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公开(公告)号：CN115210394B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180018747.8
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有以下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，通过EBSD2法，以测定间隔5μm步长测定1mm以上的测定面积，排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点，在将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的KAM(Kernel Average Misorientation：平均取向差)值为1.50以下。
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公开(公告)号：CN117222608A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280029038.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 寺崎伸幸
IPC: C04B37/02
Abstract: 在本发明的铜‑陶瓷接合体中，在陶瓷部件(11)的一面和另一面分别接合有铜部件(12)、(13)，在铜部件(12)、(13)中的陶瓷部件(11)侧形成有活性金属氮化物层(21)、(31)，含有Si和活性金属的活性金属化合物在从活性金属氮化物层(21)、(31)起朝向铜部件(12)、(13)侧10μm的区域(E1)、(E2)中的面积率A1、A2为10％以下，一面侧的所述活性金属化合物的面积率A1与所述另一面侧的所述活性金属化合物的面积率A2之比A1/A2在0.7以上且1.4以下的范围内。
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公开(公告)号：CN116806177A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202280008989.3
申请日：2022-02-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: B22F7/08
Abstract: 本发明抑制强度降低。接合用浆料(10)包含铜粒子(12)、溶剂(14)及由磷酸酯组成的添加剂(16)。接合用浆料(10)中，添加剂(16)的含量相对于接合用浆料(10)的总量以质量比计为0.5％以上且3.0％以下。
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公开(公告)号：CN114829042B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202080086817.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: B22F9/00 , H05K3/32 , B22F1/103 , B22F1/107 , B22F7/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01B13/00 , H01L21/52
Abstract: 银膏是为了直接涂布于铜或铜合金部件的表面(11a)以形成银膏层(13)而使用，并且包含银粉末(12)和粘合剂(14)。粘合剂(14)至少包含脂肪酸银及脂肪族胺，粘合剂(14)的交换电流密度在10μA/dm2以上且1000μA/dm2以下的范围内。粘合剂(14)优选包含二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇或苯甲酸中的任一种或两种以上作为添加剂。粘合剂(14)中的添加剂的含有比例以质量比(添加剂/粘合剂)计优选在0.003以上且0.333以下的范围内。
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公开(公告)号：CN114787106B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202080083468.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 寺崎伸幸
Abstract: 该铜‑陶瓷接合体通过接合由铜或铜合金构成的铜部件和包括氮化硅的陶瓷部件而成，所述铜‑陶瓷接合体中，存在于所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面的Mg‑N化合物相的最大长度小于100nm，在沿着所述接合界面的单位长度中，长度在10nm以上且小于100nm的范围内的所述Mg‑N化合物相的个数密度小于8个/μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111226315B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201880067121.4
申请日：2018-10-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 寺崎伸幸
Abstract: 铝合金部件(31)由Mg浓度被设在0.4质量％以上且7.0质量％以下的范围内而Si浓度被设为小于1质量％的铝合金构成，铝合金部件(31)与铜部件(13B)被固相扩散接合，在铝合金部件(31)与铜部件(13B)的接合界面形成有化合物层(40)，所述化合物层(40)由配设于铝合金部件(31)侧且由Cu和Al的金属间化合物的θ相构成的第一金属间化合物层(41)、配设于铜部件(13B)侧且由Cu和Al的金属间化合物的γ2相构成的第二金属间化合物层(42)及在第一金属间化合物层(41)与第二金属间化合物层(42)之间形成的Cu‑Al‑Mg层(43)构成。
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公开(公告)号：CN116096691A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180054614.6
申请日：2021-09-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明的耐等离子体涂膜为一种如下的耐等离子体涂膜，其形成于基材上，在SiO2膜中包含平均粒径为0.5μm～5.0μm的结晶性Y2O3粒子，通过利用扫描型电子显微镜对膜截面进行图像分析并由下述式(1)求出的膜密度为90％以上，膜中的孔隙的尺寸为直径5μm以下，且基于膜的划格试验所得的从所述基材的剥离率为5％以下。膜密度(％)＝[(S1‑S2)/S1]×100(1)，其中，在式(1)中，S1为膜的面积，S2为膜中的孔隙部分的面积。
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公开(公告)号：CN115917051A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180042811.6
申请日：2021-06-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种铝芯线用防腐蚀端子材，其镀覆密接性良好且防腐蚀效果也好，所述铝芯线用防腐蚀端子材具有至少表面由铜或铜合金构成的基材(2)及在该基材上的至少一部分形成的防腐蚀皮膜，该防腐蚀皮膜具有：中间合金层(6)，由锡合金构成；锌层(8)，形成在该中间合金层(6)上且由锌或锌合金构成；及锡锌合金层(9)，形成在该锌层上，由含有锌的锡合金构成，所述中间合金层(6)中的锡含量为90原子％以下。
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公开(公告)号：CN115735018A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180045132.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22F1/00
Abstract: 该铜合金的一方式包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为20％以上。
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公开(公告)号：CN113454736B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202080014946.7
申请日：2020-01-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及一种热敏电阻的制造方法，具有：基底电极层形成工序(S01)，在由热敏电阻材料构成的热敏电阻晶片的两面形成基底电极层；芯片化工序(S02)，将所述热敏电阻晶片切断以实现芯片化，获得带基底电极层的热敏电阻芯片；保护膜形成工序(S04)，在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的整个面形成由氧化物构成的保护膜；覆盖电极层形成工序(S05)，在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S06)，进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通，所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极层和所述覆盖电极层的所述电极部。
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