有低于硅带隙的复合能级，同时克服体硅材料发光效率低下的问题，因此为光互连奠定了基础。其制备方法与微电子技术兼容，有利于大规模生产。

公开(公告)号：CN101916219A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010217301.1

申请日：2010-07-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 潘红兵 ,  李丽 ,  徐项沛 ,  易伟 ,  潘鹏 ,  何书专 ,  李伟

IPC: G06F11/22

Abstract: 一种片上网络多核处理器流媒体演示平台，基于ffplay分别在两台PC上同步显示2个实时Video窗口，两台PC各自设有1G以太网端口，通过以太网与片上多核网络处理器连接，一台PC作为视频发送端，播放视频的同时通过片上多核网络处理器向另一台PC同步发送视频数据；另一台PC作为视频接收端，实时从片上多核网络处理器接收视频数据，同步解析、处理、播放视频数据；进行片上多核网络处理器的流媒体演示及测试。本发明为一种完全同步、无乱屏，并能对丢包率进行统计，对播放速率、效果进行调节的流媒体演示平台，为片上多核处理器提供了一个良好的测试和演示平台。

公开(公告)号：CN100555693C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200810025499.6

申请日：2008-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 韦德远 ,  徐骏 ,  王涛 ,  陈德媛 ,  韩培高 ,  孙红程 ,  刘宇 ,  陈谷然 ,  陈坤基 ,  马忠元 ,  李伟 ,  徐岭

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为阳极。工艺过程为制备带有量子阱结构多层薄膜，再后处理退火晶化和制备器件电极。本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO2发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。

公开(公告)号：CN100555692C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710132145.7

申请日：2007-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄锐 ,  陈坤基 ,  董恒平 ,  王旦清 ,  李伟 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  徐岭 ,  黄信凡

IPC: H01L33/00

Abstract: 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5-1之间，薄膜厚度60-100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：在衬底温度为95-105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a-SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10-30min；形成富硅的掺氧a-SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。

公开(公告)号：CN100514316C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710025077.4

申请日：2007-07-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李丽 ,  徐懿 ,  杨盛光 ,  何书专 ,  李伟 ,  高明伦 ,  张冰 ,  张宇昂

IPC: G06F13/362

Abstract: 本发明公开了一种基于片上多处理器系统的动态自适应总线仲裁器，包括接口控制模块、随机数产生模块、动态“彩票”数产生模块、定时器模块和Lottery总线仲裁模块；随机数产生模块接收接口控制模块信号输出随机数的范围配置成各处理器对总线申请要求下的“彩票”总数；动态“彩票”数产生模块存储每个处理器所持的初始“彩票”数目，并响应于定时器模块所产生的中断信号的激活；Lottery总线仲裁模块根据各个处理器所持的“彩票”数目，来控制系统总线的使用优先权。本发明降低了算法复杂度，降低了各处理器的总线等待时间并且能更好地控制各处理器占据的总线带宽，提高了系统性能，对于片上多处理器系统的设计具有重要的参考价值。

公开(公告)号：CN100504564C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710025127.9

申请日：2007-07-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 钱波 ,  陈三 ,  陈坤基 ,  张贤高 ,  刘奎 ,  丁宏林 ,  李伟 ,  徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  黄信凡

IPC: G02F1/35 ,  G01N21/64

Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a-SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a-SiNx和a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a-SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5-9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。

公开(公告)号：CN100464472C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200710020973.1

申请日：2007-04-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  陈三 ,  钱波 ,  李卫 ,  张贤高 ,  李伟 ,  徐骏 ,  黄信凡

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10

Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射层的a-SiNx/a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a-SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。

公开(公告)号：CN100437353C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410065998.X

申请日：2004-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  张永军 ,  刘嘉瑜 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  李卫 ,  徐骏

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00 ,  B82B3/00

Abstract: 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a-Si)/氮化硅(SiNX)、(a-SiC)/(SiNX)、(a-Ge)/(SiNX)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a-Si/SiNX多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。