公开(公告)号：CN101388236A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810213119.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  权奇元 ,  朴永洙 ,  李承勋 ,  安承彦

IPC: G11C5/02 ,  G11C8/10

Abstract: 本发明提供一种多层存储装置。所述多层存储装置包括两个或更多的存储单元和布置在所述两个或更多的存储单元中的每个之间的有源电路单元。有源电路单元包括解码器。每个存储单元包括一个或更多的存储层。每个存储层包括存储阵列。

公开(公告)号：CN111488790A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010056748.9

申请日：2020-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇明 ,  金东均 ,  朴宰彻

IPC: G06K9/00 ,  G06F3/041

Abstract: 公开了一种触摸传感器，包括：在第一方向上延伸的多个平行发送线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多个平行接收线；以及发送驱动器，被配置为在第一模式下将第一电压的第一驱动信号施加到多个发送线，并且在第二模式下将第二电压的第二驱动信号施加到多个发送线，第二电压与第一电压不同。触摸传感器还包括信号输出单元，被配置为从多个接收线接收触摸信号。

公开(公告)号：CN101740694B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN200910225274.X

申请日：2009-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆国 ,  蔡秀熙 ,  朴永洙 ,  金泽 ,  梁炆承 ,  丁亨洙 ,  朴宰彻 ,  金峻渊

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：CN101714403A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910204907.9

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  权奇元 ,  朴宰彻 ,  朴永洙 ,  李明宰

IPC: G11C11/00 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C8/06 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G11C13/0069

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的操作方法，在所述方法中，在编程操作的过程中，可仅将非易失性存储器从第一状态改变为第二状态，而可不从第二状态改变为第一状态。

公开(公告)号：CN101681933A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020930.6

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  李银河 ,  朴永洙 ,  朴宰彻

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。

公开(公告)号：CN101630692A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910140008.7

申请日：2009-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金尚昱

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。

公开(公告)号：CN101060138A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200610143366.X

申请日：2006-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  朴永洙 ,  车映官

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种非晶硅薄膜晶体管和具有该非晶硅薄膜晶体管的有机发光显示器件。该晶体管包括非晶硅薄膜晶体管部分，其包括栅电极、栅绝缘层、非晶硅层和源/漏电极，这些全部形成在衬底上；以及热生成部分，用于产生热并将所述热施加到该非晶硅层以恢复阈值电压。

公开(公告)号：CN112711975A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202010428036.5

申请日：2020-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙景显 ,  朴宰彻 ,  金镇明

IPC: G06K9/00 ,  G01R29/24

Abstract: 公开了一种产生指纹图像的方法，包括：基于连接到指纹传感器的多个检测电路中的每个检测电路的放大器特性，确定要从所述多个检测电路中的每个检测电路去除的电荷量；以及通过从输入到所述多个检测电路中的每个检测电路的第一电量中去除所述电荷量来获得第二电量；对所述第二电量进行积分以获得积分值；以及基于所述第二电量的所述积分值与预定阈值之间的比较来产生所述指纹图像。

公开(公告)号：CN103356219B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201210551889.3

申请日：2012-12-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  西江大学校产学协力团

Inventor： 金暎 ,  朴宰彻 ,  尹大健 ,  李采勋 ,  范镇旭 ,  金京勋 ,  李浚安

IPC: A61B6/03

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01T1/2006 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/208

Abstract: 本发明提供了一种用于断层扫描的光电倍增器检测器元件，该光电倍增器检测器元件包括：检测器单元，接收具有一定范围的波长的光以生成数字化的检测信号；读出单元，被配置为生成与由检测器单元生成的检测信号相对应的输出信号，并且将该输出信号发送到外部电路，其中，在接收到检测信号之后，读出单元马上将输出信号发送到外部电路。

公开(公告)号：CN102130177B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010569845.4

申请日：2010-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴宰彻 ,  金尚昱 ,  朴永洙 ,  金昌桢

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。