-
公开(公告)号：CN109755249B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811321330.5
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括在半导体衬底上的外围逻辑结构。水平半导体层在外围逻辑结构上并包括单元阵列区和连接区。电极结构在水平半导体层上沿第一方向延伸，并在交叉第一方向的第二方向上间隔开。彼此相邻的成对的电极结构对称地设置以限定部分地暴露水平半导体层的接触区。贯通通路结构在接触区上并将电极结构连接到外围逻辑结构。每个电极结构包括在连接区上沿第一方向延伸的多个栅绝缘区。栅绝缘区在第一方向上具有彼此不同的长度。
-
公开(公告)号：CN107623006B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201710429963.7
申请日：2017-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种存储器器件。该存储器器件包括：栅极结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个垂直孔，沿与所述衬底的上表面垂直的方向延伸以穿过所述栅极结构；以及分别在所述多个垂直孔中的多个垂直结构，所述多个垂直结构中的每一个垂直结构包括嵌入式绝缘层以及多个彼此分离的沟道层，所述多个沟道层位于所述嵌入式绝缘层的外部。
-
公开(公告)号：CN113497062A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110194102.1
申请日：2021-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括位于基底上的金属线，并且包括：最上面的金属线；半导体导线，位于最上面的金属线上；垂直结构，穿透半导体导线和金属线并且包括沟道膜，沟道膜包括上沟道膜、第一下沟道膜以及在半导体导线的底部与最上面的金属线的底部之间将上沟道膜和第一下沟道膜连接的上连接沟道膜；以及第一切割线，通过金属线和半导体导线，并且包括穿过半导体导线的第一上切割线和通过多条金属线的第一下切割线，第一上切割线的宽度比第一下切割线的侧壁的延伸线的宽度大。
-
公开(公告)号：CN112447752A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010914790.X
申请日：2020-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 竖直存储器装置包括在衬底上竖直地延伸的沟道。电荷存储结构设置在沟道的侧壁上。栅电极竖直地彼此间隔开，并围绕电荷存储结构。第一绝缘图案包括栅电极之间的气隙。电荷存储结构包括水平地顺序地堆叠的隧道绝缘层、电荷俘获图案和第一阻挡图案。电荷存储结构包括竖直地彼此间隔开的电荷俘获图案。电荷俘获图案中的每一个水平地面对栅电极中的一个。电荷俘获图案中的每一个的面对第一阻挡图案的外侧壁在第一方向上的长度小于其面对隧道绝缘层的内侧壁在第一方向上的长度。
-
公开(公告)号：CN112018123A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010472972.6
申请日：2020-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：模结构，其具有在衬底上的字线以及在字线上的第一串选择线和第二串选择线的堆叠；穿过模结构的第一切割结构；穿过模结构的第二切割结构，第二切割结构与第一切割结构间隔开；穿透模结构以连接到衬底的沟道结构，该沟道结构在第一切割结构与第二切割结构之间；第一切割线，其切割穿过第一串选择线但不穿过第二串选择线，第一切割线在第一切割结构与沟道结构之间；以及第二切割线，其切割穿过第二串选择线但不穿过第一串选择线，第二切割线在第二切割结构与沟道结构之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111354731A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911014685.4
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了三维(3D)半导体存储器件。一种3D半导体存储器件包括衬底上的电极结构。电极结构包括堆叠在衬底上的栅电极。栅电极包括电极焊盘区。该3D半导体存储器件包括穿透一个电极焊盘区的虚设竖直结构。虚设竖直结构包括虚设竖直半导体图案和从虚设竖直半导体图案的一部分朝向衬底延伸的接触图案。
-
公开(公告)号：CN110391248A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910085568.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种垂直存储器装置及其制造方法。该垂直存储器装置包括位于基底上的栅电极、延伸穿过栅电极的沟道以及延伸穿过栅电极的接触塞。栅电极在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，并且布置为具有阶梯形状，该阶梯形状包括其的在基本平行于上表面的第二方向上的延伸长度从最下面的水平朝向最上面的水平逐渐减小的台阶。在每个栅电极的沿第二方向的端部处的垫具有比所述每个栅电极的其它部分的厚度大的厚度。沟道在第一方向上延伸。接触塞在第一方向上延伸。接触塞接触栅电极之中的第一栅电极的垫以电连接到第一栅电极，并且与栅电极之中的第二栅电极电绝缘。
-
公开(公告)号：CN109817633A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811381116.9
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种垂直存储器件，其包括：在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上顺序堆叠的第一杂质区、第二杂质区和第三杂质区；栅电极结构，所述栅电极结构包括在所述第三杂质区上沿所述第一方向彼此间隔开的多个栅电极；沟道，所述沟道在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极结构、所述第二杂质区和所述第三杂质区以及所述第一杂质区的上部；以及电荷存储结构，所述电荷存储结构覆盖所述沟道的外侧壁的一部分和下表面。所述沟道直接接触所述第二杂质区的侧壁。
-
公开(公告)号：CN107623006A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710429963.7
申请日：2017-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/5283 , H01L27/11519 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种存储器器件。该存储器器件包括：栅极结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个垂直孔，沿与所述衬底的上表面垂直的方向延伸以穿过所述栅极结构；以及分别在所述多个垂直孔中的多个垂直结构，所述多个垂直结构中的每一个垂直结构包括嵌入式绝缘层以及多个彼此分离的沟道层，所述多个沟道层位于所述嵌入式绝缘层的外部。
-
公开(公告)号：CN107492554A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710432066.1
申请日：2017-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括在基板上使层间绝缘层和导电层交替的叠层。每个导电层在第一方向上延伸得少于导电层中的前一个，以限定导电层的所述前一个的着陆部分。绝缘插塞在导电层中的一个中且在着陆部分中的一个之下，并且接触插塞从着陆部分中的所述一个的上表面延伸。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.034 seconds)
