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公开(公告)号:CN106470291A
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201510625896.7
申请日:2015-08-19
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor: 李剑
IPC: H04N5/04
CPC classification number: H04N21/8547 , H04N19/44 , H04N21/4307 , H04N21/4341 , H04N21/4348
Abstract: 本发明涉及从音频/视频解码器中的时间同步中的中断中恢复。一种用于解码压缩视频和音频数据的解码器。解复用器提供在中断出现之后的呈现时间戳(PTS)的预测,该预测以在检测到中断时基本位流的数据是否仍然存在于解复用器和控制解码器模块中为条件。如果数据仍然存在,则该预测基于根据在中断之前接收的PTS使用基本位流中采样数据的持续时间的外推。如果数据不再存在于解复用器中,则该预测基于使用定义的延迟外推本地时钟所指示的当前时间。
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公开(公告)号:CN106470014A
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201510659345.2
申请日:2015-08-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 本发明涉及具有谐波防止电路的输出阻抗匹配网络.用于RF功率放大器管芯的输出阻抗匹配网络包括谐波防止电路,该谐波防止电路用作在该大器的基频的短路电路以及在放大器的二次谐波频率的开路电路.在某些实现方式中,该谐波防止电路具有在基频谐振的一个或多个并联的电抗(LC)分支,以及使该谐波防止电路在二次谐波频率谐振的并联的电抗(电容性)分支.该谐波防止电路提高了RF功率放大器的功率传递和效率。
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公开(公告)号:CN106469979A
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201510583357.1
申请日:2015-08-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 本公开涉及具有共用电容器振荡器的低电压纹波电荷泵。具有转换率控制的低电压纹波电荷泵包括分频器、时钟发生器、电流镜、开关电路、二极管网络、两个电容器和比较器。分频器从振荡信号产生时钟信号。时钟发生器从时钟信号产生第一和第二时钟信号。电流镜使用基准电流产生第一和第二电流。开关电路使用第一和第二时钟信号以及第一和第二电流信号产生第一和第二电压信号。比较器基于第一和第二电压信号产生振荡信号。电容器接收电压信号,并连接到二极管网络用于产生输出信号。电荷泵具有低输出电压纹波以及小滤波电容,这是通过转换率控制来实现的。
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公开(公告)号:CN102842288B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201110189595.6
申请日:2011-06-21
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G09G3/3406 , G09G2320/0646 , G09G2340/16 , G09G2360/16
Abstract: 本发明公开具有动态亮度缩放的背光视频显示器。一种在背光视频装置上显示由输入视频信号定义的图像的方法,适应于在输入视频信号的连续帧之间的亮度的改变。在连续帧之间的亮度分布的改变被检测,其中,所述亮度分布是在帧中的像素亮度值的分布的函数。用于输入视频信号的当前帧的对图像面板的光透射和对背光的亮度的目标调节被定义,从而利用对背光的亮度的调节来补偿显示的图像的亮度。用于当前帧的对图像面板的光透射和对背光的亮度的实际调节成比例地与通用语当前帧的目标调节和用于前一帧的实际调节相关,实际调节与在连续帧之间的亮度分布中检测到的改变相关。
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公开(公告)号:CN106373890A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201610579338.6
申请日:2016-07-21
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor: 托马斯·E·伍德
IPC: H01L21/48 , H01L23/00 , H01L23/13 , H01L23/538
Abstract: 半导体晶片的实施例包括半导体衬底、多个穿衬底通孔(TSV)以及导电层。这些TSV在第一衬底表面与第二衬底表面之间延伸。这些TSV包括各具有在第一方向上对准的主轴线的第一子组的沟槽通孔,以及各具有在第二不同方向上对准的主轴线的第二子组的沟槽通孔。这些TSV在该衬底的对准区中形成对准图案。该导电层直接连接到该第二衬底表面且连接到这些TSV的第一端。将这些TSV用于对准,该导电层可被图案化以使得该导电层的一部分直接耦合到这些TSV,并且因此该导电层包括至少一个导电材料空隙(例如,与在该第一衬底表面处的无源组件对准)。
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公开(公告)号:CN106357236A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201510506957.8
申请日:2015-07-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K3/012
CPC classification number: H03K7/06 , H03K3/0231 , H03K3/08 , H03K4/502 , H03K5/24 , H03K19/21 , H03L7/087 , H03L7/18
Abstract: 本公开涉及变频张弛振荡器。公开了一种张弛振荡器系统,具有张弛振荡器和频率控制(FC)单元。振荡器包括第一和第二振荡器子电路及锁存器。第一和第二振荡器子电路从FC单元分别接收第一和第二控制信号,用于控制由第一和第二振荡器子电路提供给锁存器的相应输出。锁存器输出提供给FC单元的变频反馈信号。FC单元接收频率控制信号,用于控制振荡器输出信号的频率,并基于频率控制信号和反馈信号产生第一和第二控制输入,以便在每一个振荡器子电路处于空闲状态时由该振荡器子电路实现对振荡器频率的改变,以避免振荡器输出信号中的毛刺。
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公开(公告)号:CN106354524A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201510625898.6
申请日:2015-07-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G06F9/445
Abstract: 本发明涉及实时更新固件的系统和方法。一种固件控制的系统包括存储器和处理器。存储器包括:用以保存用于执行关键功能的非可编程代码的第一存储块,以及用以保存用于执行普通功能的可编程代码的第二和第三存储块。在操作期间,该第二和第三存储块中的可编程代码正在被执行的一个是激活存储块。在接收到新的可编程代码之后,处理器识别非激活存储块,在其中存储该新的可编程代码,以及在使用该非可编程代码继续执行该关键功能的同时切换以执行该新的可编程代码。
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公开(公告)号:CN106257837A
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201610452296.X
申请日:2016-06-21
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor: 陈涛 , 道格拉斯·阿兰·加里蒂 , 金贤坤
IPC: H03M1/10
CPC classification number: H03M1/109 , H03H19/004 , H03M1/12 , H03M1/1071
Abstract: 本发明提供用于测试模/数转换器(ADC)的方法和电路。该方法包括:将模拟信号源的单端输出端耦合至放大器的差分输入端;将该放大器的差分输出端耦合至该ADC的差分输入端;从该模拟信号源的该单端输出端向该放大器的该差分输入端的第一输入端子和第二输入端子交替地提供第一测试信号和第二测试信号;放大该第一测试信号和第二测试信号以在该放大器的该差分输出端生成放大差分信号;向该ADC的该差分输入端提供该放大差分信号;并且确定该ADC的输出是否为所预期的。也可向该放大器的该差分输出端提供偏置。该方法允许使用具有单端输出端的数/模转换器(DAC)来测试具有差分输入端的ADC。
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公开(公告)号:CN106257836A
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201510468739.X
申请日:2015-06-16
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K5/22
Abstract: 本发明涉及具有内建恒定滞后的轨到轨比较器。比较器具有输入级,具有(i)将差分输入电压转换为差分电流的电阻器耦合的超级源极跟随器电路以及(ii)将滞后电流注入差分电流中的滞后电流注入电路。输出级处理差分电流以控制比较器输出。共模(CM)检测电路抑制一些差分电流到达输出级,如果CM电压太靠近比较器的电压轨。比校器能够以恒定滞后电压在整个轨到轨范围之上工作在CM电压下。
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公开(公告)号:CN103663362B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201310384803.7
申请日:2013-08-29
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/528 , B81C1/0023 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种传感器封装方法以及传感器封装。所述方法包括提供(82)结构(117)、提供(100)控制器元件(102、24)、以及将控制器元件粘结(116)到所述结构(117)的外表面(52、64)。所述结构包括传感器晶圆(92)和帽晶圆(94)。晶圆(92、94)的内表面(34、36)耦合在一起,其中传感器(30)插入在所述晶圆(92、94)之间。一个晶圆(92、94)包括衬底部分(40、76),其中粘结盘(42)形成于其内表面(34、36)上。另一个晶圆(92、94)隐藏了所述衬底部分(40、76)。粘结之后,方法(80)包括形成(120)导电元件(60),移除材料部分(96、98、107),形成(130)电互连(56),应用(134)封装材料(64),以及切割(138)。
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