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公开(公告)号:CN101654161A
公开(公告)日:2010-02-24
申请号:CN200810213320.X
申请日:2008-08-22
申请人: 崇越科技股份有限公司
摘要: 一种包装结构,用于容纳至少一板件。所述包装结构包括一个定位板、一个内箱体、多个加强柱及一个外箱体。内箱体固定于定位板上并与定位板形成一个容纳空间。限位件分别设置于容纳空间的两侧。加强柱分别设置于定位板上及内箱体外侧。外箱体设置于加强柱外侧。其中限位件形成多个相间隔的限位槽,使板件容纳于限位槽内。
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公开(公告)号:CN1598816A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN03157159.X
申请日:2003-09-16
申请人: 崇越科技股份有限公司
IPC分类号: G06F17/30
摘要: 自动产生关键词分类表的系统,包括有原始数据库,与中央处理单元相连接,储放有原始文件资料,接收并删除原始资料文件资料的标题名称及内文资料中重复出现的文字,获得前置文件资料,且储存至与中央处理单元相连接的前置数据库中,前置文件资料包含有原始数据库名称、新标题名称、新内文资料及所相对应的序列号;接着中央处理单元再将前置文件资料的文字,以每单一文字作为查询字并配合所相对应的序列号,而储存至检索数据库中,即每一查询字相对有一序列号,当使用者输入至少一关键词时,中央处理单元依据输入的关键词与每一查询字比对,产生关键词分类表,表中会呈现与关键词相同的查询字及相对于查询字的序列号,以便于使用者获得所需的资料。
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公开(公告)号:CN1565806A
公开(公告)日:2005-01-19
申请号:CN03148284.8
申请日:2003-07-01
申请人: 崇越科技股份有限公司
IPC分类号: B24D18/00
摘要: 一种具规则性排列磨料研磨工具的制造方法。为提供一种提高研磨效率、简化制程、降低生产成本、延长使用寿命的研磨工具的制造方法,提出本发明,它包括提供基材步骤、于基材表面形成布置层步骤、在布置层上形成数个孔洞步骤、将数个研磨颗粒分别置于孔洞中的设置研磨颗粒步骤、于布置层上形成覆盖研磨颗粒的固结层步骤及去除部分固结层以使研磨颗粒部分裸露出固结层的步骤。
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公开(公告)号:CN1416153A
公开(公告)日:2003-05-07
申请号:CN02126916.5
申请日:2002-07-25
申请人: F.T.L股份有限公司 , 崇越科技股份有限公司
发明人: 高木干夫
IPC分类号: H01L21/205 , H01L21/22 , H01L21/00
CPC分类号: H01L21/67109 , C23C16/4587 , C23C16/46 , C30B25/08 , C30B25/12 , H01L21/67303 , H01L21/67346 , H01L21/68707
摘要: 一种加热炉与半导体基板装载治具的组合,其为由耐火断热材料所构成的炉体及含有配置于炉体之内侧面的加热体所构成直立炉或横置炉,以及在其反应管的均热区内可将一片或二片之半导体基板以其面与炉的长轴方向一致,且可自由前进后退的方式装载的基板装载治具所构成的组合。此组合的特征为加热体与半导体基板的面成实质上平行。依照本发明的加热炉与半导与基板装载治具的组合进行RTP的话,加热炉之床占有面积(footprint)可变小。
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公开(公告)号:CN1355559A
公开(公告)日:2002-06-26
申请号:CN00132698.8
申请日:2000-11-23
申请人: 崇越科技股份有限公司
发明人: 陈建智
摘要: 一种晶片测试载架。为提供一种保证测试准确性、使用方便、提高测试速度的半导体元件生产辅助装置,提出本发明,它包括设有周边凹设定位凹槽容置空间的基板、矩形端板、设有通孔的固定板、压板及枢设于基板上并设有卡板的盖板;矩形端板上设有嵌设接触面板的通孔,接触面板上、下表面上分别具有复数电性连接点及呈电性连通;固定板两侧对边处分别设置固定座及凸边;压板下方对称设置四橡皮条。
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公开(公告)号:CN102299391A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201010222071.8
申请日:2010-06-22
申请人: 崇越科技股份有限公司
IPC分类号: H01M10/44
摘要: 本发明揭露了一种充电系统及其充电方法,充电系统包含待充电单元及充电单元,待充电单元包含第一无线通讯装置及第一无线充电模组,充电单元包含第二无线通讯装置、第二无线充电模组及处理模组,其中充电方法包含先以第一无线通讯装置通过无线传输方式发送认证码及请求充电信号至第二无线通讯装置,处理模组从第二无线通讯装置接收认证码及请求充电信号后对认证码进行验证,当认证码通过验证后,处理模组即控制第二无线充电模组通过无线充电的方式对第一无线充电模组进行充电。
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公开(公告)号:CN101462808A
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200710195394.0
申请日:2007-12-17
申请人: 崇越科技股份有限公司
摘要: 本发明是有关于一种显影制程废水处理装置及其废水处理方法,包括显影制程废水储存装置、酸液储存单元、酸化混合单元、第一固液分离装置、酸碱中和调整装置、生物处理装置及第二固液分离装置,当显影制程废水储存装置内的废水、酸液储存单元内的一酸液,二者进入酸化混合单元使显影制程废水内的溶解性成分转化为不溶解性物质,经过第一固液分离装置、酸碱中和调整装置、生物处理装置至第二固液分离装置,去除显影制程废水中不溶解性物质及污染物质。本发明具有将显影制程废水内程度不等废光阻液,结合酸碱的调整程序,使原溶解性成分转为不溶解性物质后,再藉固液分离装置将废水内的不溶性物质去除的优点,能有效地进行处理,同时达到单纯简化的功能。
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公开(公告)号:CN204702589U
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201520098273.4
申请日:2015-02-11
申请人: 崇越科技股份有限公司
发明人: 谭发祥
IPC分类号: C02F9/04 , C02F101/14
摘要: 一种控制溶液氟离子装置,包含溶液反应设备、第一输送设备以及第二输送设备。溶液反应设备包含桶槽,桶槽装有含氟离子废水;第一输送设备连接溶液反应设备,输送含钙盐添加物至桶槽,含钙盐添加物与含氟离子废水反应形成第一溶液,其包含氟化钙沉淀物以及氟离子;第二输送设备连接溶液反应设备,输送含磷酸盐废水或含磷酸盐污泥至桶槽,含磷酸盐废水(或含磷酸盐污泥)与第一溶液反应形成第二溶液,其包含羟基磷酸钙沉淀物、氟化钙沉淀物以及氟离子,其中,部分的氟离子吸附于羟基磷酸钙沉淀物。
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公开(公告)号:CN2606237Y
公开(公告)日:2004-03-10
申请号:CN03204576.X
申请日:2003-02-24
申请人: 崇越科技股份有限公司
IPC分类号: F17D5/00
摘要: 一种阀歧管系统的阀箱结构,其包括有一箱体,箱体顶部穿设有至少一歧管,歧管穿过箱体顶部与箱体内部的一开关阀的一输入口相连接,箱体的底部将从歧管内部经由开关阀的输入口或一输出口所泄漏的流体集中于底部中心,并藉由于底部中心所装设的一排液阀,可将流体经由排液阀排出,以利开关阀所泄漏的流体的排放清理。
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公开(公告)号:CN201770529U
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN201020227105.8
申请日:2010-06-01
申请人: 崇越科技股份有限公司
IPC分类号: C02F1/58
摘要: 本实用新型揭露了一种废水处理系统,是结合化学反应及金属置换反应,其包括输送含有溶解性金属的废水的进水管路、化学溶剂的溶剂输送设备、金属材料输送设备、反应桶槽、固液分离单元及输送反应后的废水的出水管路,用于处理含有溶解性金属的工业废水,以提高废水中溶解性金属的去除效率及回收纯度,并进一步可以减少化学溶剂的耗费,同时达到回收另一金属元素的目的。
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