公开(公告)号：CN112593189A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011020907.6

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金晥均 ,  金硕埙 ,  郑峻昊

IPC: C23C14/22

Abstract: 本公开提供了离子束沉积装置以及具有其的沉积系统。一种离子束沉积装置包括：用于固定基板的基板组件；相对于基板组件倾斜的靶组件，该靶组件包括具有沉积材料的靶；离子枪，用于将离子束喷射到靶上，使得沉积材料的离子朝向基板组件释放以在基板上形成薄层；以及基板加热器，用于将基板加热到高于室温的沉积温度。

公开(公告)号：CN111490153A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910960905.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  朴正宪 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  G11C11/16

Abstract: 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。

公开(公告)号：CN110504356A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910404401.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  卢恩仙 ,  李俊明 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/12

Abstract: 提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。

公开(公告)号：CN109841727A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811285410.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  姜德现 ,  金禹珍 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。

公开(公告)号：CN103633240B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310366932.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  金基雄 ,  金英铉 ,  金晥均 ,  朴相奂

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。

公开(公告)号：CN104658593A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410659744.4

申请日：2014-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相溶 ,  金晥均 ,  吴世忠

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种磁存储单元和磁存储器装置。磁存储单元包括磁隧道结和第一电极，所述第一电极通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结。所述第一导电结构包括阻挡层和在阻挡层与磁隧道结之间延伸的晶种层。所述阻挡层形成为非晶金属化合物。在一些实施例中，阻挡层是经热处理的层，并且在热处理期间和之后保持阻挡层的非晶状态。